F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 1/17 CIEMAT Octubre USe I+D Actividades para Futuros Colisionadores Lineales Plan Nacional PhysDetLC USe I+D Actividades para Futuros Colisionadores Lineales Plan Nacional PhysDetLC F.R. Palomo 1, R.Millán 1 1 Departamento Ingeniería Electrónica, Escuela Superior de Ingenieros Universidad de Sevilla, Spain

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 2/17 CIEMAT Octubre Resumen Actividades DAQ Actividades TCAD Simulaciones HV-CMOS Simulaciones LGAD Simulaciones ILGAD

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 3/17 CIEMAT Octubre Tarjeta ZedBoard: Procesador Híbrido Zynq 7020 (2 ARM9, 1 FPGA Artix) 500 MB DDR3 SRAM, Xilinx ADC 1 MS/s, Puertos Múltiples I/O,Puerto Expansión FMC Tarjeta ADC AD 9467 FMC, 250 MS/s, 16 bit Adquiridas varias tarjetas ZedBoard, licencias Xilinx Desarrollo completo y tarjetas ADC Plataforma Procesador DAQ y ADCs

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 4/17 CIEMAT Octubre Firmware/Configware Desarrollado Se ha desarrollado y optimizado una arquitectura software compuesta por un procesador ARM9 ejecutando Linux RT, otro procesador ARM9 como proxy, conectados por memoria compartida más tejido lógico de interconexión en la FPGA Artix. Es el esqueleto básico para aplicaciones posteriores. Sobre Linux RT se ha montado un servidor Apache y utilidades básicas de FTP Desarrollo de configware para filtrado y procesado de señal enArtix de Zynq Esqueleto básico para futuros diseños de máquinas finitas de estado.

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 5/17 CIEMAT Octubre Red Cervantes Tyan Thunder xAMD Opteron Synology DiskStation 2x2 TB UPS Dulcinea (Servidor 20 Licencias TCAD) Quijote (Servidor Archivos) Galgo (NAS) Tyan Thunder xAMD Opteron SiCSentaurus1 (Servidor Supercomputación TCAD) Servicio Informática Univ. Sevilla 12 Intel Xeon 2.46 GHz 48 GB RAM SiCSentaurus2 (Servidor Supercomputación TCAD) Servicio Informática Univ. Sevilla Router Cervantes cervantes.us.es 12 Intel Xeon 2.46 GHz 48 GB RAM Frestón (Servidor XilinxFPGA) Dell PowerEdge T xIntel Xeon X5650

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 6/17 CIEMAT Octubre HV-CMOS Diodo Reach-Through Punto de partida para la caracterización de la tecnología HV-CMOS AMS 350 nm Simulaciones I-V con dopado gaussiano y diodo reach-through polarizado en superficie (implantes p) y en backplane.

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 7/17 CIEMAT Octubre Perfiles Dopado Gaussiano Simulación del proceso tecnológico de implantación por ingeniería inversa.

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 8/17 CIEMAT Octubre Bias: -15, -30, -45, -60, -75, -90, -105, -120, -135 V Dopado Gaussiano: I-V, Potencial Electrostático Potencial Electrostático Para un sustrato de 20  -cm, Vbreak ~120 V

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 9/17 CIEMAT Octubre eTCT Dopado Gaussiano HV-CMOS AMS 0.35  m Diodo Reach-Through 1064 nm, 100 ps, diámetro spot 20  m Illuminación a 0, 10, 20, 30, 40 and 50  m de profundidad

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 10/17 CIEMAT Octubre eTCT, Dopado Gaussiano, Backplane e implante p+ -90V, n+ GND Izqda a Dcha: respuesta al pulso láser eTCT, distintas profundidades, con un detalle de la respuesta transitoria con el láser iluminando dentro del campo eléctrico de la unión p-DNTUB.

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 11/17 CIEMAT Octubre Detectores LGAD (300  m, impacto MIP) Bias Ionización de Impacto, impacto MIP a 20 ps, Ionización de Impacto tras MIP X/Y cociente = 10:1 para ilustración Anillo Colector Anillo Colector Terminador Unión Terminador Unión 2970  m 300  m

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 12/17 CIEMAT Octubre Estudio de Bias para 4 grosores de LGAD (300, 200, 100, 50  m) LGAD IV Análisis IV, dispositivo LGAD de 300  m

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 13/17 CIEMAT Octubre LGAD MIP Estudios de respuesta ante MIP para diferentes grosores LGAD

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 14/17 CIEMAT Octubre ILGAD 2x4 strips en el dorso, 2 anillos recolectores, multiplicación en el cátodo Estudios de Bias, IV en ILGAD 300  m

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 15/17 CIEMAT Octubre ILGAD análisis MIP Análisis CV ILGAD 300  m (~6.5e-16 Faradios) Impacto MIP Centro, 250 V Bias Impacto MIP Anillo colector interno tipo P (dorso), 250 V Bias

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 16/17 CIEMAT Octubre ILGAD Densidad Corriente Electrónica Impacto MIP Anillo Interno P detalle recolección anillo interno Densidad Corriente Electrónica MIP Centro, Vista global

F.R.PalomoPhysDetLC Reunión 17/17 CIEMAT Octubre Previsiones Plan nacional CMS Simulaciones (avanzadas) detectores 3D Simulaciones daño por desplazamiento y dosis Desarrollo Sistema DAQ completo