Las memorias MRAM (Magnetic Random Access Memory), tienen su origen conceptual en las antiguas memorias de ferrita.

Su funcionamiento se basa en almacenar información en pequeñas celdas de material magnético mediante la creación de un pequeño campo magnético que permite modificar el estado de la célula, algo parecido al funcionamiento de un disco duro pero sin partes móviles y con densidades de grabación mucho más elevadas

Esquema simplificado de una celda MRAM.

Con respecto a esto último, hay o había un grave inconveniente, y es que al grabar una celda, el campo magnético puede afectar a las contiguas, alterando su información, pero al parecer, Toshiba, que es uno de los fabricantes que trabaja en su desarrollo, ha encontrado la manera de aislar magnéticamente las celdas, con lo que el problema desaparece.

Las ventajas de este tipo de memorias son fundamentalmente, además de ser no volátiles, que son seis veces más rápidas que las actuales, pero sobre todo su consumo eléctrico, ya que además de necesitar muy poca energía para la grabación/lectura, no necesitan refresco de datos. Su duración es en principio ilimitada.

Las memorias MRAM almacenan los contenidos bajo soporte magnético, evitando el constante consumo eléctrico de las convencionales y facilitando el arranque instantáneo de los ordenadores.

De manera similar a los discos duros convencionales, las memorias MRAMs (Magnetic Random Access Memory), son magnéticas, de acceso aleatorio, y que emplean cargas magnéticas para almacenar el estado de los bits de memoria.

La memoria no necesita ser constantemente refrescada y su contenido permanece inalterado al apagar los ordenadores, lo que facilitará la construcción de nuevos ordenadores de arranque instantáneo. Por otro lado la MRAM es hasta seis veces más rápida que la RAM estática de hoy en día y puede alcanzar una densidad de grabación sin precedentes

La memoria MRAM es bastante parecida en sus aspectos físicos aunque no suele necesitar de un transistor para la operación de escritura. Sin embargo, tiene el problema de la interferencia en escritura (half select) que limita el tamaño de las celdas a 180 nm o más. Las variantes que utilizan toggling pueden escalar hasta cerca de 90 nm, [2] el mismo tamaño que las memorias DRAM actuales [2]