Memoria y Entrada/Salida Tecnología – Organización - Expansión

Presentación del tema: "Memoria y Entrada/Salida Tecnología – Organización - Expansión"— Transcripción de la presentación:

1 Memoria y Entrada/Salida Tecnología – Organización - Expansión
Universidad Simón Bolívar Departamento de Electrónica y Circuitos EC2721 – Arquitectura del Computador I Prof. Osberth De Castro Clase 05 Memoria y Entrada/Salida Tecnología – Organización - Expansión La memoria como componente del Computador Tecnología de Almacenamiento Organización interna y Externa. Conexionado y Expansión Temporización. Entrada/Salida como componente del Computador Organización y estructura básica E/S Mapeada en Memoria y Aislada Dispositivos programables de E/S Entrada / Salida Programada, por interrupción y DMA. Basado en A. Tanenbaum, S.C.O., 5th Edition, William Stallings, C.O.A., 7ª Ed. y Barry B. Brey, Microprocesadores Intel, 5ta Ed.

2 Carácterísticas de la Memoria en un Computador
Lo que se quiere: Gran Velocidad de Acceso Gran Capacidad Flexibilidad de Expansión Limitaciones: Costo por bit Complejidad en la organización para el acceso Compatibilidad. Universidad Simón Bolívar

3 Vision general de la memoria de Acceso Aleatorio
Procesador Memoria Dirección Datos Control Universidad Simón Bolívar

4 Memoria como dispositivo de capacidad 2n x p bits
Dirección A0 D0 Datos A2 D2 . . . . . . . . . Dp-1 Dp An-1 An Lineas de Control CS OE WE Habilitación del chip Habilitación salida de datos Orden de Escritura Universidad Simón Bolívar

5 Memoria de Acceso Aleatorio de 2n x p
CONTROL bitp bitp-1 bit1 bit0 A0 a An Decodificacion de Localidad Celda Celda Celda Celda Localidad0 . . . Celda Celda Celda Celda . . . Localidad1 DIRECCION . . . . . . Celda Celda Celda Celda Dp a D0 . . . Localidad2n-1 Celda Celda Celda Celda . . . Localidad2n DATOS Universidad Simón Bolívar

6 Tecnologías de Memoria
Categoría Tipo Mecanismo de Borrado Mecanismo de escritura Volatilidad Lectura-Escritura RAM Eléctrico a nivel de byte Eléctrico volátil Sólo lectura ROM Imposible Máscara en construcción No volátil PROM Lectura-escritura EPROM Luz Ultravioleta (nivel de chip) EEPROM FLASH Eléctrico a nivel de bloque. Universidad Simón Bolívar

7 Organización de la Memoria. El bit
RAM DINAMICA RAM ESTATICA Universidad Simón Bolívar

8 Organización de la Memoria. El bit
RAM DINAMICA Almacena como carga de capacitor Los capacitores se descargan. Necesita refrescamiento. Construcción simple. Celdas mas pequeñas. Mas barata. Mas lenta. Uso en arreglos grandes y lentos (Memoria Principal). Es básicamente analógica RAM ESTATICA Almacena como valor digital en flip-flops. No sufre descargas. No necesita refrescamiento. Construcción Compleja. Celdas mas grandes. Mas Costosa. Mas Rápida. Uso en arreglos mas pequeños y rápidos (Memoria Caché). Circuito Digital. Universidad Simón Bolívar

9 RAM Estática 6116: 16 Kbits (2Kbytes x 8 bits)
Universidad Simón Bolívar

10 Temporización de Lectura (ejemplo con RAM 6116)
Ciclo general Ciclo general Ciclo simple si CS está habilitado permanentemente Ciclo simple si la dirección ya se ha establacido previamente. Universidad Simón Bolívar

11 Temporización de Escritura (ejemplo con RAM 6116)
Ciclo general con WE definiendo el momento de la escritura. Ciclo general con CS definiendo el momento de la escritura. Universidad Simón Bolívar

12 Universidad Simón Bolívar
Memoria del MC68HC908GP32 CPU Memoria RAM Datos y Variables de ejecución Direcciones Datos y Control Memoria FLASH Programa Configuración Datos semipermanentes Universidad Simón Bolívar

13 Arreglos y expansión de Memoria
Sistemas de memoria usando múltiples chips de Memoria para aumentar su capacidad. Expansión del número de datos disponible Se dispone de mas capacidad de memoria para datos o programa. Varios integrados almacenan espacios de direcciones diferentes. Se debe decodificar el espacio de direcciones para habilitar/dehabilitar integrados cada vez que se hace un acceso. Expansión del ancho de los datos Se pueden leer o escribir palabras mas grandes ( multiples bytes ) en un solo ciclo de acceso. Un dato está formado por varias localidades de distintos integrados, que comparten la misma dirección interna. Universidad Simón Bolívar

