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CAPITULO 6 TIPOS DE DIODOS Dispositivos electrónicos Ingeniería electrónica Juan camilo espinosa Jimmy arias Fulvio Pedraza
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Diodo Juntura P-N
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El diodo es un dispositivo cuya principal característica es su capacidad de rectificar la corriente; es decir que cuando se aplica tensión alternada, solo permite la conducción durante el semiciclo positivo de la misma.
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Polarización Directa en la Juntura.
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Polarización Inversa.
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Gráfica característica estática del diodo
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Dependencia de la Característica v-i con Temperatura Si bien la característica del diodo contiene explícitamente la temperatura, la principal dependencia proviene de la relación que guarda Is con las concentraciones en equilibrio de los portadores minoritarios. Se verifica que:
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Resistencia del Diodo Resistencia en las zonas neutras es diferente de cero, directamente proporcionales a las longitudes dp y dn de las zonas neutras p y n, e inversamente proporcional a la sección transversal A
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Recombinacion en la zona de carga espacial. La corriente en la juntura real con recombinación en la zona de carga espacial, es igual a la corriente del diodo ideal mas el equivalente de carga que se pierde por unida de tiempo por la recombinación de los portadores en la zona.
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Ruptura en la zona de juntura p-n con polarización Inversa En el diodo real aparece el fenómeno de ruptura de la zona de juntura con polarización inversa, esto sucede por un rápido incremente de Is, si se supera cierto valor de polarización inversa. Si no se controla el crecimiento de Is, pueden haber daños irreparables en la juntura por fusión del cristal en la zona de juntura.
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Ruptura por avalancha.
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Al aumentar la tensión en inversa los electrones se aceleran, si alcanzan la velocidad de ruptura (V ruptura) la E C es tan grande que al chocar cede energía al electrón ligado y lo convierte en libre. El electrón incidente sale con menos velocidad que antes del choque. O sea, de un electrón libre obtenemos dos electrones libres. Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrón de un enlace covalente, ceden su energía... y se repite el proceso y se crea una Multiplicación por Avalancha. Esto puede generar una corriente negativa muy grande (-100 mA). Debido a esto el diodo se fusiona en la zona de juntura pues no está preparado para trabajar a esa I R.
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Contactos: el contacto ocurre siempre que se unen dos materiales y dicho contacto puede ser óhmico si la resistencia en ambos sentidos en baja y rectifican te cuando la resistencia de ambos sentidos es diferente. TIPOS DE CONTACTO: Contacto Metal-Metal Contado Metal-Semiconductor
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Contactos: el contacto ocurre siempre que se unen dos materiales y dicho contacto puede ser óhmico si la resistencia en ambos sentidos en baja y rectifican te cuando la resistencia de ambos sentidos es diferente. TIPOS DE CONTACTO: Contacto Metal-Metal Contado Metal-Semiconductor
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Diodo Schottky Es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa semiconductor A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo.diodo
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El diodo Schottky está constituido por una unión metal- semiconductor (barrera de Schottky), en lugar de la unión convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos normales.barrera de Schottkysemiconductor Psemiconductor N Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles) desempeñarán un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida.tipo N P
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A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral —valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce— de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V empleándose, por ejemplo, como protección de descarga de células solares con baterías de plomo ácido.silicio
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Diodo Schottky Es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa semiconductor A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo.diodo
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El diodo Schottky está constituido por una unión metal- semiconductor (barrera de Schottky), en lugar de la unión convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos normales.barrera de Schottkysemiconductor Psemiconductor N Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles) desempeñarán un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida.tipo N P
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A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral —valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce— de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V empleándose, por ejemplo, como protección de descarga de células solares con baterías de plomo ácido.silicio
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