Empecemos por el principio

Presentación del tema: "Empecemos por el principio"— Transcripción de la presentación:

1 Empecemos por el principio
AND OR NOT Compuertas lógicas básicas NAND NOR FLIP-FLOP MEMORIAS RAM REGISTROS Y CONTADORES MEMORIAS ROM, PROM, EPROM, EEPROM Y FLASH MICROPROCESADOR MICROCONTROLADOR

2 Estructura interna de una memoria

3 Celda básica Flip flop tipo “D”
Memoria de un bit: Se presenta el dato Se da pulso de reloj (Clock) Ingresa el dato a Q Se memoriza el dato, hasta nueva escritura o se retire la alimentación

4 Datos Dato Selección del flip flop Los pasos para guardar un dato son los siguientes: 1º Coloco el dato a guardar en la línea de dato 2º Selecciono el flip flop en donde lo voy a guardar por medio de la activación del clock 3º El dato ingresa y es retenido en Q hasta la colocación (escritura) de un nuevo dato o el retiro de la alimentación. (RAM ) Dato Selección Pregunta: ¿Cuántas líneas de selección necesito para 100, o de datos a guardar?

5 La respuesta es: Necesito tantas líneas de selección como datos a guardar por lo tanto se hace imposible un integrado con tantos terminales En conclusión: Hay que reducir las líneas de selección sin perder capacidad de carga. La solución: El dispositivo combinacional que cumple con esta condición es el decodificador. En este dispositivo: Para cada combinacion de entrada Se activa solo una salida De este modo tengo la capacidad de actuar sobre un único flip-flop respetando lo planteado anteriormente

6 CELDA COMPLETA DE MEMORIA
Dato Dato Dato 1 1 Para leer o escribir en una celda de memoria hay que cumplir con algunas condiciones: Escritura (w): Para que el dato presentado en la entrada pueda memorizarse se debe activar la entrada “W/R” con “0” Lo siguiente es colocar un “0” en la entrada “SEL” proveniente del decodificador En consecuencia la compuerta “AND” recibe dos unos lógicos dando como resultado un uno sobre el clock permitiendo la memorización del del dato. Lectura (R): Para leer el dato guardado en la operación anterior se debe activar la entrada “W/R” con “1” El paso subsiguiente es la colocación de un “0” en “CEL” de manera de habilitar la compuerta tri state para que el dato aparezca en la salida “SAL”. Observemos que el clock queda inhabilitado debido al ingreso de uno en “W/R”

7 Comenzamos a darle forma a la memoria
Tomando los elementos y circuitos vistos hasta ahora, desarrollamos un nuevo circuito Donde aparecen: La línea única de datos para este circuito palabra de un bit El decodificador que de acuerdo a la combinación de entrada (dirección) activa una única salida y energiza la línea de selección del flip flop asociado a dicha salida. Por ultimo aparecen las líneas de control de la memoria que corresponden a: línea de selección de lectura-escritura( W/R) línea de habilitación de salida de datos (OE). Se combina con W/R para la lectura de información. línea de habilitación de chip (CS). Es utilizado para expansión de memorias Esta memoria es de 8 posiciones por 1 bit de palabra. (8x1)

8 Mantenemos la capacidad y aumentamos los bits de la palabra
En este caso tenemos una memoria de 8 posiciones por 4 bits de palabra lo que da un total de 32 bits de información. Ejemplo de escritura: Se habilita la selección de chip y se coloca “OE” en uno Se coloca la dirección del lugar donde voy a guardar Se coloca el dato en la entrada Se coloca la orden de escritura y se guarda la palabra de 4 bits 101 011 Ejemplo de lectura: Se habilita la selección de chip Se coloca la dirección de la posición de memoria a ser leída Habilitamos la lectura Habilitamos finalmente el permiso de salida y aparece el dato en out 1 1 1

9 AUMENTANDO LA CAPACIDAD DE LAS MEMORIAS
El problema que se genero con el aumento de la capacidad de la memoria fue que los decodificadores necesitaban gran cantidad de salidas lo que dificultaba la fabricación e integración, por lo tanto la solución fue la realizar matrices con dos decodificadores disminuyendo en forma importante el tamaño de los decodificadores. Veamos los siguientes ejemplos: Conexión matricial de celdas de memoria Conexión matricial de celdas de memoria con el agregado de decodificadores Memoria de 64 posiciones por un 1 bit 64x1 Se observa para este caso el reemplazo de un decodificador de 64 salidas por dos de 8

10 Estructura de una memoria matricial con palabra mayor a un bit
Direcciones (adress) Datos de entrada Datos de salida

11 Para finalizar: La estructura interna de una memoria RAM quedará de la siguiente manera: Direcciones que corresponden a las filas BUS DIRECCIONES Datos de entrada/salida BUS DE DATOS Se multiplexan las entradas y las salidas de datos para obtener solo un bus de entrada salida Líneas de control Direcciones que corresponden a las columnas

12 Vemos ahora la memoria integrada
En la cual podemos identificar: Pines que corresponden al bus de ADRESS (direcciones) Las entradas de control Los pines del bus de datos para escritura y lectura de los mismos

13 Calculemos ahora la capacidad de la memoria:
Para calcular la capacidad de la memoria tenemos en cuenta la cantidad de líneas de dirección, las cuales formaran la potencia a la cual se debe elevar la base dos Para este chip tenemos desde “A0” hasta “A17”, con lo que obtenemos dieciocho líneas de dirección por lo tanto si al número 2 lo elevamos a la potencia 18 obtenemos el valor o sea aproximadamente 264k posiciones o lugares en memoria. Los datos que maneja este chip van desde “D0” a “D7” por lo tanto tiene un bus de datos de 8 bits o 1 byte En conclusión estamos ante un chip de memoria RAM de 264k x 8

14 FORMA HEXADECIMAL FORMA BINARIA A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8
1 X HEXADECIMAL 00000 00001 00002 XXXXX 00F09 06760 08E77 198A5 3FFFD 3FFFE 3FFFF