Transistors MOSFET © 2013 Quim Trullàs

Presentación del tema: "Transistors MOSFET © 2013 Quim Trullàs"— Transcripción de la presentación:

1 Transistors MOSFET © 2013 Quim Trullàs
Aquestes transparències es poden utilitzar amb fins educatius no comercials, sempre que s'indiqui l'autoria These transparencies may be used for educational non-commercial purposes so long as the source is attributed

2 Transistors Components electrònics semiconductors, amb tres terminals, que s'utilitzen com a amplificador o com a commutador. N'hi ha de molts tipus: ● Transistors Bipolars d'Unió o BJT (Bipolar Junction Transistors) Unió: doble unió de semiconductors npn pnp Bipolar: corrent degut a electrons i forats © 2013 Quim Trullàs 2

3 Transistors Components electrònics semiconductors, amb tres terminals, que s'utilitzen com a amplificador o com a commutador. N'hi ha de molts tipus: ● Transistors Bipolars d'Unió o BJT (Bipolar Junction Transistors) Unió: doble unió de semiconductors npn pnp Bipolar: corrent degut a electrons i forats Inventat per Bardeen, Brattain i Shokley, l'any 1947 (premi Nóbel 1956) © 2013 Quim Trullàs 3

4 Transistors Components electrònics semiconductors, amb tres terminals, que s'utilitzen com a amplificador o com a commutador. N'hi ha de molts tipus: ● Transistors Bipolars d'Unió o BJT (Bipolar Junction Transistors) Unió: doble unió de semiconductors npn pnp Bipolar: corrent degut a electrons i forats Inventat per Bardeen, Brattain i Shokley, l'any 1947 (premi Nóbel 1956) ● Transistors d'Efecte Camp o FET (Field Efect Transistors) unipolars: el corrent només és d'electrons (FET de canal n) o forats (FET de canal p) ID ID © 2013 Quim Trullàs 4

5 Transistors d'Efecte Camp (FET)
Tenen 3 terminals: porta (Gate), font (Source) i drenador (Drain) Només circula el corrent ID, de D a S en els de canal n, i en els de canal p de S a D ID ID N'hi de diferents tipus: ● FET d'unió o JFET (Junction FET) ID ID ● MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) - MOS d'empobriment (buidament, depletion) nMOS pMOS ID ID - MOS d'enriquiment (acumulació, enhancement) ID ID © 2013 Quim Trullàs

6 nMOS d'enriquiment ID VGS = VG  VS ; VDS = VD  VS
Si VGS < VT  ID = 0 ; VT  Threshold Voltatge (tensió llindar) Si VGS > VT  ID > 0 (si VDS > 0) © 2013 Quim Trullàs

7 nMOS d'enriquiment n Gate o porta Drain o drenador Source o font
Body, bulk, o substrat p Metall Òxid ID VDS  0 VGS VGS = VG  VS ; VDS = VD  VS L'òxid és aïllant i no deixa passar corrent per G El substrat connectat a S, amb VDS  0, garanteix que les unions p-n estan en inversa Si VGS < VT  ID = 0 ; VT  Threshold Voltatge (tensió llindar) Si VGS > VT  ID > 0 (si VDS > 0) n G D S p E Amb VGS > 0 es crea un camp elèctric E de G a p que repel·leix forats de p i atrau e- minoritaris de p i, quan VGS > VT , apareix un canal n (enriquit amb e-) i, si VDS > 0, passa corrent de D a S © 2013 Quim Trullàs

8 nMOS d'enriquiment Característiques
VT  Threshold Voltage (tensió llindar) ID VDS  0 VGS   Constant característica VDS ID òhmica saturació VGS = VG  VS ; VDS = VD  VS VGS > VT Per a cada valor de VGS hi ha una corba característica ID(VDS) tall VGS < VT ID = 0 (VGS  VT) VGT Model d'un nMOS d'enriquiment Si VGS < VT tall ID = 0 Si VGS  VT i VDS  VGT saturació o VDS  VGT òhmica © 2013 Quim Trullàs

9 Corba de transferència Vo(Vin)
ID Recta de càrrega ID S D G Vin || VGS Vo VDS RD VDD VDD /RD VDD RD més gran Inversor (porta NOT): Vin = 0 (tall) Vo = VDD Vin = VDD tq òhmica i Vo  0 Corba de transferència Vo(Vin) Vin Vo VT VDD tall òhmica sat VDD

10 pMOS d'enriquiment ID VGS  0 És com un nMOS d'enriquiment,
VDS  0 VGS VGS  0 És com un nMOS d'enriquiment, però funciona al revés: ID va de S a D VT < 0 VGS i VDS han de ser negatius Si VGS > VT (menys negatiu)  ID = 0 Si VGS < VT (més negatiu)  ID > 0 (si VDS < 0) © 2013 Quim Trullàs

11 pMOS d'enriquiment p Gate o font D S n Metall Òxid ID VGS  0
VDS  0 VGS VGS  0 És com un nMOS d'enriquiment però intercanviant n i p. I funciona al revés: ID va de S a D, VGS i VDS han de ser negatius, i VT < 0 Amb VGS < 0 es crea un camp elèctric E de n a G que repel·leix e- de n i atrau forats minoritaris de n i, quan VGS < VT , apareix un canal p (enriquit amb forats) i, si VDS < 0, passa corrent de S a D p G S D n E Si VGS > VT (menys negatiu)  ID = 0 Si VGS < VT (més negatiu  ID > 0 (si VDS < 0) © 2013 Quim Trullàs

12 pMOS d'enriquiment Característiques
VT  Threshold Voltage (és negativa) ID VDS  0 VGS VGS  0   Constant característica És com un nMOS d'enriquiment, però funciona al revés: ID va de S a D VT < 0 VGS i VDS han de ser negatius VDS ID més negatiu saturació òhmica VGS < VT menys negatiu tall VGS > VT ID = 0 (VGS  VT) Per a cada valor de VGS (o VGT =VGS  VT) hi ha una corba característica ID(VDS) VGT Model d'un pMOS d'enriquiment Si VGS > VT tall ID = 0 Si VGS  VT i VDS  VGT saturació o VDS  VGT òhmica © 2013 Quim Trullàs