Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 25 CARACATERÍSTICAS DEL Si Profesor: Jaime Villalobos Velasco Estudiante: Iván Alejandro Sarmiento Jiménez Junio, 2015

CARACTERÍSTICAS SEMICONDUCTORAS DEL Si Haga una investigación sobre el Silicio y diseñe una presentación didáctica lo más completa que pueda Abundancia, cómo se fabrica, procesos Su lugar en las tabla periódica Estructura de bandas, GAP = 1,1 eV Estructura cristalina Propiedades del silicio intrínseco

Investigación sobre el Silicio Abundancia y fabricación: El silicio no se encuentra en estado natural libre, sino que se encuentra en forma de compuestos como: Rocas: cristal de roca, amatista, cuarzo ahumado, etc. Como arena: dióxido de silicio. Básicamente en la mayoría de las rocas corrientes excepto piedras calizas y dolomitas. Su obtención se da en los métodos físicos de purificación del silicio metalúrgico y los métodos químicos de purificación del silicio metalúrgico.

Investigación sobre el Silicio cómo se fabrica, procesos Ahora bien para obtener el Silicio de Grado Electrónico se tiene que emplear un nuevo proceso al mezclarlo en un reactor en compañía de acido clorhídrico a una temperatura de 300 °C, posteriormente se produce un gas llamado triclosano el cual entra en una serie de cámaras que lo separa de los otros compuesto y al condensarse pasa a fase liquida. Finalmente el liquido entra en una tercer cámara donde crece alrededor de barras de silicio puro formando cilindros de Silicio Grado Electrónico

Investigación sobre el Silicio Lugar en la tabla periódica Número atómico 14 y situado en el grupo 14 de la tabla periódica de los elementos de símbolo Si.

Investigación sobre el Silicio Estructura de bandas GAP=1,17 eV

Investigación sobre el Silicio Estructura Cristalina Propiedades del silicio intrínseco Superando los cero grados centígrados solo unos pocos electrones cruzan la banda prohibida y producen corriente. Cuando el electrón del silicio puro atraviesa la banda prohibida crea un hueco en la banda de valencia. Dicho hueco y electrón se desplazan a través del material bajo una influencia externa (tensión o campo magnético) Propiedades del silicio Extrínseco Tipo n: el dopaje contribuye con electrones extras, por lo cual la conductividad incrementa. Tipo p: el dopaje produce “huecos extra en la estructura”. Dichos huecos propiamente deben ser usados junto con dopaje tipo p para poder aumentar la conductividad.