Práctica 2. Introducción. MOSFET Conmutación del MOSFET Excitación de MOSTFET. Convertidor DC-DC en puente completo. Control de un motor de cc. Puente en H. NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Introducción. Dispositivos electrónicos de potencia(1/4). NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Circuito de control: Circuito de potencia: Introducción. Dispositivos electrónicos de potencia(2/4). Característica ideales Circuito de control: Facilidad de control (paso de un estado al otro) Bajo consumo de potencia Circuito de potencia: En conducción, debe de soportar corrientes elevadas. En bloqueo, tensiones elevadas. Rapidez de conmutación entre estados. Favorece el bajo consumo de potencia en la conmutación. NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Introducción. Dispositivos electrónicos de potencia(3/4) Introducción. Dispositivos electrónicos de potencia(3/4). Clasificación y tipos. NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Introducción. Dispositivos electrónicos de potencia(4/4) Introducción. Dispositivos electrónicos de potencia(4/4). Espacio de aplicación de los diferentes tipos. NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Parámetros más importantes: MOSFET. Introducción Objetivo: Conmutar elevadas potencias con las menores perdidas posibles. Parámetros más importantes: Resistencia de conducción entre drenador y fuente (RDS(ON)). Máxima tensión de bloqueo entre drenaje y fuente (V(BR)DSS o BVDSS). Tensión puerta-fuente requerida para que comience a conducir (VGS(th)). Tensión de puerta-fuente requerida para trabajar en zona óhmica (VGS(ON)). Tensión puerta-fuente máxima (VGS(ON)). Tiempos de conmutación y capacidades parásitas de entrada y salida. NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

MOSFET COMPARACIÓN CANAL N CANAL P La movilidad de los huecos (MOSTFET de canal P) es aproximadamente 2.6 veces menor que la de los electrones (MOSFET de canal N). Aplicando la ecuación que define la resistencia de un material, Un MOSFET de canal N tiene que tener 2,6 veces más superficie que la de un dispositivo de canal N equivalente. Por esta razón la mayoría de MOSFET de potencia son de canal N. NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

MOSFET Característica de entrada y de salida (canal n) NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

MOSFET Circuito equivalente en zona de corte (A) y óhmica (B) NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

MOSFET Circuito equivalente en zona de corte (A) y óhmica (B) VDS no debe de superar la BVDSS. La corriente que circula por el drenador es IDSS prácticamente cero. La potencia consumida prácticamente cero. La mayoría de los FET llevan un diodo en antiparalelo, en caso contrario habrá que tener en cuenta la tensión inversa VDS máxima. Zona Ohmica: La tensión VGS(ON), debe de ser lo suficientemente grande para pasar de la zona de corte a la zona óhmica (del orden de 12 v), sin sobre pasar un valor máximo en torno a los 20 v. Los valores próximos a estos máximos reducen le vida media del dispositivo. NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Conmutación del MOSFET Transitorio de Conmutación La potencia instantánea es mayor que en corte o en zona óhmica. Interesa que el transitorio sea lo más rápido posible, para reducir perdidas. La conmutación consiste en la carga o descarga de los condensadores de entrada. La velocidad de conmutación depende de la velocidad de carga o de descarga de esas capacidades (IG de pico de 2 a 3 A). NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Conmutación del MOSFET Conmutación con carga inductiva NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Conmutación del MOSFET Conmutación con carga inductiva NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Conmutación del MOSFET Conmutación con carga inductiva NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Conmutación del MOSFET Conmutación con carga inductiva, efecto del diodo de libre circulación en la disipación. NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Conmutación del MOSFET Conmutación con carga inductiva. Trayectorias NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Excitación de MOSFET Excitación de canal N (con carga en drenador) NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Excitación de MOSFET Excitación de canal P (con carga en surtidor) NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Excitación de MOSFET Motor DC Excitación de MOSFET Motor DC.Detalles de la conmutación en la práctica. NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Excitación de MOSFET Ataque flotante NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Excitación de MOSFET Ataque flotante NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Excitación de MOSFET Ataque flotante NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Convertidor DC-DC en puente completo NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Convertidor DC-DC en puente completo Funcionamiento en los cuatro cuadrantes NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Convertidor DC-DC en puente completo Generación de PWM. Bipolar. TA+ TA- TB+ TB- NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Convertidor DC-DC en puente completo Generación de PWM. Unipolar. TA+ TA- TB+ TB- NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Control motor cc. Puente en H Características de motor. Ref 110851 NOTAS: NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Control motor cc. Puente en H. Modelo motor cc imán permanente. NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Control motor cc. Puente en H Motor DC. Doble devanado. NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Control motor cc. Puente en H Ecuaciones de la planta NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Control motor cc. Puente en H F.T. con controlador NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Control motor cc. Puente en H F.T. con controlador NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno

Control motor cc. Puente en H Sistema a simular. NOTAS: A. Bocos, E.J.Bueno