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Propiedades Ópticas de los Sólidos
Fig 1. Función dieléctrica compleja calculada para ħω0= 4 eV y ħГ = 1 eV.
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Fig 2. Dependencia de n y k con la frecuencia
Fig 2. Dependencia de n y k con la frecuencia. Las curvas son calculadas a partir de los valores de ε1 y ε2 dados en la Fig 1. Las regiones I, II, III, y IV son de transmisión (T), absorción (A), reflexión (R), y transmisión (T) respectivamente.
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Fig 3. Dependencia de la reflectividad con la frecuencia
Fig 3. Dependencia de la reflectividad con la frecuencia. La curva se calculó a partir de los valores de n y k dados en la Fig 2.
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Propiedades ópticas de sistemas representativos
Diamante (aislante) Silicio (semiconductor) Metal de electrones Libres
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Diamante Fig 4. Densidad de estados proyectada (pDOS) para diamante. El nivel de Fermi es E = 0. La energía de brecha prohibida calculada es de 4.15 eV.
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Diamante Fig 5. Función dieléctrica, coeficiente de absorción, ı́ndice de refracción y reflectividad calculada para el diamante.
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Diamante Fig 6. Función dieléctrica y coeficiente de absorción reportados para el diamante.[En Dario Rocca, Yuan Ping, Ralph Gebauer, and Giulia Galli., Phys. Rev. B, 85:045116, Jan 2012.]
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Silicio Fig 7. Densidad de estados proyectada (pDOS) para silicio. El nivel de Fermi es E = 0 eV. La energía de brecha prohibida calculada es de 0.56 eV.
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Silicio Fig 8. Función dieléctrica, coeficiente de absorción, ı́ndice de refracción y reflectividad calculada para el silicio.
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Silicio Fig 9. Función dieléctrica, coeficiente de absorción, í́ndice de refracción y reflectividad experimental reportada para silicio. [En . E. Aspnes and A. A. Studna. Phys. Rev. B, 27:985–1007, Jan 1983 ].
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Metal de Electrones libres
Fig 10. Función dieléctrica y reflectividad para un metal de electrones libres.
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Aplicaciones
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Aplicaciones
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