Unidad de transferencia de memoria Es el número de bits que se leen o se escriben en la memoria a la vez.

Memorias internas Se refiere al número de líneas de E/S de datos del módulo de memoria, generalmente es igual a la longitud de palabra.

Memoria externa Se refiere a las unidades más grandes, que se denominan bloques.

Unidades direccionables En algunos sistemas es la palabra. La relación entre la longitud A de una dirección y el número N de unidades direccionables es 2A = N.

Memoria caché Es un espacio especial de almacenamiento, con menor capacidad y con mayor velocidad que la memoria principal, se usa para guardar una copia de las instrucciones y datos de la memoria principal que el procesador va a necesitar, у que obtiene automáticamente de la memoria principal.

Organización y características de rendimiento de memoria principal: latency, cycletime, bandwidth e interleaving El tiempo de acceso llamado latencia: En la memoria de acceso aleatorio es el tiempo en el que se realiza una lectura o escritura. En las memorias de otro tipo es el tiempo en situar el mecanismo de E/L en la posición deseada.

tiempo de ciclo de memoria Se aplica principalmente a las memorias de acceso aleatorio, se refiere a la suma del tiempo de acceso más el tiempo que se requiere para poder iniciarse un segundo de acceso a memoria.

velocidad de transferencia Se refiere a la velocidad en la que se pueden transferir datos a una unidad de memoria. Para las memorias de acceso aleatorio la velocidad de transferencia es el inverso del tiempo de ciclo.

Memoria RAM (Random Access Memory) Es conocida como memoria principal, es volátil; esto significa que la información aquí almacenada se pierde al desconectarle la energía.

Tipos de memoria RAM Dram Características Alta densidad Bajo consumo de energía Económica Lenta Dinámica: Necesita ser “refrescada” regularmente (1-2% de ciclos) Como memoria principal. La memoria DRAM debe actualizarse constantemente con pulsos de electricidad, para que los datos permanezcan almacenados dentro del chip.

SRAM Características: Baja densidad Alto consumo de energía Cara Rápida Estática: el contenido durará mientras esté alimentada

MEMORIA FLASH Se le da ese nombre por la similitud a la velocidad a la cual puede ser reprogramada. Podemos decir que se ubica entre la EPROM y la EEPROM en cuanto a su costo y su funcionalidad. Se tiene que es más rápida que la EPROM, su operación de borrado se hace por bloques específicos de memoria, no así a nivel de bytes y el almacenamiento alto como las EPROM.

MEMORIA ROM : TIPOS PROM (ROM Programable) Son no volátiles y se puede escribir en ella una sola vez.  La escritura se realiza eléctricamente, es realizado por el proveedor o por el cliente cuando él lo requiere. Se caracterizan por ser solo de lectura

EPROM (Memoria de solo lectura programable y que se puede borrar) para poder escribir en ella, se debe borrar el contenido, dejándolo como su estado inicial. 

EEPROM (Memoria de solo lectura programable y que se puede borrar eléctricamente):  Se pueden hacer operaciones de escritura sin borrar contenido existente, únicamente los bytes direccionados son actualizados. El tiempo de la operación de escritura es mayor que el tiempo de la operación de lectura, esto es se tarda más en escribir que en leer el contenido de la memoria. Es una memoria no volátil.

El proceso que siguen los datos, desde que el usuario teclea letras, números y caracteres especiales, hasta que los presenta en pantalla.

Los datos que se teclearon.

La manera en que se convierten los datos en: códigos ASCII, dígitos binarios, hexadecimales, decimales u octales.

Forma en que viaja los datos por el sistema de buses.

Periféricos por los que se envía o recibe información y lugar donde se almacena.