Caracterización eléctrica de niveles profundos: DLTS

Presentación del tema: "Caracterización eléctrica de niveles profundos: DLTS"— Transcripción de la presentación:

1 Caracterización eléctrica de niveles profundos: DLTS
Introducción: técnicas de caracterización eléctrica Dependencia de emay vs T Cómo medir emay(T) Qué es la DLTS Espectros de DLTS Cómo medir may y emin(T) Guión Montaje experimental

2 Caracterización de centros profundos
Queremos conocer : ET, n , p , NT Técnicas de caracterización eléctrica ...“de volumen”  << NT >>, para afectar a EF a alguna T ej.: Hall ...“de zona de carga espacial” unión p-n o similar variamos Fn, Fp(VR) mayor sensibilidad  >> ej.: DLTS

3 Dependencia de en con la temperatura
en = cn·n1 = n·vth·ni·exp((ET’-Ei)/kT) = g ·n · vth ·Nc · exp(-(EC-ET)/kT) siendo vth(T) T 1/2 Nc(T) T 3/2 ni = Nc (T) ·exp((Ei-EC)/kT) en = Ar · T 2 · exp( -EA / kT) donde: Ar = cte  g·n·mn y EA = EC-ET energía de activación EC ET en EA EV

4 Cómo medir en (T) V ~ 0 W <<  C >>
niveles ocupados por mayoritarios V = -VR W >>  C << niveles aún ocupados  C(0)  emisión  C(t) =C(0)·exp(-t/) siendo -1 = en(T)

5 Espectroscopía de transitorios de niveles profundos (DLTS)
Lang, 1974 nT = nT(t1) - nT(t2) = nT(0)·(exp(-t1/) - exp(-t2/)) nT(T) es máximo cuando d(nT)/d = 0  C máx.  (Tpeak)  en-1(Tpeak) = (t1- t2)/ ln(t1/ t2)

6 Espectros de DLTS Variamos t1- t2  varía Tpeak  valor de en(Tpeak)
en /T2 vs 1/T  EA  ET Pueden aparecer varios picos  varios niveles

7 Cómo medir n Cómo medir ep(T)
Para pulsos de llenado corto  no les da tiempo a capturar  medir la altura de pico Cpeak(t) = Cpeak()·(1 - exp(- n· vth·n·t) ) Cómo medir ep(T) Llenado con corriente en directa Llenado óptico

8 Montaje experimental