14 Arreglos y expansión de Memoria
Espansión en Direcciones Espansión en Ancho de Dato b7 b0 b31 b24 b23 b16 b15 b8 b7 b0 0000 Integrado(0) 0000 Integrado(3) Integrado(2) Integrado(1) Integrado(0) 0011 0011 0100 Integrado(1) 0111 1000 Integrado(2) 1011 1100 Integrado(3) 1111 Universidad Simón Bolívar

15 Expansión en Direcciones a 4k x 8 con Memorias 6116 de 2k x 8
D0 – D7 A0 – A12 A0 – A10 A0 D0 ... ... ... ... A11 – A12 A10 D7 A Y0 WE B Y1 OE 6116(0) Y2 CS CONTROL G Y3 A0 D0 74LS139 ... ... ... ... WR OE A10 D7 A CS de 6116(3) WE La capacidad total direccionable es de 4K x 8. Direcciones de 0x000 a 0x1FFF, donde: 6116(0) almacenará las direcciones de 0x0000 a 0x07FF. 6116(1) almacenará las direcciones de 0x0800 a 0x0FFF. 6116(2) almacenará las direcciones de 0x1000 a 0x17FF. 6116(3) almacenará las direcciones de 0x1800 a 0x1FFF. OE 6116(1) CS A0 D0 ... ... ... ... A10 D7 WE OE 6116(2) Universidad Simón Bolívar CS ...

16 Expansion en Ancho de dato a 2k x 32 con 6116 de 2k x 8
D0 – D31 A0 – A10 A0 – A10 A0 – A10 A0 – A10 A0 D0 D24 – D31 A0 A0 – A10 D0 D16 – D23 A0 D0 D8 – D15 A0 D0 ... D0 – D7 ... ... ... ... ... ... ... A10 D7 A10 D7 A10 D7 A10 D7 WE WE WE WE OE 6116(3) OE 6116(2) OE 6116(1) OE 6116(0) CS CS CS CS WR OE CS Universidad Simón Bolívar

17 Ejemplo de Conexionado INTEL
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18 Memorias y arreglos complejos
Para arreglos grandes de Memoria Principal se usa RAM Dinámica (DRAM). Tipos: EDO – RAM: Usa Latches para guardar información cercana a la lectura actual (típicamente 256 bits), eliminando esperas en accesos secuenciales. SDRAM: DRAM síncrona. Trabaja con una señal de reloj permitiendo transferencias de bloques de datos, típicamente de 32 bytes. Cada lectura de DRAM equivale a 3 ciclos de reloj (típico). 32 lecturas secuenciales en DRAM tardan 32 x 3 = 46 ciclos. 32 lecturas secuenciales en SDRAM tardan 3 + (1 x 32 ) = 36 ciclos. DDR-SDRAM: DRAM síncrona de tasa Dual de Datos (Dual Data rate): igual que la SDRAM, pero permite accesos en ambos flancos del reloj (subida y bajada). Universidad Simón Bolívar

19 Memorias Complejas: DDR-SDRAM Micron MT46V de 512 Mbits
Universidad Simón Bolívar

20 Memorias Complejas: DDR-SDRAM Micron MT46V de 512 Mbits
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21 Universidad Simón Bolívar
Arreglos : DIMM MT18VDDF12872 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 La versión de 1Gbyte consiste en 18 Integrados MT46V, c/u de 128M x 4, mas circuitos de soporte de Reloj, Registros y otros. 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 Universidad Simón Bolívar

22 Universidad Simón Bolívar
Entrada y Salida La Entrada y Salida es necesaria para la interacción con el exterior: Procesador ↔ Usuario Humano (Teclados, visualizadores, actuadores, etc.) Procesador ↔ Otros equipos (Otros Computadores, Impresoras, Almacenamiento externo, etc.). Computador Procesador Dirección Memoria Datos Control Dispositivo o equipo externo Monitor Teclado Impresora Otro Computador Actuador Industrial Sensores Mecanismo de acceso interno Dispositivos de Entrada / Salida (periférico) Interconexión a dispositivo externo Universidad Simón Bolívar

23 Entrada / Salida Mapeada en Memoria
0000 Memoria RAM Comparte el Espacio de direcciones de la memoria. No hay instrucciones especiales para acceder a la Entrada / Salida, ni lineas. Una instrucción de E/S podría ser: mov 0x005 → 0x101 ; Salida mov 0x102 → 0x005 ; Entrada Se minimiza la circuitería extra para la señalización de Entrada / Salida. Ejemplo: MC68HC908GP32 0011 0100 Entrada / Salida 0111 1000 Memoria RAM 1111 Universidad Simón Bolívar

