1.DEFINICIÓN. 2.CLASIFICACIÓN. 3.MEDIDAS E IDENTIFICACIÓN.

Presentación del tema: "1.DEFINICIÓN. 2.CLASIFICACIÓN. 3.MEDIDAS E IDENTIFICACIÓN."— Transcripción de la presentación:

1

2 1.DEFINICIÓN. 2.CLASIFICACIÓN. 3.MEDIDAS E IDENTIFICACIÓN.

3 1. DEFINICIÓN. Electrónica.  Estudio y aplicación del comportamiento de los electrones en diversos medios materiales y vacío, sometidos a la acción de campos Eléctricos y Magnéticos.  Se suelen usar tensiones e intensidades relativamente más pequeñas que en Electricidad.

4 2.1. COMPONENTES ELECTRÓNICOS PASIVOS. 2.2. COMPONENTES ELECTRÓNICOS ACTIVOS. “ NO SE REALIZA UN CONTROL SOBRE EL SENTIDO DE LA CORRIENTE ELÉCTRICA” “SÍ SE REALIZA UN CONTROL SOBRE EL SENTIDO DE LA CORRIENTE ELÉCTRICA” 2. CLASIFICACIÓN.

5  RESISTENCIAS.  CONDENSADORES.  BOBINAS.  OTROS: Usados como sensores u osciladores.  COMPONENTES DEPENDIENTES DE LA TEMPERATURA O LA LUZ.  NTC. Coeficiente negativo de Temperatura.  PTC. Coeficiente positivo de Temperatura.  LDR. Resistencia dependiente de la Luz.  COMPONENTES PIEZOELÉCTRICOS:  RESONADORES DE CRISTAL. 2. 1. COMPONENTES ELECTRÓNICOS PASIVOS.

6 ( Son esencialmente los SEMICONDUCTORES).  DIODOS.  TRANSISTORES.  RECTIFICADOR.  ZENER.  LED.  NPN.  PNP. 2. 2. COMPONENTES ELECTRÓNICOS ACTIVOS.

7  CIRCUITOS INTEGRADOS. 2. 2. COMPONENTES ELECTRÓNICOS ACTIVOS.  LINEALES.  REGULADORES.  OPERACIONALES. SEÑAL ANALÓGICA  NO LINEALES. SEÑAL DIGITAL  PUERTAS LÓGICAS.  COMBINACIONALES.  MEMORIAS.  MICROPROCESADORES.  MICROCONTROLADORES.

8 3.MEDIDAS E IDENTIFICACIÓN. Componentes a tratar:  Resistencias.  Condensadores.  Bobinas.  Diodos.  Transistores.  Circuitos Integrados.

9 3.1.RESISTENCIAS ELÉCTRICAS.  Su valor depende de los siguientes parámetros: Material. Longitud. Sección.  Componente que ofrece una oposición al paso de la corriente eléctrica, ya sea corriente alterna o continua.  Símbolo: L R =   S   Coeficiente de Resistividad. L  Longitud. S  Sección.

10 3.1.RESISTENCIAS ELÉCTRICAS. (Continuación) V R= —— I Relación entre la d.d.p y la Intensidad.  Magnitud de medida: OHMIO.  Según la Ley de Ohm, representa: Múltiplos: Ohmio.  Kilo Ohmio K  Mega Ohmio M 

11  SERIE.  PARALELO.  MIXTO. 3.1.1. ASOCIACIONES de RESISTENCIAS. R1 x R2 Re =  R1 + R2 Re = R1 + R2 Re = Hay que analizar el circuito y aplicar relaciones serie/paralelo particulares.

12 3.1.2. CÓDIGO DE COLORES. COLORNOMBREVALOR NEGRO0 MARRÓN1 ROJO2 NARANJA3 AMARILLO4 VERDE5 AZUL6 VIOLETA7 GRIS8 BLANCO9 NADA  20% PLATA  10% ORO  5% R = a b 10 c PRIMERA CIFRA SIGNIFICATIVA (a). SEGUNDA CIFRA SIGNIFICATIVA (b). FACTOR DE MULTIPLICACIÓN (C). TOLERANCIA EN % (X). En este caso R = 6.500   5%

