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Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor: Jaime Villalobos Velasco Mayo, 2015
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CRISTALOGRAFÍA 1. Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados. [incluya URL de videos] a. Método de Czochralski: https://www.youtube.com/watch?v=xftnhfa-Dmo b. Mono cristalino https://www.youtube.com/watch?v=VSM_iy8itWk c. Homoepitaxia
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CRISTALOGRAFÍA 2. Describa con algún detalle el proceso de uno de ellos El método de Czochralski se utiliza para la obtención de lingotes monocristalinos. Se crea un monocristal a partir de un cristal semilla depositado en un baño de silicio. Se utiliza un material semiconductor fundido (generalmente germanio), y se introduce este dentro de una varilla, se controla la temperatura para que este sobre su punto de fusión y se hace girar la varilla lentamente con un cristal en un extremo para que funcione como semilla. Al contacto con la semilla, se solidifica el crisol, y toma la misma dirección de la red de la semilla.
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CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a. 3D b. c. d.
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3D
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(100) (110)
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(111)
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CRISTALOGRAFIA 3. Encuentre el número de átomos/cm 2 en la superficie orientada de una oblea de Si Parámetro de red 5,43 A. Si se suman los cuatro cuartos de átomos de silicio, mas uno central da un total de 2 átomos. Además 1 A = 10^(-10)m = 10^(-8) cm Se reemplazan estos datos en la ecuación de densidad Densidad = numero de átomos / cm^2 = 2 / (5.43*10^(-8))^2 Densidad = 6.78*10^14
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CRISTALOGRAFIA 4. A partir del valor de la constante de red (la distancia interatómica) calcule: a) la densidad del Silicio (número de átomos/cm 3 ), b) la densidad del Silicio (gramos/cm 3 )
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