1 ELECTRÓNICA 4º DE LA ESO Dt. De Tecnología Por JMRS.

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1 1 ELECTRÓNICA 4º DE LA ESO Dt. De Tecnología Por JMRS

2 2 INTRODUCCIÓN- DEFINICIONES-I Se puede definir la electricidad como: la circulación de electrones libres por un circuito en el cual se ha establecido una diferencia de potencial. Se puede definir la electricidad como: la circulación de electrones libres por un circuito en el cual se ha establecido una diferencia de potencial. Electrones libres son aquellos que perteneciendo a la capa exterior del átomo, denominada capa de valencia, son perdidos o captados por el mismo. Electrones libres son aquellos que perteneciendo a la capa exterior del átomo, denominada capa de valencia, son perdidos o captados por el mismo. Diferencia de potencial (d.d.p.) es la diferencia de carga eléctrica (cantidad de electrones) entre dos puntos de un circuito. Voltios. Diferencia de potencial (d.d.p.) es la diferencia de carga eléctrica (cantidad de electrones) entre dos puntos de un circuito. Voltios. La carga eléctrica “Q”se mide en culombios “c”, siendo igual a: 6,25 x 10 18 electrones. La carga eléctrica “Q”se mide en culombios “c”, siendo igual a: 6,25 x 10 18 electrones. Los átomos son eléctricamente neutros, numero de protones igual a numero de electrones, solamente se consideran positivos(+)o negativos(-) si han perdido o ganado algún electrón, llamándose en ese caso iones. Los átomos son eléctricamente neutros, numero de protones igual a numero de electrones, solamente se consideran positivos(+)o negativos(-) si han perdido o ganado algún electrón, llamándose en ese caso iones. Ion positivo o catión e ion negativo o anión Ion positivo o catión e ion negativo o anión núcleo electrón ÁTOMO DE HIDROGENO COBRE: elc. Por capa 1ª= 2 2ª= 8 3ª=18 4ª= 1 T. =29 Nº elect. por capa= 2Nc 2

3 3 INTRODUCCIÓN- DEFINICIONES-II Se denomina Resistencia “R”, a la oposición que ofrece un elemento al paso de la corriente eléctrica, Se denomina Resistencia “R”, a la oposición que ofrece un elemento al paso de la corriente eléctrica, su unidad de medida es el OHMIO, . su unidad de medida es el OHMIO, . Por otra parte se define como Conductancia “G” la facilidad que tiene un elemento para permitir el paso de la corriente eléctrica, EL SIEMEN, G=1/R. Por otra parte se define como Conductancia “G” la facilidad que tiene un elemento para permitir el paso de la corriente eléctrica, EL SIEMEN, G=1/R. La Corriente eléctrica o Intensidad de corriente (I) es la cantidad de electrones que circulan por un circuito en un tiempo determinado. La Corriente eléctrica o Intensidad de corriente (I) es la cantidad de electrones que circulan por un circuito en un tiempo determinado. 1 amperio = 1 culombio/ 1 segundo = 6,25 x 10 18 electr /1 seg 1 amperio = 1 culombio/ 1 segundo = 6,25 x 10 18 electr /1 seg

4 4 INTRODUCCIÓN- DEFINICIONES-II la LEY DE OHM la cual se define como: La intensidad de corriente (en amperios) que circula por un circuito es directamente proporcional a la diferencia de potencial (en voltios) e inversamente proporcional a la resistencia (en ohmios) del circuito. la LEY DE OHM la cual se define como: La intensidad de corriente (en amperios) que circula por un circuito es directamente proporcional a la diferencia de potencial (en voltios) e inversamente proporcional a la resistencia (en ohmios) del circuito. I=V/R ; V=IxR ; R=V/I. I=V/R ; V=IxR ; R=V/I. Los esquemas eléctricos nos sirven para representar, de acuerdo con unas normas dadas, los circuitos eléctricos de una forma mas clara y comprensible. Los esquemas eléctricos nos sirven para representar, de acuerdo con unas normas dadas, los circuitos eléctricos de una forma mas clara y comprensible. Todo circuito eléctrico para permitir su funcionamiento debe de ser cerrado. Todo circuito eléctrico para permitir su funcionamiento debe de ser cerrado. Las resistencias.- Son de forma cilíndrica y en algunos casos rectangulares y de diferentes colores que indican su valor. Las resistencias.- Son de forma cilíndrica y en algunos casos rectangulares y de diferentes colores que indican su valor.

