FÍSICA DE SEMICONDUCTORES ALEACIONES EN SEMICONDUCTORES UN Miguel Ángel Parra López fsc26Miguel Fecha
Variación en composición – Modulación de propiedades Una ALEACIÓN de materiales semiconductores es una agregación de diferentes estructuras cristalinas para modular o manipular sus propiedades con el fin de diseñar nuevos dispositivos. Las Bandas de Energía de los materiales semiconductores varia con el cambio gradual en la composición de una aleación. Por ejemplo variando las composiciones de %Al+%Ga+%As se puede evolucionar desde GaAs [semiconductor directo] hasta AlAs [semiconductor indirecto].
Variación en composición – Modulación de propiedades Variación de la energía en las bandas con composición de aleaciones. Tomado del capítulo 3,1,5. Se toman elementos del III y grupo de la tabla periódica para variar los rangos de las bandas de energía. Como se puede analizar el GAP mínimo es de 1,43eV, y este valor puede cambiar con respecto a los elementos extrínsecos que se le agreguen dependiendo si son ternarios o de la quinta columna.
Irect and Indirect Band Gaps. En física de semiconductores la banda del GAP tiene siempre uno de estados: directo o indirecto. La mínima energía en la banda de conducción y la máxima energía ne la banda de valencia, están siempre caracterizadas por cierto “cristal momentum” (vector k). La banda de GAP se llama directa si el momento de los electrones y huecos es el mismo en la banda de conducción y la banda de valencia, y un electrón puede emitir directamente un Fotón.