Microscopía de efecto túnel

Presentación del tema: "Microscopía de efecto túnel"— Transcripción de la presentación:

1 Microscopía de efecto túnel
Electrónica Física. Ingeniero en Electrónica Universidad de Valladolid Lección complementaria Microscopía de efecto túnel El electrón como onda evanescente Palpando los átomos de la superficie Visualización de los estados de BC y BV 7 de noviembre de 2000

2 Microscopio de efecto túnel (Scanning Tunneling Microscopy, STM)
Primer instrumento que generó imágenes reales de superficies con resolución atómica Inventado en 1981 por G. Binnig y H. Rohrer (IBM, Zurich). Nobel en Física 1986. Antecesor de toda una familia de técnicas: microscopías de sonda de barrido (SPM).

3 El efecto túnel

4 STM: principio de funcionamiento
Sonda: punta conductora extremamente afilada que se sitúa muy cerca de la superficie de la muestra. Entre la punta y la muestra se aplica una tensión V. Si la distancia punta-muestra es pequeña (d~1nm) los electrones pueden atravesar, por efecto túnel, de la una a la otra. El flujo neto depende del signo de V La probabilidad de que un electrón con energía E haga “túnel” depende dramáticamente de la distancia d: T  exp(-2d) , donde  = (2m(U-E) )1/2/hb ; U=altura de la barrera (eV)

5 STM: la corriente túnel
La corriente “túnel” entre la punta y la muestra depende de: Distancia punta-muestra. T  exp(-2d)  TOPOGRAFÍA Altura de barrera. (T/d)/T = -2d  COMPOSICIÓN La tensión aplicada. V  fs(E)-ft(E) La densidad de estados  g(E) con resolución espacial (!?) I   gs(E)·(fs(E)-ft(E))·exp(-2d)dE

6 STM: Modos de funcionamiento
Altura constante imagen: I(x,y) Corriente constante imagen: h(x,y) (en realimentación)

7 El “microscopio” de sonda de barrido (SPM)
Aplicable a otras magnitudes de medida: SPMs

8 La sonda del STM : “la punta”

9 Imagen STM con resolución atómica

10 Formación de imágenes STM (o SPM)
El posicionador piezoeléctrico

11 Formación de imágenes STM (o SPM)
El tratamiento de los datos

12 superficie de Silicio (111)
Imagen STM de la superficie de Silicio (111)

13 superficie de Silicio (111) 7x7
Reconstrucción de la superficie de Silicio (111) 7x7

14 Ejemplo de información topográfica
Escalones monoatómicos en Si (111)

15 Ejemplo de información topográfica
Escalones no monoatómicos en Si (111) 7x7

16 Localización espacial de los estados
Estados de la BC y de la BV en Si (111) BV: enlaces BC: estados antienlazantes

17 Resolución espacial de los estados
GaAs (110) Vs>Vt : túnel a la BC de la muestra (más centrados en el Ga ) Vs<Vt : túnel desde la BV de la muestra (más centrados en el As )

18 Otros ejemplos Fulereno sobre Si (111)

19 Otros ejemplos CO sobre Cu (110)

20 Otros ejemplos Xe sobre Ni (110)

21 Manipulaciónde átomos mediante SPM
Imagen STM de átomos de Fe sobre Cu (111) colocados usando el mismo SPM

22 Resolución espacial e indeterminación del momento de los estados
¿ g(E) con resolución espacial ?  r ·k > 2 (Principio de incertidumbre) Para r ~ a/2 (0.3 nm)  k > 4/a ~ ktotal  En cada punto de la imagen no vemos un “estado electrónico” (pues estos están deslocalizados) sino una “mezcla de estados electrónicos”, con momentos (y energías) diferentes, de todos los estados de esa banda

23 Hemos visto ... PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO El efecto túnel
Qué se ve con el microscopio de efecto túnel Operación de las microscopías de sonda de barrido APLICACIONES Reconstrucciones atómicas en las superficies de semiconductores Topografía de la superficie: escalones y terrazas Impurezas en la superficie Localización de los estados de la BC y de la BV Ejemplos en metales Limitación básica: incertidumbre posición-momento