5 5 INTRODUCCIÓN- DEFINICIONES-III Las resistencias variables, reóstatos o potenciómetros.- Son elementos resistentes que nos permiten variar la resistencia del elemento desde 0 hasta un valor predeterminado. Las resistencias variables, reóstatos o potenciómetros.- Son elementos resistentes que nos permiten variar la resistencia del elemento desde 0 hasta un valor predeterminado. Los condensadores.- Están formados por dos placas metálicas conductoras separadas por un material aislante denominado dieléctrico. Los condensadores.- Están formados por dos placas metálicas conductoras separadas por un material aislante denominado dieléctrico. la capacidad de los mismos viene indicada en Faradio “F”. Se usan submultiplos.F-10 -6,F-10 -9,F-10 -12. la capacidad de los mismos viene indicada en Faradio “F”. Se usan submultiplos.F-10 -6,F-10 -9,F-10 -12. Los hay polarizados y no polarizados. Los hay polarizados y no polarizados. Las bobinas.- Son enrollamientos en espiral de hilo de cobre esmaltado, unas veces con un núcleo de material sólido y otras sin el. Las bobinas.- Son enrollamientos en espiral de hilo de cobre esmaltado, unas veces con un núcleo de material sólido y otras sin el. Los transformadores.- Son un tipo especial de bobinas compuestas por la asociación de dos de ellas o mas y reforzado todo el conjunto por un armazón denominado armadura, siendo su misión la transformación de una tensión de entrada en otra de salida. Los transformadores.- Son un tipo especial de bobinas compuestas por la asociación de dos de ellas o mas y reforzado todo el conjunto por un armazón denominado armadura, siendo su misión la transformación de una tensión de entrada en otra de salida.

6 6 INTRODUCCIÓN- DEFINICIONES-IV Circuitos impresos.- Mas que un componente, debemos considerarlo como la base sobre la cual se colocan los diferentes componentes. Circuitos impresos.- Mas que un componente, debemos considerarlo como la base sobre la cual se colocan los diferentes componentes. Los diodos.-consiste en la unión de dos semiconductores, uno tipo P y otro tipo N. Los diodos.-consiste en la unión de dos semiconductores, uno tipo P y otro tipo N. Los transistores.- A diferencia de un diodo, el transistor comporta tres zonas asociadas a tres electrodos, hay transistores NPN y PNP. Los transistores.- A diferencia de un diodo, el transistor comporta tres zonas asociadas a tres electrodos, hay transistores NPN y PNP. Circuitos integrados.- Interiormente estan constituidos por la unión de cientos e incluso de miles de transistores y diodos. Circuitos integrados.- Interiormente estan constituidos por la unión de cientos e incluso de miles de transistores y diodos. Otros componentes.- Además también tenemos una serie de componentes que aunque con un carácter mas bien eléctrico son empleados en los circuitos electrónicos, pero con menor tamaño. Otros componentes.- Además también tenemos una serie de componentes que aunque con un carácter mas bien eléctrico son empleados en los circuitos electrónicos, pero con menor tamaño.

7 7 Teoría electrónica-I Los semiconductores.- Son elementos tetravalentes que forman uniones cristalinas covalentes, es decir, comparten los electrones de valencia dos a dos. Los semiconductores.- Son elementos tetravalentes que forman uniones cristalinas covalentes, es decir, comparten los electrones de valencia dos a dos. los mas utilizados son el GERMANIO (2+8+18+4=32) los mas utilizados son el GERMANIO (2+8+18+4=32) y el SILICIO (2+8+4=14) y el SILICIO (2+8+4=14) los cuales al ser mezclados con elementos trivalentes, como el: los cuales al ser mezclados con elementos trivalentes, como el: Indio (In,2+8+18+18+3=49), Indio (In,2+8+18+18+3=49), el Boro ( B,2+3=5) el Boro ( B,2+3=5) y el Galio (Ga, 2+8+18+3=31) y el Galio (Ga, 2+8+18+3=31) o pentavalentes como el o pentavalentes como el Fósforo (P,2+8+5=15), Fósforo (P,2+8+5=15), el Arsénico (As, 2+8+18+5=33) el Arsénico (As, 2+8+18+5=33) y el Antimonio (Sb, 2+8+18+18+5=51). y el Antimonio (Sb, 2+8+18+18+5=51). Ge Si In B Ga P As Sb

