Utilización de detectores de silicio con pistas para el estudio de la desintegración beta de núcleos exóticos ricos en neutrones. Manuel Fernández Ordóñez.

Presentación del tema: "Utilización de detectores de silicio con pistas para el estudio de la desintegración beta de núcleos exóticos ricos en neutrones. Manuel Fernández Ordóñez."— Transcripción de la presentación:

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2 Utilización de detectores de silicio con pistas para el estudio de la desintegración beta de núcleos exóticos ricos en neutrones. Manuel Fernández Ordóñez 11/12/2002

3 Núcleos Exóticos 1.-Estructura Nuclear2.-Test del Modelo Standard3.-Astrofísica Nuclear

4 Experimental Implantation Setup

5 - Detector de Silicio de 233.0 mg/cm 2 (1 mm de espesor). - El detector consiste en 4 planos de 16x16 pixels. - Cada pixel cubre un área de 9.765 mm 2 (3.125 mm lado). - Se cubre todo el área del plano focal S4 (200 cm 2 ).

6 Simulación - Código Montecarlo. - Sección eficaz de producción en el blanco (EPAX). - Propagación a través del separador de masas FRS. - Trasmisión. - Pérdidas de energía dentro del FRS (AMADEUS). - Pérdidas de energía en el stopper de aluminio. PEDRA extremadamente lento. AMADEUS sobreestima las interacciones a baja energía, pero podemos escalar por un valor.

7 Energía Rango Energía Depositada ------------------------------------------------------------ 1 MeV 2.3 mm 178 KeV 2 MeV 5.2 mm 182 KeV 3 MeV 7.8 mm 190 KeV 4 MeV 10.3 mm 198 KeV ------------------------------------------------------------ - Pérdidas de energía para la implantación en el Silicio (SRIM 2000). - Elección del espesor del stopper en la realidad: Rango de los electrones emitidos

8 Simulación para el 202 Ir NúcleoPosición(um) Energía(MeV/u) Tasa Implante(n/s) -------------------------------------------------------------------------------------- 200Os 933.21 66.4 1.7x10-5 200Ir900.4-975.4 63.2 4.3x10-4 201Ir724.7-790.1 53.9 3.1x10-4 202Ir456.0-548.2 39.3 7.1x10-5 203Ir178.0 16.2 1.5x10-5 202Pt336.4-416.2 31.3 2.3x10-3 203Pt181.6-273.9 20.2 1.2x10-3 Núcleos con estados de carga 0 – 0: NúcleoPosición(um) Energía(MeV/u) Tasa Implante(n/s) -------------------------------------------------------------------------------------- 196Ir690.7-780.4 66.4 3.4x10-4 197Ir397.4-461.3 63.2 1.5x10-3 198Ir 109.4 53.9 3.0x10-4 Núcleos con estados de carga 1 – 0:

9 Núcleos con estados de carga 0 – 1: NúcleoPosición(um) Energía(MeV/u) Tasa Implante(n/s) -------------------------------------------------------------------------------------- 204Pt 640.2 47.8 2.5x10-5 205Pt 356.6 30.1 1.6x10-5 NúcleoPosición(um) Energía(MeV/u) Tasa Implante(n/s) -------------------------------------------------------------------------------------- 197Os 992.3 69.2 1.1x10-5 199Ir755.8-869.1 57.4 7.1x10-5 200Ir 598.9 45.7 3.0x10-5 199Pt573.0-688.5 48.1 2.4x10-4 200Pt262.3-347.9 26.9 3.2x10-4 Núcleos con estados de carga 1 – 1:

10 Probabilidad de Multi-implantación en un pixel - Intensidad de 10 8. - Suma total de secciones eficaces. - Tasa de implantación ~60 núcelos/s. - Distribucion de Poisson: - μ tasa de núcleos implantados. - t ventana de tiempo. - núcleos implantados en 1 pixel.

11 Conclusiones - Realización de un código Montecarlo que simula el setup experimental: - Reacciones en el blanco (EPAX). - Transmisión en el FRS. - Stopper. - Implantación en el detector de Silicio. - Simulaciones de casos físicos realistas: - Núcleos implantados. - Tasas de implantación. - Estados de carga.