Propiedades Ópticas de los Sólidos Fig 1. Función dieléctrica compleja calculada para ħω0= 4 eV y ħГ = 1 eV.
Fig 2. Dependencia de n y k con la frecuencia Fig 2. Dependencia de n y k con la frecuencia. Las curvas son calculadas a partir de los valores de ε1 y ε2 dados en la Fig 1. Las regiones I, II, III, y IV son de transmisión (T), absorción (A), reflexión (R), y transmisión (T) respectivamente.
Fig 3. Dependencia de la reflectividad con la frecuencia Fig 3. Dependencia de la reflectividad con la frecuencia. La curva se calculó a partir de los valores de n y k dados en la Fig 2.
Propiedades ópticas de sistemas representativos Diamante (aislante) Silicio (semiconductor) Metal de electrones Libres
Diamante Fig 4. Densidad de estados proyectada (pDOS) para diamante. El nivel de Fermi es E = 0. La energía de brecha prohibida calculada es de 4.15 eV.
Diamante Fig 5. Función dieléctrica, coeficiente de absorción, ı́ndice de refracción y reflectividad calculada para el diamante.
Diamante Fig 6. Función dieléctrica y coeficiente de absorción reportados para el diamante.[En Dario Rocca, Yuan Ping, Ralph Gebauer, and Giulia Galli., Phys. Rev. B, 85:045116, Jan 2012.]
Silicio Fig 7. Densidad de estados proyectada (pDOS) para silicio. El nivel de Fermi es E = 0 eV. La energía de brecha prohibida calculada es de 0.56 eV.
Silicio Fig 8. Función dieléctrica, coeficiente de absorción, ı́ndice de refracción y reflectividad calculada para el silicio.
Silicio Fig 9. Función dieléctrica, coeficiente de absorción, í́ndice de refracción y reflectividad experimental reportada para silicio. [En . E. Aspnes and A. A. Studna. Phys. Rev. B, 27:985–1007, Jan 1983 ].
Metal de Electrones libres Fig 10. Función dieléctrica y reflectividad para un metal de electrones libres.
Aplicaciones
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