8 8 Teoría electrónica-II La cristalización de silicio o germanio, permite enlaces covalentes, La cristalización de silicio o germanio, permite enlaces covalentes, con lo cual cada átomo de silicio comparte sus cuatro electrones de valencia, con los átomos próximos, con lo cual cada átomo de silicio comparte sus cuatro electrones de valencia, con los átomos próximos, estos a su vez comparten sus cuatro electrones con los átomos adyacentes, y por lo tanto, uno de ellos con el anterior. estos a su vez comparten sus cuatro electrones con los átomos adyacentes, y por lo tanto, uno de ellos con el anterior. Un cristal tipo “P” es aquel que se obtiene mezclando elementos tetravalente con un elemento trivalente (Indio, Boro, Galio, etc). Un cristal tipo “P” es aquel que se obtiene mezclando elementos tetravalente con un elemento trivalente (Indio, Boro, Galio, etc). de forma que al realizar los enlaces covalente se crea un hueco, de forma que al realizar los enlaces covalente se crea un hueco, es decir, en uno de los enlaces entre el elemento tetravalente y el trivalente solo orbitara un electrón y aunque seguirá siendo eléctricamente neutro, ha cambiado su comportamiento eléctrico. es decir, en uno de los enlaces entre el elemento tetravalente y el trivalente solo orbitara un electrón y aunque seguirá siendo eléctricamente neutro, ha cambiado su comportamiento eléctrico. - - - - Si - - - - B - - - - - - - Cristal tipo P hueco Cristal de silicio

9 9 Teoría electrónica-III En un cristal tipo “P” los electrones libres tienden a ocupar los huecos completando el enlace covalente. En un cristal tipo “P” los electrones libres tienden a ocupar los huecos completando el enlace covalente. Mientras que en un cristal tipo “N” que es aquel que se obtiene mezclando elementos tetravalente con un elemento pentavalente, (fosforo, arsenico, antimonio, etc.) Mientras que en un cristal tipo “N” que es aquel que se obtiene mezclando elementos tetravalente con un elemento pentavalente, (fosforo, arsenico, antimonio, etc.) de forma que al realizar los enlaces covalentes un electrón quedara libre mientras los otros cuatro lo realizaran normalmente de forma que al realizar los enlaces covalentes un electrón quedara libre mientras los otros cuatro lo realizaran normalmente y aunque seguirá siendo eléctricamente neutro, al igual que ocurre con un cristal tipo “P”, su comportamiento electrico ha cambiado. y aunque seguirá siendo eléctricamente neutro, al igual que ocurre con un cristal tipo “P”, su comportamiento electrico ha cambiado. Si P - - - - - - - - Cristal tipo N - Electrón libre Los huecos se consideran cargados positivamente, mientras los electrones se considera que lo están negativamente. El flujo de electrones se considera que va del polo negativo, hacia el positivo. (sentido real), corriente de electrones. Mientras que el de huecos va del positivo hacia el negativo, corriente de huecos.

