El MOSFET. polarización y Análisis DC

Presentación del tema: "El MOSFET. polarización y Análisis DC"— Transcripción de la presentación:

1 El MOSFET. polarización y Análisis DC
El MOSFET * polarización y Análisis DC * introducción al Diseño de Circuitos Integrados Prof. Gustavo Patiño. M.Sc. Ph.D MJ

2 Polarización de Amplificadores MOS en CIRCUITOS INTEGRADOS
Fig Basic MOSFET current mirror. Electrónica Analógica I. Facultad de Ingeniería. Universidad de Antioquia

3 Característica de salida de la fuente de corriente
Fig Output characteristic of the current source in Fig and the current mirror of Fig for the case Q2 is matched to Q1. Electrónica Analógica I. Facultad de Ingeniería. Universidad de Antioquia

4 Circuitos de mando de corriente
Circuito CMOS de control de corriente Electrónica Analógica I. Facultad de Ingeniería. Universidad de Antioquia

5 Circuitos de mando de corriente (..cont)
Tomado de la sección del libro de Sedra/Smith, Cuarta Edición.

6 Amplificador MOSFET Circuito conceptual
En la práctica, no se utiliza la polarización del MOSFET con una fuente separada VGS. En lugar de la resistencia RD se suelen utilizar transistores MOS como dispositivos de carga. Fig Conceptual circuit utilized to study the operation of the MOSFET as an amplifier.

7 Cargas pasivas y cargas activas
En Q1, VGD1=0 VGS1 = VDS1 En Q3 y Q2 VGD3=0  VGS3 = VDS3= VGS2

8 Señal de corriente en el Drain
Condición de pequeña señal Transconductancia del MOSFET Electrónica Analógica I. Facultad de Ingeniería. Universidad de Antioquia

9 Operación de pequeña señal
Fig Small-signal operation of the enhancement MOSFET amplifier.

10 Ganancia de voltaje: Fig Total instantaneous voltages vGS and vD for the circuit in Fig

11 Modelos de circuito equivalente de pequeña señal
En ambos casos las resistencia de entrada es muy alta, idealmente infinita OJO: Tanto gm como ro dependen del punto de operación. Fig Small-signal models for the MOSFET: (a) neglecting the dependence of iD on vDS in saturation (channel-length modulation effect); and (b) including the effect of channel-length modulation modeled by output resistance ro = |VA|/ID.

12 La Transconductancia gm
Para obtener una transconductancia relativamente grande, el dispositivo debe ser corto (bajo L) y ancho (grande W). Usando la expresión para corriente DC en región de saturación: Comparando con el BJT, la transconductancia de éste no depende de la geometría del transistor y es proporcional a la corriente de polarización.

13 El modelo T de circuito equivalente
Fig the T model of the MOSFET augmented with the drain-to-source resistance ro. Electrónica Analógica I. Facultad de Ingeniería. Universidad de Antioquia

14 MOSFET de enriquecimiento El Efecto Body
Prof. Gustavo Patiño. M.Sc. Ph.D MJ

15 El role del substrato - El efecto body
En muchas aplicaciones la terminal Body es conectada a la terminal Source. En circuitos integrados, el substrato generalmente es común a muchos transistores MOS. El substrato es generalmente conectado al voltaje más negativo en un circuito NMOS y al voltaje más positivo en un circuito PMOS. VSB tiene efecto en la operación del circuito. El voltaje inverso de polarización extiende la región de agotamiento.

16 El role del substrato- El efecto body (…cont)
El body actúa como otra terminal gate que también controla la corriente de drain en el MOSFET. Parámetro del efecto del Body

17 Modelo del efecto Body

18 Aporte del estudiante Para el estudiante:
En tu tiempo extra-clase, de qué manera puedes complementar el contenido dado en esta clase ? Qué información adicional complementa y ayuda a comprender mejor el contenido de estas diapositivas ? Qué preguntas te surgen de esta clase? Qué respuestas le das a dichas preguntas? Busca más bibliografía e información adicional que complemente tus respuestas y el contenido de esta clase. Consulta oportunamente al profesor del curso para complementar tus respuestas y resolver tus dudas restantes. Electrónica Analógica I. Facultad de Ingeniería. Universidad de Antioquia