13 3.1.3. CLASIFICACIÓN DE LAS RESISTENCIAS.  Fijas  Variables Metálicas. Carbón. Ajustables. Potenciómetros.  Lineales Respuesta Lineal. R=Cte.  No Lineales Respuesta no Lineal. R  Cte.  Dependientes de la Temperatura  Dependientes de la Luz.  Dependientes de la Tensión. NTC y PTC LDR VDR

14 Dispositivos utilizados para el almacenamiento de cargas eléctricas. Comportamiento diferente según el tipo de corriente Alterna o Continua. Constituido por dos placas conductoras o armaduras y entre ellas un aislante o dieléctrico. Para un condensador plano: 3.2.CONDENSADORES. S C =   d   Permitividad del Medio Dieléctrico. S  Superficie de las Armaduras. d  Separación entre Armaduras.

15 3.2.CONDENSADORES. (Continuación) Magnitud de medida: FARADIO (Unidad de Capacidad Eléctrica). “Sometidas las Armaduras de un CONDENSADOR a una diferencia de potencial de 1 Voltio, estas adquieren una carga de 1 Culombio” Q C =  V C  Capacidad. Q  Carga 1 Culombio = 1 Ampere/Segundo. V  d.d.p. entre Armaduras.

16 3.2.CONDENSADORES. (Continuación) miliFaradio  mF.  10 -3 F.  0,001F. microFaradio   F.  10 -6 F.  0,000001F. nanoFaradio  nF.  10 -9 F.  0,000000001F. picoFaradio  pF.  10 -12 F.  0,000000000001F.  El FARADIO es una magnitud muy grande. Se usan Submúltiplos:  TIPOS DE CONDENSADORES: NO POLARIZADOS: SI POLARIZADOS: Independiente del sentido de la corriente. Dependientes del sentido de la corriente. “Electrolíticos y Tántalo”. “Cerámicos, Poliéster, Mica, etc”.

17  SERIE.  PARALELO.  MIXTO. 3.2.1. ASOCIACIONES de CONDENSADORES. C1 x C2 Ce =  C1 + C2 Ce = C1 + C2 Re = Hay que analizar el circuito y aplicar relaciones serie/paralelo particulares.

18 Componente formado por una serie de espiras arrolladas. Almacenan energía en forma de campo magnético. Se oponen a los cambios bruscos de corriente. –A bajas frecuencias tienen una baja resistencia o inductancia. –A altas frecuencias tienen una alta resistencia o inductancia. Unidad de medida el Henrio (H). Su valor depende de: –Número de espiras. A mayor número de vueltas mayor inductancia. –Diámetro de las espiras. A mayor diámetro mayor inductancia. –Longitud del hilo y naturaleza. –Tipo de material del núcleo. Aire, ferrita, etc. Se aplican como filtros de corriente alterna y transformadores. 3.3.INDUCTANCIAS O BOBINAS.

19 SERIE. PARALELO. MIXTO. 3.3.1. ASOCIACIONES de BOBINAS. L1 x L2 Le =  L1 + L2 Le = L1 + L2 Le = Hay que analizar el circuito y aplicar relaciones serie/paralelo particulares.

20 3.4. DIODO.  Componente formado por la unión de dos materiales semiconductores, uno tipo N y otro tipo P.P.  Entre ambas uniones se forma una barrera Z, o zona de agotamiento.  Germanio  Z = 0,3 Voltios.  Silicio  Z = 0,6 Voltios. La zona P se llama Ánodo (A). La zona N se llama Cátodo (K).

21 3.4.1. POLARIZACIÓN DIODO.  Un diodo puede funcionar de dos maneras:  POLARIZACIÓN DIRECTA.  Cuando la corriente que circula por este sigue la ruta de la flecha, es decir del ÁNODO al CÁTODO.  Se comporta como un CONTACTO CERRADO, con una caída de tensión de 0,7 Voltios.  POLARIZACIÓN INVERSA.  Cuando la corriente DESEA CIRCULAR en sentido opuesto a la flecha, es decir del CÁTODO al ÁNODO.  Se comporta como un CONTACTO ABIERTO, existiendo una tensión máxima o de ruptura.