10 10 Unión N-P (DIODO) Cuando unimos un cristal tipo “N” a un cristal tipo ”P”, ocurren una serie de fenómenos, que se podrían describir de la siguiente forma. Cuando unimos un cristal tipo “N” a un cristal tipo ”P”, ocurren una serie de fenómenos, que se podrían describir de la siguiente forma. En la zona de unión, En la zona de unión, los electrones del cristal tipo “N” ocupan los huecos del cristal tipo “p”, los electrones del cristal tipo “N” ocupan los huecos del cristal tipo “p”, esto da como consecuencia que al abandonar los electrones el cristal tipo “N”, lo dejan cargado positivamente, esto da como consecuencia que al abandonar los electrones el cristal tipo “N”, lo dejan cargado positivamente, y a su vez al desaparecer los huecos (quedar ocupados sus espacios por los electrones del cristal “N”) el cristal tipo “P” se cargara negativamente, y a su vez al desaparecer los huecos (quedar ocupados sus espacios por los electrones del cristal “N”) el cristal tipo “P” se cargara negativamente, Estos electrones Los de la zona P, se ven de nuevo atraídos por los átomos de la zona N que han quedado cargados positivamente, retornando a su posición. Volviendo a la situación inicial. Estos electrones Los de la zona P, se ven de nuevo atraídos por los átomos de la zona N que han quedado cargados positivamente, retornando a su posición. Volviendo a la situación inicial. pero esto no ocurre de una forma indefinida, pues al final tanto los huecos como los electrones forman un apantallamiento, impidiendo que se siga realizando el intercambio, pero esto no ocurre de una forma indefinida, pues al final tanto los huecos como los electrones forman un apantallamiento, impidiendo que se siga realizando el intercambio, quedando los cristales formados por: quedando los cristales formados por: una zona tipo “P”una zona tipo “P” una zona tipo ”N”una zona tipo ”N” y una estrecha zona central o de unión donde se realiza el intercambio huecos/electrones.y una estrecha zona central o de unión donde se realiza el intercambio huecos/electrones. cristal “N” cristal “P” zona unión p p p B B B p p p p p p p p p B B B B B B B B ()() (+)(+) Dopado Fósforo Dopado Boro

11 11 El diodo- Polarización inversa LOS DIODOS.- LOS DIODOS.- Son dispositivos con dos electrodos, siendo en su forma básica una unión de dos cristales, uno tipo P y otro tipo N. Son dispositivos con dos electrodos, siendo en su forma básica una unión de dos cristales, uno tipo P y otro tipo N. POLARIZACIÓN INVERSA.- Es cuando se aplica un potencial eléctrico a una unión N-P de manera que: POLARIZACIÓN INVERSA.- Es cuando se aplica un potencial eléctrico a una unión N-P de manera que: el cristal P se conecta al terminal negativo (-) el cristal P se conecta al terminal negativo (-) y el cristal N al terminal positivo(+), y el cristal N al terminal positivo(+), de forma que los electrones del cristal tipo N son atraídos por el polo (+) de la fuente de alimentación, de forma que los electrones del cristal tipo N son atraídos por el polo (+) de la fuente de alimentación, y los huecos del cristal tipo P son atraídos por el terminal (—), de la fuente de alimentacion. y los huecos del cristal tipo P son atraídos por el terminal (—), de la fuente de alimentacion. al ocurrir esto, en la unión se crea una zona en la cual la falta de electrones y de huecos inhibe la circulación,. Aunque los átomos de impureza siguen en su lugar. al ocurrir esto, en la unión se crea una zona en la cual la falta de electrones y de huecos inhibe la circulación,. Aunque los átomos de impureza siguen en su lugar. Todo lo cual, aumenta la resistencia. Todo lo cual, aumenta la resistencia. p p p B B B p p p p p p p p p B B B B B B B B Dopado Fósforo Dopado Boro cristal “N” cristal “P”

12 12 p p p p p p p p p p p p B B B B B B B B B B B El diodo- Polarización directa POLARIZACIÓN directa.- Es cuando se aplica un potencial eléctrico a una unión N-P de manera que: POLARIZACIÓN directa.- Es cuando se aplica un potencial eléctrico a una unión N-P de manera que: el cristal P se conecta al terminal positivo (+) el cristal P se conecta al terminal positivo (+) y el cristal N al terminal negativo(—), y el cristal N al terminal negativo(—), de forma que los electrones del cristal tipo N son repelidos por el polo (—) de la fuente de alimentación, de forma que los electrones del cristal tipo N son repelidos por el polo (—) de la fuente de alimentación, y los huecos del cristal tipo P lo son por la carga del terminal (+), y los huecos del cristal tipo P lo son por la carga del terminal (+), En las proximidades de la unión hay recombinación, los huecos que salen de la zona P son los mismos que los electrones que lo hacen de la zona N. En las proximidades de la unión hay recombinación, los huecos que salen de la zona P son los mismos que los electrones que lo hacen de la zona N. ocurriendo que la zona de unión se reduce, permitiendo la circulación de electrones. ocurriendo que la zona de unión se reduce, permitiendo la circulación de electrones. La resistencia del diodo en polarización directa es muy baja. La resistencia del diodo en polarización directa es muy baja. Dopado Fósforo Dopado Boro cristal “N” cristal “P”

