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Tema I. Contactos Óhmicos para semiconductores tipo p con una banda prohibida ancha. Actividades: -Deposito de contactos metálicos multi-capas sobre p-GaAs.

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1 Tema I. Contactos Óhmicos para semiconductores tipo p con una banda prohibida ancha. Actividades: -Deposito de contactos metálicos multi-capas sobre p-GaAs y p-GaN: Ni-Au, In-Au, Pd-Au, ect. -Recocido en gases diferentes: aire, N 2, N 2 +O 2, etc - Medición de I-V, PL y otros características de las estructuras. -Medición con método SIMS perfiles en profundidad sobre estructuras con contactos. -Implantación de In en estructura: película metálica-semiconductor. -Simulación de implantación iónica en semiconductores con el método de Monte - Carlo. Estudio: Técnica SIMS, XRD, AFM/SCM, PL, SKM, técnica de implantación de iones, mediciones I-V, recocido en vacio y varias gases. Nivel: Maestría y doctorado. Perfiles de SIMS para dos contactos de Au/Ni/GaN y In/GaN Difractograma y Característica I-V de un contacto recosido.

2 Tema II. Estudio de la difusión en semiconductores Actividades: - Construcción de una estufa de alto vacío (10 -6 Torr) para calentar muestras semiconductores hasta la temperatura de 1200 o C; - Construcción de una línea de gases (N 2, Ar, H 2 +N 2, etc) para hacer un recosido en gases diferentes; - Preparación de las muestras de prueba por implantación de cristales semiconductores y depósito de una película de silicio amorfo como un fuente del hidrógeno; - Deposito de los contactos metálicos sobre GaN/AlGaN; - Mediciones con SIMS de perfiles de profundidad para elementos difundidos; - Comparación de perfiles para varias temperaturas y varias gases; Estudio: Técnica SIMS, técnica de implantación de iones, efecto de difusión, construcción y uso de los sistemas de alto vacío. Nivel: Maestría, doctorado Estufa de alto vacio Difusión de Ar en GaN estimulado por radiación Re-distribucion de Na en Si después de recosido con varias temperaturas

3 Tema III. Investigación de la morfología superficial después del bombardeo con iones acelerados (ion sputtering). Actividades: - Estudio teórico de la formación morfológica superficial bajo el bombardeo iónico. - Preparación de cráteres experimentales por erosión iónica con iones de Oxigeno y de Cesio (ion sputtering) sobre los semiconductores de interés. Variación del tipo de iones de bombardeo, su energía y ángulo de incidencia. -Mediciones de rugosidad superficial por el método microscopia de fuerza atómica (AFM) o con un perfilómetro de punta. -Estudio de aplicación de los superficies nano-estructurados a) Microscopio de Fuerzas Atómicas Solver- Next (NT-MDT). b) Mapa superficial 3-dimensional de un cristal de CdS después del bombardeo iónico con iones de cesio. Estudio: técnica AFM, efecto de ion sputtering. Nivel: Maestría y doctorado Formacion de piramides sobre superficie de epi- GaN por bombardimiento con iones de O2+ con energia 12.5 keV

4 Tema IV. Investigación de la morfología y características eléctricas de las hetero-estructuras semiconductoras Actividades: Medición de la resistencia y del potencial superficial local sobre varias semiconductores. Preparación de biseles y comparación entre estructura de los capas y sus características eléctricas investigación de p-n unión. Descubrimiento de técnicas nuevas para una caracterización eléctrica local superficial. Estudio: Técnicas AFM, EFM, SKM, FMM, LFM, MFM, otras. Nivel: Maestría y doctorado 500nm Vbias= 0.5 V Izquierda: AFM imagen de una celda solar de CdTe/CdS (sección transversal). a) imagen de topografía. b) imagen de la potencial superficial (posición de p-n unión). Relieve (arriba) y distribución de la potencial superficial sobre p-n unión en Si (sección transversal) Resistencia local superficial de GaN


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