FÍSICA DE SEMICONDUCTORES DENSIDAD DE PORTADORES n(E) y p(E) UN Nelson Leonardo Tovar Orjuela fsc39Nelson Mayo de 2015 Enrico Fermi (Roma, 29 de septiembre de 1901 – Chicago, 28 de noviembre de 1954) Paul Adrien Maurice Dirac, OM, FRS (8 de agosto de de octubre de 1984)
N(E) FUNCIÓN DE DENSIDAD DE ESTADOS PERMITIDOS
DENSIDAD DE PORTADORES N(E) Y P(E) Calcule y grafique la función DENSIDAD DE PORTADORES en un semiconductor. Ver fig 3-16 de la página 75 del libro Texto. Densidad de portadores n(E) = N(E) x f (E) p(E) = N(E) x f (E)
CALCULO DE LA FUNCIÓN DENSIDAD DE PORTADORES n(E) y p(E)
CALCULO DE LA FUNCIÓN DENSIDAD DE PORTADORES N(E) Y P(E) Energía [eV]Nf(E )n(E ) 0,010, , ,03E-02 0,030, , ,71E-02 0,050, , ,12E-01 0,070, , ,33E-01 0,090, , ,51E-01 0,110, , ,67E-01 0,130, , ,81E-01 0,150, , ,95E-01 0,170, , ,07E-01 0,190, , ,19E-01 0,210, , ,30E-01 0,230, , ,41E-01 0,250, , ,51E-01 0,270, , ,61E-01 0,290, , ,71E-01 0,310, , ,80E-01 0,330, , ,89E-01 0,350, , ,97E-01 0,370, , ,04E-01 0,390, , ,10E-01 0,410, , ,12E-01 0,430, , ,09E-01 0,450, , ,95E-01 0,470, , ,63E-01 0,490, , ,10E-01 0,510, , ,45E-01 0,530, , ,74E-02 0,550, , ,71E-02 0,570, , ,38E-02 0,590, , ,15E-02 0,610, , ,50E-03 0,630, , ,60E-03 0,650, , ,22E-03 0,670, , ,74E-04 0,690, , ,69E-04 0,710, , ,26E-04 0,730, , ,90E-05 0,750, ,33077E-05 2,76E-05 0,770, ,92139E-05 1,29E-05 0,790, ,34808E-05 6,03E-06 0,810, ,22068E-06 2,82E-06 0,830, ,8705E-06 1,32E-06 0,850, ,32458E-06 6,14E-07 0,870, ,11218E-07 2,87E-07 0,890, ,82043E-07 1,34E-07 0,910, ,30147E-07 6,24E-08 0,930, ,00555E-08 2,91E-08 0,950, ,77122E-08 1,36E-08 0,970, ,27876E-08 6,33E-09 0,990, ,90077E-09 2,95E-09 1,010, ,72287E-09 1,38E-09