13 13 Introducción semiconductores-I-Diodos Como hemos visto un diodo es la unión de dos cristales, uno tipo P y otro tipo N. Como hemos visto un diodo es la unión de dos cristales, uno tipo P y otro tipo N. Su característica principal es que solo permite el paso de la corriente en un sentido. Su característica principal es que solo permite el paso de la corriente en un sentido. Si se conecta el cristal tipo P al positivo (+) y el tipo N al negativo (—), conduce la corriente. Polarizacion directa.La tension umbral para el Silicio es 0,7v. Y de 0,3 v. para el germanio. Si se conecta el cristal tipo P al positivo (+) y el tipo N al negativo (—), conduce la corriente. Polarizacion directa.La tension umbral para el Silicio es 0,7v. Y de 0,3 v. para el germanio. Pero si se hace al contrario: El P al (—) y el N al (+), no conduce. Polarizacion inversa. Pero si se hace al contrario: El P al (—) y el N al (+), no conduce. Polarizacion inversa. Se representa por el símbolo siguiente, donde la flecha es el ánodo (patilla P) y la raya el cátodo (patilla N). Se representa por el símbolo siguiente, donde la flecha es el ánodo (patilla P) y la raya el cátodo (patilla N). La flecha indica la corriente de huecos y no la de electrones. Además La flecha indica la corriente de huecos y no la de electrones. Además podemos identificar las patillas por: podemos identificar las patillas por: La posición de la banda (el electrodo mas próximo es el Cátodo, cristal tipo N). La posición de la banda (el electrodo mas próximo es el Cátodo, cristal tipo N). En los diodos led, por la longitud de las patillas.(la corta es el cátodo). En los diodos led, por la longitud de las patillas.(la corta es el cátodo). por el aplastamiento interior de los terminales, ( el aplastado es el cátodo). por el aplastamiento interior de los terminales, ( el aplastado es el cátodo). P N A C o K

14 14 base colector emisor Introducción semiconductores-II-Transistor-I Un transistor se puede definir como la unión de dos diodos. Un transistor se puede definir como la unión de dos diodos. Si los unimos por la parte N, tendremos un transistor PNP. Si los unimos por la parte N, tendremos un transistor PNP. Pero si los unimos por la parte P, tendremos un NPN. Pero si los unimos por la parte P, tendremos un NPN. El encapsulado de un transistor tiene tres patillas. Que se denominan respectivamente: El encapsulado de un transistor tiene tres patillas. Que se denominan respectivamente: Base, es la parte de unión y puede ser tipo P en un NPN o tipo N en un PNP.Base, es la parte de unión y puede ser tipo P en un NPN o tipo N en un PNP. Emisor. Emite o inyecta las cargas.Emisor. Emite o inyecta las cargas. Colector. Colecta las cargas.Colector. Colecta las cargas. P N P N P N P NN N P P P N

15 15 Introducción semiconductores-II- Transistor-II El símbolo del transistor es: El símbolo del transistor es: Para un tipo NPN. Flujo princ. Electrones.Para un tipo NPN. Flujo princ. Electrones. Para un tipo PNP. Flujo princ. huecosPara un tipo PNP. Flujo princ. huecos La flecha nos indica la corriente de huecos. La flecha nos indica la corriente de huecos. La corriente aplicada en la base controla el flujo principal emisor colector. La corriente aplicada en la base controla el flujo principal emisor colector. Solamente la base puede conducir con el emisor y el colector, y para ello se conectara la base P a un polo +, o la base N a uno —. Solamente la base puede conducir con el emisor y el colector, y para ello se conectara la base P a un polo +, o la base N a uno —..- La explicación de funcionamiento del transistor sigue de forma lógica a la del diodo.- La explicación de funcionamiento del transistor sigue de forma lógica a la del diodo base emisor colector base emisor colector P N N P P N

