FÍSICA DE SEMICONDUCTORES PREMIOS NOBEL DE FISICA

Presentación del tema: "FÍSICA DE SEMICONDUCTORES PREMIOS NOBEL DE FISICA"— Transcripción de la presentación:

1 FÍSICA DE SEMICONDUCTORES PREMIOS NOBEL DE FISICA
UN Cristiam Camilo Bonilla Angarita -fsc04Cristiam- 2015

2 Hendrik Antoon Lorentz Pieter Zeeman
País: Neerland Año: 1902 Ganaron el premio nobel de física por su investigación conjunta en la “radiación electromagnética”, dicha investigación es importante porque la radiación electromagnética se sitúa en los orígenes de la física cuántica y de semiconductores, además cabe resaltar que tuvo gran influencia en la investigación de los campos electromagnéticos (como la fuerza de Lorenz).

3 Philipp Eduard Anton von Lenard Joseph John Thomson
Año: 1905 País: Imperio Alemán Año: 1906 País: Inglaterra Gana el premio nobel por su investigación en los rayos catódicos, dicha investigación es importante debido a que a partir de esto se empieza a estudiar el efecto fotoeléctrico. Gana el premio nobel gracias a la invención de un modelo atómico que demuestra la existencia de los electrones, esto es importante ya que el movimiento de cargas genera la corriente eléctrica empleada en conductores, semiconductores y aislantes.

4 Albert Abraham Michelson Wilhelm Wien
Año: 1911 País: Imperio Aleman Año: 1907 País: Estados Unidos Gana el nobel gracias a sus estudios acerca de la velocidad de la luz, además en sus estudios mediante la construcción del interferómetro demuestra la inexistencia del ETER. Gana el nobel gracias a sus investigaciones sobre las ecuaciones que rigen la radiación de calor o efecto de cuerpo negro, además su aproximación rige el espectro completo de radiación térmica.

5 Max von Laue Max Planck Año: 1918 Año: 1914 País: Imperio aleman País:
Alemania Gana el premio nobel por el descubrimiento de la difracción de rayos x, dicho acontecimiento es importante porque a partir de el nace la electroscopia atómica hoy día aun empleada para caracterizar materiales. Gana el premio nobel gracias a su investigación en la física cuántica “cuantos de energía”, además es el encargado de sugerir la constante de planck la que se relaciona con el estado de menor energía existente y se usa en la mayoría de la física cuántica y de semiconductores.

6 Albert Einstein Niels Bohr Año: 1914 País: Alemania Año: 1922 País:
Dinamarca Gana el premio nobel gracias a su descubrimiento de la ecuación y las leyes del efecto fotoeléctrico . Gana el nobel debido a su investigación en la estructura atómica, proponer el modelo atómico de bohr y sus 3 postulados. Dicho modelo atómico es importante dado que en el se basan los modelos de Schrödinger y de heisenberg.

7 Louis-Victor de Broglie
Manne Siegbahn Louis-Victor de Broglie Año: 1924 País: Estocolmo Año: 1929 País: Francia Gana su premio nobel por trabajar en la espectroscopia de rayos X, la cual es importante hoy día en los semiconductores debido a que el espectro de absorción y de emisión es una importante manera de caracterizar un material. Gano el premio nobel por exponer la naturaleza ondulatoria de los electrones, es decir es el primero en exponer la teoría onda-corpusculo la cual es el principio básico de la física cuántica y de los semiconductores al ser una aplicación de esta.

8 Werner Heisenberg Werner Heisenberg Paul Dirac Año: 1932 País: Aleman
1933 País: Austria Año: 1933 País: Suiza Gana el premio nobel gracias a sus investigaciones en la mecánica cuántica, mas exactamente en al proponer su hipótesis de incertidumbre la cual menciona que no es posible conocer el momento y posición exacto de una partícula al mismo tiempo. Trabajan juntos en una nueva interpretación de la teoría atómica, de sus investigaciones sale la distribución de fermi-Dirac que rige a las partículas cargadas eléctricamente (distribución empleada en la física de semiconductores) y además se soluciona la ecuación de onda de la partícula, la cual es también importante en la física de semiconductores y en base a la cual se interpreta un nuevo modelo atómico.

9 William Bradford Shockley Walter Houser Brattain John Bardeen Año:
1956 País: Estados unidos Investigaron el comportamiento de los semiconductores en diversos tipos de pruebas y estudios generando artículos conocidos mundialmente, además se conoce que uno de sus experimentos culmino en la creación del transistor el cual es un implemento electrónico muy importante en cada rama de la ingeniería.

10 John Robert Schrieffer Leon N. Cooper John Bardeen Año: 1972 País:
Estados unidos Ganan el nobel por su trabajo conjunto en la teoría de la superconductividad que se basa en la conducción de corriente eléctrica con cero resistencia y sin perdida de energía, usualmente sometiendo algún material especifico a bajas temperaturas.

11 Leo Esaki Ivar Giaever Año: Año: 1973 1973 País: País: Japon
Estados unidos-Noruega Ganan el nobel por su trabajo continuo en la física de semiconductores, mas exactamente por el descubrimiento del fenómeno del efecto túnel y su posterior aplicación en las maquinas STM lo cual permite generar un render virtual de la estructura atómica de los materiales, e incluso la modificación de estas mismas estructuras.

12 Heinrich Rohrer Gerd Binnig Año: Año: 1986 1986 País: País: suiza
Alemania occidental Ganan el premio nobel debido a que en base al recién descubierto efecto túnel diseñan y construyen el primer microscopio de efecto túnel.

13 Zhorés Alfiórov Herbert Kroemer Año: Año: 2000 2000 País: País:
Alemania Año: 2000 País: Rusia Ganan el premio nobel gracias a evolucionar los métodos de fabricación de semiconductores y a partir de estos construir heteroestructura súper ordenadas que se pueden aplicar en el campo de la optoelectrónica o en dispositivos integrados que requieran alta velocidad de transmisión.

14 Willard Boyle George E. Smith Año: 2009 País: Canadá Año: 2009 País:
Estados Unidos Ganan el premio nobel gracias a su trabajo conjunto en la invención del sensor de carga acoplada el cual es un circuito integrado con una serie de condensadores acoplados en los cuales cada condensador puede transmitirá su carga eléctrica a su vecinos de forma selectiva, es el remplazo de los dispositivos CMOS actualmente en especial en el mercado de las cámaras digitales.

15 Andre Geim Konstantín Novosiólov Año: 2010 País: Rusia Países Bajos
Reino unido Ganan el premio nobel al desarrollar el material conocido como grafeno, el cual es un material constituido de carbono puro y que se encuentra en un arreglo hexagonal en el plano, es decir tiene tan solo un átomo de altura. Dicho material es importante debido a que a parte de sus optimas características de conducción también se cree capas de resistir 200 veces mas que el acero y además posee la misma densidad de la fibra de carbono lo cual lo hace bastante ligero