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Publicada porJerónimo Salcido Modificado hace 9 años
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Electrónica Análoga I Prof. Gustavo Patiño. M.Sc, Ph.D. MJ 12- 14 13-01-2015
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Fig. 5.1 Physical structure of the enhancement-type NMOS transistor: (a) perspective view; (b) cross section. Typically L = 1 to 10 m, W = 2 to 500 m, and the thickness of the oxide layer is in the range of 0.02 to 0.1 m. Sin V GS R SD >> R SD = 10 12
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Fig. 5.2 The enhancement-type NMOS transistor with a positive voltage applied to the gate. An n channel is induced at the top of the substrate beneath the gate. Específicamente para V GS igual al voltaje denominado V T, el canal es sólo inducido, y la corriente conducida entre Drain y Source es aún tan pequeña que resulta despreciable.
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Fig. 5.3 An NMOS transistor with v GS > V t and with a small v DS applied. The device acts as a conductance whose value is determined by v GS. Specifically, the channel conductance is proportional to v GS - V t, and this i D is proportional to (v GS - Vt) v DS. Note that the depletion region is not shown (for simplicity). v DS pequeño entre 0.1 y 0.2 V. A medida que v GS excede a V t más electrones son atraídos hacia el canal. Incremento en la profundidad del canal. Reducción de la resistencia y aumento de la conductancia. Enriquecimiento del canal.
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Operación del MOSFET bajo un voltaje aplicado v DS pequeño. Se comporta como un resistor cuyo valor es controlado por v GS.
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Fig. 5.5 Operation of the enhancement NMOS transistor as v DS is increased. The induced channel acquires a tapered shape and its resistance increases as v DS is increased. Here, v GS is kept constant at a value > V t. El voltaje medido desde source se incrementa desde 0 hasta v DS. El voltaje entre gate y los puntos del canal se disminuye desde v GS en el source hasta v GS -v DS en el drain. A medida que v DS se incrementa, el canal se hace mas inclinado y la resistencia se incrementa.
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Fig. 5.6 The drain current i D versus the drain-to-source voltage v DS for an enhancement-type NMOS transistor operated with v GS > V t. Entonces, a medida que v DS aumenta, la curva i D vs v DS no continua como recta sino que se dobla. Cuando v DS alcanza un valor que reduce el voltaje entre el gate y el canal a V t, el canal se ha estrangulado (pinched off.) La corriente permanece constante y el MOSFET queda en saturación.
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Fig. 5.8 Derivation of the i D - v DS characteristic of the NMOS transistor. Se aplica un v GS > V t y un v DS < v GS -V t. El voltaje entre gate y el punto x en el canal es v GS - v(x).
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Región de triodo Región de saturación Parametro de transconductancia del proceso
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Fig. 5.11 (a) An n-channel enhancement-type MOSFET with v GS and v DS applied and with the normal directions of current flow indicated. (b) The i D - v DS characteristics for a device with V t = 1 V and k’ n (W/L) = 0.5 mA/V 2. El drain es siempre positivo respecto al source en un FET de canal n.
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Región de corte Región del tríodo Región de Saturación. Es esencial la completa compresión de las curvas características terminales de un MOSFET para el ingeniero que pretenda diseñar circuitos con MOS Circuitos analógicos: Amplificadores Circuitos digitales: Switches y compuertas.
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OJO: Corte significa que no hay corrientes en el circuito !
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Si v DS es pequeño entonces se encuentra r DS.
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En saturación el MOSFET proporciona una corriente de drain cuyo valor es independiente del voltaje de drain v DS y está determinado por el voltaje de la compuerta v GS.
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Fig. 5.12 The i D - v GS characteristic for an enhancement-type NMOS transistor in saturation (V t = 1 V and k’ n (W/L) = 0.5 mA/V 2 ). Una fuente de corriente ideal controlada por v GS.
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Fig. 5.13 Large-signal equivalent-circuit model of an n-channel MOSFET operating in the saturation region.
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Fig. 5.15 Increasing v DS beyond v DSsat causes the channel pinch-off point to move slightly away from the drain, thus reducing the effective channel length (by L). La independencia de i D con v DS en saturación es sólo una idealización. Modulación de la longitud del canal. i D es inversamente proporcional a L.
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Fig. 5.16 Effect of v DS on i D in the saturation region. The MOSFET parameter V A is typically in the range of 30 to 200 V. Voltaje Early. Típicamente =0.005 a 0.03 V -1. Dispositivos con canales cortos sufren más el efecto de la modulación del canal.
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Fig. 5.17 Large-signal equivalent circuit model of the n-channel MOSFET in saturation, incorporating the output resistance r o. The output resistance models the linear dependence of i D on v DS and is given by r o V A/ I D.
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Fig. 5.9 Cross section of a CMOS integrated circuit. Note that the PMOS transistor is formed in a separate n-type region, known as an n well. Another arrangement is also possible in which an n-type body is used and the n device is formed in a p well.
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En muchas aplicaciones la terminal Body es conectada a la terminal Source. En circuitos integrados, el substrato generalmente es común a muchos transistores MOS. El substrato es generalmente conectado al voltaje más negativo en un circuito NMOS y al voltaje más positivo en un circuito PMOS. V SB tiene efecto en la operación del circuito. El voltaje inverso de polarización extiende la región de agotamiento.
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El Efecto Body: El body actúa como otra terminal gate que también controla la corriente de drain en el MOSFET. Parámetro del efecto del Body
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