16 16 Introducción semiconductores-II- Transistor-III hay tres formas básicas de conectar un transistor, dependiendo de los terminales compartidos por la entrada y la salida y son: hay tres formas básicas de conectar un transistor, dependiendo de los terminales compartidos por la entrada y la salida y son: - Base común (BC) - Base común (BC) - Emisor común (EC), - Emisor común (EC), - Colector común (CC). - Colector común (CC). Si el transistor fuese un NPN las conexiones serian las mismas pero cambiada la polaridad. Si el transistor fuese un NPN las conexiones serian las mismas pero cambiada la polaridad. Base común colector común Emisor común

17 17 Introducción semiconductores- II-Transistor-IV Consideraciones generales sobre el transistor.- Consideraciones generales sobre el transistor.- La corriente que circula entre el emisor y la base es pequeña con relación a la que circula entre el emisor y el colector, bien sea esta de huecos o de electrones. La corriente que circula entre el emisor y la base es pequeña con relación a la que circula entre el emisor y el colector, bien sea esta de huecos o de electrones. Al conectar la región emisor base en polarización directa, conectaremos la base a su polo, es decir, el cristal P al( +) y el cristal N al (- ). Al conectar la región emisor base en polarización directa, conectaremos la base a su polo, es decir, el cristal P al( +) y el cristal N al (- ). La variación en el potencial aplicado entre el emisor y la base, hace que se modifique el efecto de la barrera de potencial, y por lo tanto el numero de electrones/huecos inyectados en el colector, es decir, la tensión emisor-base (entrada) controla la corriente de colector (salida). La variación en el potencial aplicado entre el emisor y la base, hace que se modifique el efecto de la barrera de potencial, y por lo tanto el numero de electrones/huecos inyectados en el colector, es decir, la tensión emisor-base (entrada) controla la corriente de colector (salida).

18 18 Identificación de las patillas de un diodo Para la identificación de las patillas de un diodo (ánodo -P-; cátodo -N-). Para la identificación de las patillas de un diodo (ánodo -P-; cátodo -N-). Además de la identificación física: banda, longitud patillas o aplastamiento. Además de la identificación física: banda, longitud patillas o aplastamiento. Podemos hacerlo con la ayuda de un multimetro, para ello, debemos seguir el procedimiento siguiente: Podemos hacerlo con la ayuda de un multimetro, para ello, debemos seguir el procedimiento siguiente: El diodo debe estar desconectado de cualquier circuito, para no falsear la medida.El diodo debe estar desconectado de cualquier circuito, para no falsear la medida. Se conecta el multimetro y se pone el selector en el rango de diodo/sonido.Se conecta el multimetro y se pone el selector en el rango de diodo/sonido. la clavija roja en la hembrilla V/ Ω.la clavija roja en la hembrilla V/ Ω. la clavija negra en la hembrilla COM.la clavija negra en la hembrilla COM. El valor mostrado en el display -1- nos indicara que no hay circulación de corriente: RojoCatodo, NegroAnodoEl valor mostrado en el display -1- nos indicara que no hay circulación de corriente: RojoCatodo, NegroAnodo o hay paso de electrones: RojoAnodo.o hay paso de electrones: RojoAnodo. NOTA: Dependiendo de la resistencia del diodo, sonara un zumbido, o no, cuando exista continuidad en el circuito.NOTA: Dependiendo de la resistencia del diodo, sonara un zumbido, o no, cuando exista continuidad en el circuito. 6981

19 19 Identificación de transistores-I Hay tres sistemas para identificar transistores o por lo menos el tipo y las patillas del mismo. Hay tres sistemas para identificar transistores o por lo menos el tipo y las patillas del mismo. 1º) Leyendo en la cara anterior el tipo de transistor y buscándolo en Internet y accediendo al catalogo de la marca y modelo. 1º) Leyendo en la cara anterior el tipo de transistor y buscándolo en Internet y accediendo al catalogo de la marca y modelo. 2º) Identificando el tipo y las patillas por medio de un polímetro, en los analógicos la polaridad de los terminales es contraria,(negro +, rojo—); que en los digitales (negro —;rojo +). 2º) Identificando el tipo y las patillas por medio de un polímetro, en los analógicos la polaridad de los terminales es contraria,(negro +, rojo—); que en los digitales (negro —;rojo +). 3º) Identificando el tipo y las patillas por medio de un polímetro digital, que dispone de la función hFE, medida de ganancia. 3º) Identificando el tipo y las patillas por medio de un polímetro digital, que dispone de la función hFE, medida de ganancia.

