Transistors nMOS i pMOS: Caracterització i porta NOT

Presentación del tema: "Transistors nMOS i pMOS: Caracterització i porta NOT"— Transcripción de la presentación:

1 Transistors nMOS i pMOS: Caracterització i porta NOT
© 2014 Quim Trullàs Aquestes transparències es poden utilitzar amb fins educatius no comercials, sempre que s'indiqui l'autoria These transparencies may be used for educational non-commercial purposes so long as the source is attributed

2 Característiques dels nMOS d'enriquiment
ID VDS  0 VGS Característiques dels nMOS d'enriquiment Per a cada valor de VGS hi ha una corba característica ID(VDS) VDS ID òhmica saturació VGS > VT circula ID si VDS  0 Paràmetres característics dels nMOS tall VGS < VT ID = 0 VT  Threshold Voltage (tensió llindar) (VGS  VT)   Constant característica VGT Si VGS < VT tall ID = 0 Si VGS  VT i VDS > VGT saturació o VDS  VGT òhmica VT

3 Per a cada valor de VGS hi ha una corba característica ID(VDS)
VGS  VDD RD VDD VDS VGS ID VDD VDD /RD punts de treball VDD /RD VDS = VDD  RD ID RD més gran Recta de càrrega Corba de transferència VDS(VGS) VDD VGS =Vin VDS = Vout VT VDD nMOS Inversor nMOS (porta NOT): Vin = (tall) Vout = VDD Vin = VDD (òhmica) Vout  0 tall sat òhmica

4 A la pràctica veureu que VDS(VGS) és Si a l'inversor nMOS
substituïm RD per un pMOS, tenim un inversor CMOS amb Vout(Vin) VGS VDS VDD VT VDD Vin Vout nMOS pMOS Vout Vin tall òhmica sat VGS = 0 VDS =VDD VGS = VDD VDS > 0 VGS =Vin VDS = Vout VDD nMOS Inversor nMOS (porta NOT): Vin = (tall) Vout = VDD Vin = VDD (òhmica) Vout  0 tall RD sat òhmica VDD VT