24 Entrada / Salida Aislada
0000 Memoria RAM 000 Entrada / Salida Espacio de direcciones especial. Instrucciones especiales. Una instrucción de E/S podría ser: OUT 0x005 → 0x005 ; Salida IN 0x006 → 0x006 ; Entrada Se deben usar señales especiales de control (no las de memoria) activadas por las instrucciones. Ejemplo: Procesadores INTEL X86 111 1111 Universidad Simón Bolívar

25 Entrada / Salida mapeada: Implementación Básica.
D0 a D7 Procesador que direcciona 32 bytes (25) 74LS244 1Y1 1A1 A0 A0 D0 A1 D1 1Y2 1A2 A1 1Y3 1A3 A2 A2 D2 Memoria 16x8 1Y4 1A4 A3 A3 D3 Buffer de 3 estados A4 D4 2Y1 2A1 2Y2 2A2 WE D5 2Y3 2A3 OE D6 2Y4 2A4 CS D7 2G 1G Puerto (0) A Y0 Puerto (1) B Y1 74LS374 Puerto (2) Y2 D0 Q0 Puerto (3) D1 Q1 G Y3 D2 Q2 D3 Q3 74LS139 D4 Q4 Biestable Direccionamiento: a 11111 Memoria RAM: a (16 bytes) Entrada/Salida: a (4 E/S) Indefinida en circuito: a 11111 El puerto(0) es entrada y tiene dirección 10000 El puerto(1) es salida y tiene dirección D5 Q5 D6 Q6 D7 Q7 OC CLK GND Universidad Simón Bolívar

26 Entrada / Salida Aislada: Implementación Básica.
D0 a D7 Procesador que direcciona 16 bytes (25) 74LS244 1Y1 1A1 A0 A0 D0 A1 D1 1Y2 1A2 A1 1Y3 1A3 A2 A2 D2 Memoria 16x8 Buffer de 3 estados 1Y4 1A4 A3 A3 D3 D4 2Y1 2A1 2Y2 2A2 WE D5 2Y3 2A3 OE D6 2Y4 2A4 CS D7 2G 1G Puerto (0) A Y0 Puerto (1) 74LS374 IO / M B Y1 Puerto (2) Y2 D0 Q0 Puerto (3) D1 Q1 G Y3 D2 Q2 D3 Q3 74LS139 D4 Q4 Biestable Direccionamiento: 0000 a 1111 Memoria RAM: a 1111 (16 bytes) Entrada/Salida: 0000 a 0011 (4 puertos) Indefinida en circuito: 0100 a 1111 El Puerto(0) es entrada y tiene dirección 0000 El Puerto(1) es salida y tiene dirección 0001 . . . D5 Q5 D6 Q6 D7 Q7 OC CLK GND Universidad Simón Bolívar

27 Entrada / Salida: Módulos Programables
Permiten flexibilizar la programación en el uso de E/S. Circuitos menos discretos. Un solo integrado puede cumplir multiples funciones programables. Se construyen directamente adaptados al conexionado de buses del computador. Ejemplos: Interfaz de periféricos 82C55A. Controlador de Interrupciones 82C59A. Interfaz de teclado/pantalla 8279 Temporizador programable 8254 Módulos periféricos del MC68HC908GP32. Universidad Simón Bolívar

28 Entrada/Salida: Dispositivos programables
Conexionado Organización Interna general Universidad Simón Bolívar

29 Dispositivos de E/S programables: 82C55A
Universidad Simón Bolívar

30 Entrada / Salida: programación
Entrada / Salida Programada El programa en el procesador se encarga de todas las tareas de E/S. El programa explícitamente transfiere los datos, configura los dispositivos, y les pregunta periódicamente por el estado y datos de los mismos. Desvantajoso dado que el procesador es mucho mas veloz que los dispositivos de E/S, de modo que la espera por programa representa ineficiciencia. Entrada / Salida por interrupción El programa sólo configura el dispositivo de E/S y transfiere datos E/S a registros o Memoria, pero no pregunta por la operación del mismo, pues le será avisado por medio de una interrupción. Los dispositivos de E/S generan interrupciones una vez que tienen datos listos para el programa ó han culminado una operación ordenada por el programa. Entrada / Salida por Acceso Directo Memoria (DMA) El programa sólo realiza configuraciones y da órdenes de E/S. No se encarga de la transferencia de datos E/S  Memoria. De esta transferencia se encargan dispositivos especiales llamados Controladores de DMA, como el 8237A de Intel. Universidad Simón Bolívar

31 Entrada/Salida: programación
E/S Programada E/S por interrupción E/S por DMA Universidad Simón Bolívar

32 Entrada/Salida: programación
Universidad Simón Bolívar

33 Entrada/Salida por interrupciones
Ejemplo de uso del 82C55A para E/S para el uso con un programa con E/S por interrupciones. Universidad Simón Bolívar

34 Entrada/Salida por Interrupciones
Memoria Principal Universidad Simón Bolívar

35 Entrada/Salida usando DMA
Universidad Simón Bolívar

36 Entrada/Salida usando DMA
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