20 20 Identificación de las patillas de un transistor-II Para identificar las patillas de un transistor, con este modelo de multimetro, podemos hacerlo de dos formas: Para identificar las patillas de un transistor, con este modelo de multimetro, podemos hacerlo de dos formas: -Método tradicional; es el utilizado en transistores cuyo encapsulado no permite usar los contactos hFE, y debemos seguir el procedimiento siguiente: -Método tradicional; es el utilizado en transistores cuyo encapsulado no permite usar los contactos hFE, y debemos seguir el procedimiento siguiente: El transistor debe estar desconectado de cualquier circuito, para no falsear la medida.El transistor debe estar desconectado de cualquier circuito, para no falsear la medida. Se conecta el multimetro y se pone el selector en el rango de diodo/sonido.Se conecta el multimetro y se pone el selector en el rango de diodo/sonido. la clavija roja en la hembrilla V/ Ω.la clavija roja en la hembrilla V/ Ω. la clavija negra en la hembrilla COM.la clavija negra en la hembrilla COM. El valor mostrado en el display -1- nos indicara que no hay circulación de corriente entre las patillas.El valor mostrado en el display -1- nos indicara que no hay circulación de corriente entre las patillas. Cualquier otro valor nos indicara circulación entre ellas.Cualquier otro valor nos indicara circulación entre ellas. 1 748

21 21 Identificación de las patillas de un transistor-III PROCEDIMIENTO: PROCEDIMIENTO: Identificamos las patillas del transistor con “1”,”2” y “3”. Identificamos las patillas del transistor con “1”,”2” y “3”. Dibujamos una tabla. Dibujamos una tabla. Hacemos contacto de la clavija roja con la patilla “3” y de la negra con la “2”, apuntamos el resultado. Hacemos contacto de la clavija roja con la patilla “3” y de la negra con la “2”, apuntamos el resultado. A continuación la roja en la “3” y la negra en la “1”. Ponemos el valor. A continuación la roja en la “3” y la negra en la “1”. Ponemos el valor. Seguimos así hasta cubrir todas las posibilidades. Seguimos así hasta cubrir todas las posibilidades. La patilla común será la base. La patilla común será la base. Si es N, neg.(—) sera un PNP.Si es N, neg.(—) sera un PNP. Si es R, pos (+) será un NPN.Si es R, pos (+) será un NPN. El valor mas bajo será el colector. El valor mas bajo será el colector. El valor mas alto será el emisor. El valor mas alto será el emisor. 112 3 3 1 2 Res. R N 573 R N 576 N R X N R X N R X R N X 573 1 576 Trans. NPN La base es la “3” Colector la “2” Emisor la “1” BD135ECB

22 22 Identificación de las patillas de un transistor-IV En los multimetros que disponen de la función hFE. En los multimetros que disponen de la función hFE. Nota: Nota: Solo se puede utilizar en los transistores cuyo formato permite la introducción de sus tres patillas en el terminal de medida. Se pone el selector en hFE. Se pone el selector en hFE. Se introducen las tres patillas en los orificios de medida. Se introducen las tres patillas en los orificios de medida. Cambiando de posición después de cada medida, Cambiando de posición después de cada medida, hay 8 posibles. Consideraremos que la posición es la correcta cuando el valor indicado se encuentre entre 1 y 250. Consideraremos que la posición es la correcta cuando el valor indicado se encuentre entre 1 y 250. Miraremos, en la parte inferior el tipo (PNP / NPN), Miraremos, en la parte inferior el tipo (PNP / NPN), Y en las adyacentes la identificación de las patillas : Y en las adyacentes la identificación de las patillas : (base B, emisor E y colector C) (base B, emisor E y colector C) 000 160 BD135 ECB NPN

23 23 DIFERENTES ENCAPSULADOS DE TRANSISTORES

24 24 FIN APUNTES DE ELECTRONICA 4ºESO Por: José Manuel Roces Suárez Dto. de Tecnología