Óxidos de cobre y zinc para fabricación de dispositivos electrónicos

Presentación del tema: "Óxidos de cobre y zinc para fabricación de dispositivos electrónicos"— Transcripción de la presentación:

1 Óxidos de cobre y zinc para fabricación de dispositivos electrónicos
Presenta: prof. Roberto López Ramírez

2 Tecnología de equipos electrónicos

3 ¿óxidos para dispositivos (componentes) electrónicos?

4 Sistemas electrónicos
Bulbos El primer transistor AT&T Bell Laboratories, 1947 Premio Nobel 1956 El primer Circuito Integrado Texas Instruments, 1958 Jack Kilby, Texas Instruments Premio Nobel 2000

5 Silicio -Sólido- -Semiconductor -Abundancia
-Punto de fusión de 1410 °C Silicio Porcentaje de pureza metalúrgico 99 grado solar grado electrónico Si grado electrónico Si metalúrgico

6 ¿Por qué los semiconductores?
Tiempo de vida Tamaño Tiempo de respuesta Costo

7 Materiales semiconductores
Si Ge GaAs GaN ZnSe CdS -Transistores -Diodos -LED´S -sensores

8 ¿Cómo se fabrican los dispositivos electrónicos?
MBE ALD CVD (PECVD, MOCVD, LPCVD, HFCVD,) PVD (Pulverización catódica, evaporación térmica)

9 óxidos CuO ZnO

10 Sensor de gas “Los sensores de gas son dispositivos que indican la presencia de algún gas específico”

11 Sensores de gases

12 oxígeno

13 Obtención de los semiconductores
proceso Obtención de los semiconductores caracterización aplicación

14 Obtención de óxido de cobre
Experimentos Obtención de óxido de cobre

15 Muestras obtenidas ZnO

16 Sensado de gases

17 Sistema de sensado

18 Diodo

19 P N CuO Cu2O CuO MATERIAL TIPO P ZnO
materiales tipo P Son los materiales semiconductores en donde los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios deacuerdo al enlace covalente. P N ZnO CuO Razones por las cuales es usado el oxido de cobre como material tipo p Es un material tipo p en su estado de oxidación no hay necesidad de dopar No es toxico Es muy comercial El método de obtención de oxido de cobre es barato no requiere sistemas de oxidación robustos. Cu2O CUPROSO CuO CUPRICO BAND GAP BAND GAP 4 2.1 eV 1.2eV

20

21 Fabricación diodo

22 Gracias por su atención