Alumno: Andrés Rey Caballero Mayo, 2015

Presentación del tema: "Alumno: Andrés Rey Caballero Mayo, 2015"— Transcripción de la presentación:

1 Alumno: Andrés Rey Caballero Mayo, 2015
Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física   Asignatura Física de Semiconductores     Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si   Profesor: Jaime Villalobos Velasco Alumno: Andrés Rey Caballero Mayo, 2015

2 a) Método Czochralski o Pulling.
    El método consiste en la formación de un cristal en forma de varilla de material muy puro, por contacto con un baño de mezcla fundida en un crisol de platino, iridio, cerámica o grafito. La "varilla", cuyo extremo, en el que se coloca una semilla de cristalización, se encuentra en contacto con el baño, se hace girar y ascender lentamente, produciéndose un monocristal en forma de barra y quedando las impurezas en el baño. Se utiliza una atmósfera oxidante.     En la figura siguiente se muestra el esquema del método Czochralski así como el del método Kyropoulos, una variante del anterior.[1]

3 b) crecimiento de materiales compuestos. Técnica LEC
b) crecimiento de materiales compuestos. Técnica LEC. Método de Bridgman Los materiales iniciales para la obtención de arseniuro de Galio (GaAs) son los elementos puros arsénico y galio. Estos elementos se utilizan para sintetizar GaAs policristalino. Al ser el arseniuro de galio una combinación de dos materiales, su comportamiento es muy diferente al del silicio. La figura siguiente muestra el diagrama de fases del sistema galio-arsénico[2].

4 c) Crecimientos epitaxiales
No he querido desaprovechar la oportunidad de participar en el “Primer Festival de la Cristalografía” porque me parece una idea estupenda, la blogosfera llevaba tiempo necesitando una iniciativa como esta. Además, aprovecho la ocasión para escribir en el blog sobre cristalografía que no es algo muy común (ni que escriba, ni que escriba sobre cristalografía). En esta ocasión voy a hablaros de los crecimientos epitaxiales. Lo primero de todo es definir la epitaxia. La epitaxia es la deposición de capas cristalinas sobre un substrato también cristalino, entre la capa que crece y el substrato queda un registro del crecimiento. El estudio de los crecimientos epitaxiales es un área de investigación muy útil en muchos campos de la ciencia y la industria (ingeniería de materiales, semiconductores, materiales de construcción…). También es parte fundamental de la geología, ya que permite profundizar en el estudio de los minerales[3].

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6 NUMERO DE ATOMOS EN UNA RED DE SILICIO
Como el parámetro de red es 0,543 nm y hay dos atomos en la estructura orientada <100> entonces:

7 Densidad del silicio en gramos sobre centímetro cubico:
Densidad del silicio en atomos sobre centímetro cubico:

8 Referencias [1] [2] [3]