22 3.4.2. RECTIFICADORES.  APLICACIÓN DE LOS DIODOS COMO RECTIFICADORES.  Conversión de una corriente alterna C.A. en corriente continua C.C.  Según su configuración pueden ser de media onda o de onda completa.  Media Onda. ( Un Diodo)  Onda Completa. (Puente Diodos)

23 3.5. TRANSISTOR.  Formado por la unión de tres materiales semiconductores. Según la combinación N y P hay dos tipos de transistores. Denominándose sus terminales como Base (B), Emisor (E) y Colector (C).  TRANSISTOR NPN.  TRANSISTOR PNP.  La palabra Transistor viene de Transfer Resistor o resistencia de transferencia, elemento que se comporta como una “resistencia variable” que depende de una señal eléctrica de control.

24 3.6. CIRCUITOS INTEGRADOS  Operacionales.  Reguladores y Estabilizadores.  Lineales Manejan señales ANALÓGICAS.  No Lineales  Puertas lógicas.  Combinacionales, etc. Manejan señales DIGITALES.

25 3.6.1. C.I. LINEALES.  LOS OPERACIONALES  Denominados así porque se pueden realizar varias operaciones aritméticas y de cálculo sobre voltajes analógicos.  Su función básica es amplificar la diferencia entre dos voltajes de entrada.

26 3.6.2. C.I. NO LINEALES. PUERTAS LÓGICAS.  Los circuitos integrados con puertas lógicas, se clasifican en dos familias:  CIRCUITOS TTL (Transistor – Transistor – Logic).  CIRCUITOS CMOS (Metal – Óxido). T.T.L.CMOS Tensión Alimentación+5 V.+3 a 15 V. Temperatura de trabajo0ºC a 70ºC-40ºC a +85ºC Valor Nivel AltoDe 2 a 5 V.70% V. Alim. Valor Nivel BajoDe 0 a 0,8 V.30% V. Alim. Tiempo Propagación por Puerta a +5V.10 nS.35 nS. Margen Ruido Típico0,4 V.~ 40% V. Alim.

27 3.6.3. PUERTAS LÓGICAS T.T.L.  Los más comunes utilizados son:  INVERSORES  AND  NAND  EXOR  OR  NOR

28 3.6.4. CIRCUITOS COMBINACIONALES.  Los circuitos integrados combinacionales, se forman a partir de la combinación de varias puertas lógicas. Los más destacables son:  REGISTROS DE DESPLAZAMIENTO.  CIRCUITOS FLIP – FLOP O BÁSCULAS. Aplicables a Marcha / Paro.  OSCILADORES. GENERADORES DE ONDA. TEMPORIZADORES.  CIRCUITOS CONTADORES (Decimales o Binarios).  CONVERSORES DE CÓDIGO. (De Binario a BCD, 7 Segmentos, etc.)  CONVERSORES DE SEÑAL. (A / D – D / A).

29 3.6.5. MEMORIAS.  Las memorias comprenden una serie de circuitos integrados, que tienen como objetivo almacenar datos. Se clasifican según los tipos:  ROM  Memoria de solo lectura. Grabadas en fábrica.  RAM  Memoria de lectura y escritura.  EPROM  Memoria con contenido ROM + RAM. Se borran mediante Luz Ultravioleta a través de una ventana.  EEPROM  Memoria con contenido ROM + RAM. Se borran eléctricamente. Reprogramables ~ 10 6 veces.

30 3.6.6. MICROPROCESADORES.  Los microprocesadores se caracterizan por tener una Unidad Cental de Proceso (UCP) y una Unidad Lógico Aritmética (ALU).  UCP  La Unidad de Control interpreta unas instrucciones desde un BUS de Direcciones y las ejecuta desde un BUS de Datos.  ALU  Encargada de realizar procesos matemáticos, como sumar Bytes, rotarlos, desplazarlos, etc.  Los microprocesadores están constituidos por millares de transistores en un chip y realizan una determinada función de los computadores electrónicos digitales.  Chip con 100 millones de transistores.

31 3.6.7. MICROCONTROLADORES.  Los microcontroladores se caracterizan por tener en su interior el Microprocesador y la Memoria.  Son, los más habituales, reprogramables electricamente (EEPROM).  Es un computador completo, de limitadas prestaciones, que está contenido en un chip, y que se destina a gobernar una sola tarea. PERIFÉRICOS