Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Familiarizarse con la estructura del Si Carlos.

Presentación del tema: "Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Familiarizarse con la estructura del Si Carlos."— Transcripción de la presentación:

1 Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Familiarizarse con la estructura del Si Carlos Francisco Pinto Guerrero Profesor: Jaime Villalobos Velasco Mayo, 2015

2 CRISTALOGRAFÍA 1. Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados. [incluya URL de videos] a. Método de Czochralski o pulling: La formación de un cristal en forma de varilla de material de alta pureza, por contacto con un baño de mezcla fundida en un crisol de platino, iridio, cerámica o grafito. La "varilla", cuyo extremo, en el que se coloca una semilla de cristalización, se encuentra en contacto con el baño, se hace girar y ascender lentamente, produciéndose un monocristal en forma de barra y quedando las impurezas en el baño. Se utiliza una atmósfera oxidante. [1] b. Método de Sputtering: Consiste en la extracción de átomos de la superficie de un electrodo debido al intercambio de momento con iones que bombardean los átomos de la superficie. Con esta definición está claro que el proceso de sputtering es básicamente un proceso de ataque, frecuentemente utilizado para la limpieza de superficies y la delineación de pistas. Sin embargo, como en el proceso de sputtering se produce vapor del material del electrodo, es también un método utilizado en la deposición de películas, similar a la evaporación.[2] c. Crecimiento epitaxial por haces moleculares Describe el crecimiento epitaxial de laminas delgadas de semiconductores compuestos mediante la reacción de haces moleculares térmicos de los elementos constituyentes con la superficie de un sustrato cristalino, mantenido a temperatura adecuada y en condiciones de ultravacío. Consiste en la evaporación de fuentes sólidas de manera que se producen haces moleculares y se dirigen sobre un sustrato caliente sobre el cual se deposita el material.[3]

3 CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a. 3D b. c. d.

4 3D (100) Azul: Átomos internos

5 (110) (111)

6 CRISTALOGRAFIA

7

8 Referencias [1] http://www.uned.es/cristamine/gemas/sintesis/chojral.htm [2] http://www.icmm.csic.es/emmh/?page_id=381 [3] http://ocw.usal.es/ensenanzas-tecnicas/materiales- electronicos/contenido/MaterialesElectronicos/Tema_3_EPItaxia.pdf