Memoria Principal. Memoria primaria (MP), memoria principal, memoria central o memoria interna es la memoria de la computadora donde se almacenan temporalmente.

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1 Memoria Principal

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3 Memoria primaria (MP), memoria principal, memoria central o memoria interna es la memoria de la computadora donde se almacenan temporalmente tanto los datos como los programas que la unidad central de procesamiento (CPU) está procesando o va a procesar en un determinado momento. Por su función, la MP debe ser inseparable del microprocesador o CPU, con quien se comunica a través del bus de datos y el bus de direcciones. El ancho del bus determina la capacidad que posea el microprocesador para el direccionamiento de direcciones en memoria.

4 Memoria Principal La MP es el núcleo del subsistema de memoria de un sistema informático. Posee una menor capacidad de almacenamiento que la memoria secundaria, pero una velocidad millones de veces superior. Desde los años 1980 es prevalentemente una unidad dividida en celdas que se identifican mediante una dirección. Está formada por bloques de circuitos integrados o chips capaces de almacenar, retener o "memorizar" información digital.

5 Memoria Principal-(ROM) ROM (Read Only Memory). -PROM( Programmable Read Only memory). -EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory). -EEPROM( Electrically Erasable Programmable Read Only Memory). EAROM La memoria flash

6 Memoria ROM( Read Only Memory ) Se trata de una memoria que usan los equipos electrónicos, como es el caso de las computadoras y dispositivos electronicos. Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera rápida o fácil. Se utiliza principalmente para contener el firmware u otro contenido vital para el funcionamiento del dispositivo.

7 PROM (memoria de solo lectura programable) por las siglas de Programmable Read Only memory, en castellano ROM programable. se caracteriza por ser digital. En ella, cada uno de los bits depende de un fusible, el cual puede ser quemado una única vez. pueden ser escritas o programadas a través de un dispositivo especial llamado un programador PROM. Normalmente, este dispositivo utiliza alto voltaje para destruir o crear permanentemente enlaces internos (fusibles o antifusibles) dentro del chip. En consecuencia, una PROM sólo puede programarse una vez.

8 EPROM (memoria de solo lectura programable Borrable ) Por las siglas en inglés de Erasable Programmable Read-Only Memory. Puede ser borrada por la exposición a una fuerte luz ultravioleta (en general durante 10 minutos o más). Se reescribe otra vez con un proceso que necesita un voltaje más alto que el habitual aplicado. Resistencia de la mayoría de los chips EPROM excede 1.000 ciclos de borrado y reprogramación. Después de la programación, la ventana se cubre normalmente con una etiqueta para evitar el borrado accidental.

9 EEPROM (ROM programable y borrable eléctricamente) EEPROM: por las siglas en inglés de Electrically Erasable Programmable Read Only Memory. Esta memoria, como su nombre indica puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente. Escribir o flashear una EEPROM es mucho más lento (milisegundos por bit) que leer de una ROM o escribir a una RAM (nanosegundos en ambos casos). Existen diferentes tipos de EEPROM: (EAROM) La memoria de sólo lectura eléctricamente alterable. La memoria flash.

10 EAROM( La memoria de sólo lectura eléctricamente alterable ) es un tipo de EEPROM que se puede modificar un bit cada vez. La escritura es un proceso muy lento y necesita de nuevo un voltaje más alto (generalmente alrededor de 12 V) del que se utiliza para el acceso de lectura. EAROMs están destinados para aplicaciones que requieren reescritura poco frecuente y sólo parcial. Puede ser utilizado como almacenamiento no volátil para obtener información de configuración del sistema crítico. En muchas aplicaciones, EAROM ha sido suplantada por la RAM CMOS suministrada por la red eléctrica y apoyada con una batería de litio.

11 Memoria Flash Es un tipo moderno de EEPROM inventado en 1984. La memoria flash se puede borrar y volver a escribir más rápidamente que la EEPROM ordinaria, y los nuevos diseños cuentan con muy alta resistencia (superior a 1.000.000 de ciclos). La Flash NAND moderna hace uso eficiente de área de chip de silicio, lo que resulta en circuitos integrados individuales con una capacidad de hasta 32 GB a partir de 2007. Esta característica, junto con su resistencia y durabilidad física, ha permitido la flash NAND reemplazar magnético en algunas aplicaciones (como las unidades flash USB). La memoria flash es a veces llamado flash ROM o Flash EEPROM cuando se usa como un reemplazo para los tipos de ROM viejos, pero no en aplicaciones que aprovechan su capacidad de ser modificado rápidamente y con frecuencia.