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Publicada porJesúsa De la Torre Modificado hace 10 años
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> M.Sc. Guerra J. A. guerra.jorgea@pucp.edu.pe Solid State Physics GroupPUCP 2012 Caracterización de películas delgadas semiconductoras de un amplio ancho de banda dopadas con tierras raras
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Solid State Physics GroupPUCP 2012 Películas delgadas Sustrato Películad [nm] t [mm] d << t
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Solid State Physics GroupPUCP 2012 ¿amplio ancho de banda?
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Solid State Physics GroupPUCP 2012 bandas e rBrB rArA AB R E/2 E A B enlazamiento anti-enlazamiento Posición Energía CiCi … … … e rBrB rArA AB R
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Solid State Physics GroupPUCP 2012 ancho de banda (energía de banda prohibida) b.c. b.v. conductores Energía aislantes & semiconductores
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Solid State Physics GroupPUCP 2012 tierras raras
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> nc-AlN:Lh 3+ ¿Por qué? R. Weingärtner, O. Erlenbach, A. Winnacker, A. Welte, I. Brauer, H. Mendel, H.P. Strunk, C.T.M. Ribeiro and A.R. Zanatta, Opt. Mater. 28 (2006), p. 790. Solid State Physics GroupPUCP 2012
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> ¿Por qué amplio ancho de banda? Solid State Physics GroupPUCP 2012 «Quenching» por: ancho de banda temperatura concentración Transparencia material dopado excitación & emisión
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> R. Weingärtner J. A. Guerra, O. Erlenbach, G. Gálvez, F. De Zela, A. Winnacker, 2010 Mater. Sci. Eng. B, 174 114-8 Ingeniería del ancho de banda a-(SiC) 1-x (AlN) x Solid State Physics GroupPUCP 2012
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Al 1-x Ga x N:Tm D S Lee and A J Steckl 2003 Enhanced blue emission from Tm-doped Al x Ga 1-x N electroluminescent thin films Appl. Phys. Lett. 83 2094 Solid State Physics GroupPUCP 2012
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Solid State Physics GroupPUCP 2012
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Deposición & Caracterización Solid State Physics GroupPUCP 2012
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> pulverización catódica Solid State Physics GroupPUCP 2012
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> pulverización catódica Solid State Physics GroupPUCP 2012 G. Gálvez, O. Erlenbach, J. A. Guerra Torres, T. Hupfer, M. Steidl, F. De Zela, R. Weingärtner, A. Winnacker, Materials Science Forum Vols. 645-648 (2010), 1199- 1202
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Solid State Physics GroupPUCP 2012
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Foto-luminiscencia (PL) Espectrofotometría UV-VIS Espectroscopía vibracional (FTIR) Solid State Physics GroupPUCP 2012 caracterización óptica
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Solid State Physics GroupPUCP 2012 Foto-luminiscencia (PL) I(λ) exc I(λ) PL Energía de excitación Muestra Señal defectos Tiempo de vida de portadores de carga (TRPL) Impurezas e-e- b.c. b.v.
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Espectro PL Solid State Physics GroupPUCP 2012 λexc = 488 nm
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> a-SiC:H:Tb Solid State Physics GroupPUCP 2012 SiC 120W Tb 50W Sustrato Película Objetivos 1%11% Tb%
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> PLa-SiC:H:Tb Solid State Physics GroupPUCP 2012
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> PLa-SiC:H:Tb Solid State Physics GroupPUCP 2012 J. A Guerra, et al., Concentration Quenching of the Luminescence from several Terbium doped Matrix Materials, Submitted to EDS-2012.
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Simulaciones (Percolación) Solid State Physics GroupPUCP 2012
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Solid State Physics GroupPUCP 2012 Espectrofotometría UV-VIS-NIR SustratoPelícula ¡Esto es lo que medimos!
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Solid State Physics GroupPUCP 2012 Espectrofotometría UV-VIS-NIR Cortesía de A.R. Zanatta, IFSC-USP, Brasil
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Solid State Physics GroupPUCP 2012 d = 356.14 ± 0.13 nm a-(SiC) 0.53 (AlN) 0.47 Extracto de la tesis de maestría de J. A. Guerra
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Solid State Physics GroupPUCP 2012 a-(SiC) 1-x (AlN) x R. Weingärtner J. A. Guerra, O. Erlenbach, G. Gálvez, F. De Zela, A. Winnacker, 2010 Mater. Sci. Eng. B, 174 114-8
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Solid State Physics GroupPUCP 2012 J A Guerra, L Montañez, O Erlenbach, G Galvez, F De Zela, A Winnacker, R Weingärtner, 2011 J. of Phys. Conf. Series 274 012113 a-AlN
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> SiC:H SiCN (SiC) 1-x (AlN) x Si 1-x N x Al x Si 1-x N Solid State Physics GroupPUCP 2012 ¿Qué es lo que hacemos entonces? Caracterizamos Aplicaciones
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Miembros actuales en el grupo Lider Doctorado Ingeniería Ciencias Maestría Pregrado Graduados Colaboradores Solid State Physics GroupPUCP 2012
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>>0 >>1 >> 2 >> 3 >> 4 >> Gracias, y lancen sus preguntas Grupo de Ciencias de los MaterialesPUCP 2011
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