OSCILADOR DE GUNN KAROL BOHORQUEZ V. JUAN CAMILO ROCHA.

Presentación del tema: "OSCILADOR DE GUNN KAROL BOHORQUEZ V. JUAN CAMILO ROCHA."— Transcripción de la presentación:

1 OSCILADOR DE GUNN KAROL BOHORQUEZ V. JUAN CAMILO ROCHA.

2  Trazar las curvas características de corriente y de potencia en función del voltaje de un oscilador de Gunn  Saber como obtener la potencia de una microonda por medio de los equipos de manipulación.  Revisar la potencia de la microonda de forma práctica y teórica con las respectivas formulas.

3 Alimentación para oscilador de gunn. Oscilador de gunn. Soporte de termistor. Vatímetro.

4

5

6 1)Nos aseguramos de que todos los interruptores de potencia estén en la posición de apagado (O) y colocamos los módulos como se muestra en la figura 3-3

7 2) Consultamos la figura 3-4 y realizamos la instalación como se ilustra. Antes de conectar el soporte de termistor en la instalación, desenroscamos los tornillos de adaptación para que no penetren en la guía de ondas.

8 3) Realizamos los siguientes ajustes en el oscilador de Gunn: 4) Encendemos el módulo de alimentación para el oscilador de Gunn y el vatímetro y en éste seleccionamos la GAMA de 10 mW. Esperamos aproximadamente dos minutos para que los módulos se estabilicen. Utilizamos las perillas de AJUSTE DEL CERO para ajustar el Vatímetro en 0 mW 5) Ajustamos el voltaje de alimentación del oscilador de Gunn en 8,5 V

9 6) Ajustamos el cortocircuito móvil y los tornillos de adaptación del soporte de termistor para que la lectura de potencia en el vatímetro sea máxima

10 7) Ajustamos el voltaje de alimentación del oscilador de Gunn en 0 V En el vatímetro, seleccionamos la GAMA de 3 mW. Esperamos aproximadamente dos minutos para el que vatímetro se estabilice y ajuste el cero 8) Para cada valor de voltaje dado en la Tabla 3-1, realizamos lo siguiente: a) Seleccionamos la ESCALA DEL MEDIDOR 10 V y ajustamos la perilla VOLTAJE con el valor requerido. b) Seleccionamos la ESCALA DEL MEDIDOR 250 mA y medimos la corriente I tomada por el oscilador de Gunn

11 c) Medimos la potencia de RF absorbida por el termistor d) Multiplicamos la lectura del vatímetro por 4 para obtener la potencia entregada por el oscilador de Gunn. Esto es necesario para corregir la pérdida de potencia en el atenuador fijo de 6dB e) Utilizamos la ecuación 3-1 para calcular la eficiencia n del oscilador de Gunn.

12 voltaje corriente suministrada lectura medidor de potencia potencia entregadaEficiencia VIPreadPon VmAmW % 00000 0,525000 150000 1,575000 295000 2,5120000 3125000 3,5125000 4120000 4,5118000 5110000 5,5110000 61201,425,680,788888889 6,51152,078,281,107692308 71152,68410,7361,333664596 7,51103,212,81,551515152 81104,0316,121,831818182 8,51104,2917,161,835294118 91104,4217,681,785858586 9,51104,4817,921,714832536 101104,6618,641,694545455

13 9) A partir de los resultados obtenidos en la tabla 3-1, trazamos, en la figura 3-5, la curva de corriente en función de voltaje del oscilador de Gunn

14 10) A partir de los resultados obtenidos en el numeral 8, trazamos, en la figura 3-6 la curva de la potencia entregada en función del voltaje suministrado al oscilador de Gunn

15

16 11) Llevamos la perilla de control de VOLTAJE del módulo alimentación para oscilador de Gunn a su posición MIN. Colocamos todos los interruptores de alimentación en la posición 0 (apagado), desarmamos la instalación y guardamos todos los componentes en su sitio.

17

18 1. ¿Cuáles son los componentes principales de un oscilador de gunn? Respuesta: Los componentes principales de un oscilador de gunn son una cavidad resonante y un diodo gunn. 2. ¿En qué materiales es posible obtener el efecto gunn? Respuesta: El efecto gunn solo es posible en algunos materiales semiconductores tipo n, arseniuro de galio (gaas), el fosfato de indio (inp), el teluridio de cadmio (cdte) y arseniuro de indio (inas). Gaas es el comúnmente más utilizado.

19 3. Describa el fenómeno que da origen a la resistencia dinámica negativa en un cristal semiconductor Respuesta: La resistencia negativa surge cuando la intensidad del campo eléctrico en el material semiconductor alcanza alrededor de 3.3kv/cm. con esta intensidad de campo los electrones se transfieren a una banda de conducción de más energía y menor movilidad. La movilidad reducida ocasiona una disminución en la corriente a lo largo del semiconductor. Se dice entonces, que el semiconductor exhibe resistencia negativa. 4. ¿Qué determina la frecuencia exacta del oscilador de gunn? Respuesta: La frecuencia exacta del oscilador está determinada por la cavidad resonante que está conectada al diodo gunn.

20

21 Al comparar los datos teóricos con los prácticos, nos damos cuenta que:  Hay una gran exactitud en la comparación de los medidos con los teóricos.  Se puede evidenciar la funcionalidad de cada material utilizado en el laboratorio.  Hemos aprendido los componentes principales y la funcionabilidad del oscilador de Gunn.

22  Se familiarizo con la operación y funcionamiento del oscilador de diodo Gunn.  En este tipo de osciladores, podemos constatar que aparece una región de resistencia negativa.  Pudimos medir la potencia de salida del oscilador Gunn, y de acuerdo a esto pudimos medir su eficiencia.

23

24