PLACAS SOLARES Jose María Conesa Alonso Alicia García Moreno Lorena Lim Arriola Miguel Marín Sánchez José Manuel Sancho Gómez.

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1 PLACAS SOLARES Jose María Conesa Alonso Alicia García Moreno Lorena Lim Arriola Miguel Marín Sánchez José Manuel Sancho Gómez

2 Conceptos básicos Efecto fotovoltaico: conversión de luz en electricidad. Efecto fotovoltaico: conversión de luz en electricidad. Materia: constituida por átomos Materia: constituida por átomos Núcleo: carga eléctrica positiva y neutrones. Núcleo: carga eléctrica positiva y neutrones. Electrones: carga eléctrica negativa. Los electrones de la última capa son electrones de valencia que al unirse con otro forman redes cristalinas. Electrones: carga eléctrica negativa. Los electrones de la última capa son electrones de valencia que al unirse con otro forman redes cristalinas.

3 Tipos de materiales Conductores: electrones de valencia poco ligados al núcleo. Conductores: electrones de valencia poco ligados al núcleo. Semiconductores: electrones de valencia más ligados al núcleo. Semiconductores: electrones de valencia más ligados al núcleo. Aislantes: configuración muy estable. Aislantes: configuración muy estable. Los materiales usados en las celdas solares son los semiconductores.

4 Celdas solares Transforman directamente la energía solar en energía eléctrica. Transforman directamente la energía solar en energía eléctrica. Energía resultante de reacciones nucleares de fusión. Energía resultante de reacciones nucleares de fusión.

5 Estructura semiconductores Materiales: Si, Ge, P, As. Materiales: Si, Ge, P, As. Estructura del Si: Estructura del Si: segundo elemento del planeta más abundante. segundo elemento del planeta más abundante. 14 electrones y 14 protones, 4e - de valencia. 14 electrones y 14 protones, 4e - de valencia. se presenta en la naturaleza de dos formas distintas, una amorfa y otra cristalizada se presenta en la naturaleza de dos formas distintas, una amorfa y otra cristalizada

6 Semiconductor “tipo I” Celda elemental de Si: Celda elemental de Si: se unen 5 átomos del material, enlace covalente. se unen 5 átomos del material, enlace covalente. no hay electrones libres, por lo cual se denomina conductor intrínseco o “tipo I”. no hay electrones libres, por lo cual se denomina conductor intrínseco o “tipo I”.

7 Semiconductor “tipo N” Si incorporamos una impureza, P (5 electrones de valencia) habrá un electrón libre. Si incorporamos una impureza, P (5 electrones de valencia) habrá un electrón libre. El material tendrá exceso de cargas negativas. El material tendrá exceso de cargas negativas.

8 Semiconductor “tipo P” Si incorporamos B (3 electrones de valencia) aparecerá un hueco. Si incorporamos B (3 electrones de valencia) aparecerá un hueco. No se produce enlace covalente y hay exceso de cargas positivas. No se produce enlace covalente y hay exceso de cargas positivas.

9 Unión “NP” Unión de material “tipo N” y “tipo P”. Unión de material “tipo N” y “tipo P”. Los electrones sobrantes del material N pasan hacia el material P y los “huecos” del material P pasan al material N. Los electrones sobrantes del material N pasan hacia el material P y los “huecos” del material P pasan al material N. Cuando la luz incide sobre el semiconductor, se liberan electrones del átomo de Si, se rompe el equilibrio de la unión NP y se producen los denominados par “electrón-hueco”. Cuando la luz incide sobre el semiconductor, se liberan electrones del átomo de Si, se rompe el equilibrio de la unión NP y se producen los denominados par “electrón-hueco”. Se genera un campo eléctrico que al conectar una carga externa entre ambas zonas, genera la corriente eléctrica. Se genera un campo eléctrico que al conectar una carga externa entre ambas zonas, genera la corriente eléctrica. Para el Si, se pueden obtener potenciales de aproximadamente 550mV. Para el Si, se pueden obtener potenciales de aproximadamente 550mV.

10 Tipos de celdas de Si Monocristalinas: Monocristalinas: estructura atómica muy ordenada. estructura atómica muy ordenada. rendimiento entre el 15% y el 18%. rendimiento entre el 15% y el 18%. difícil construcción, alto precio. difícil construcción, alto precio. Policristalinas: Policristalinas: estructura atómica no tan ordenada como en el monocristalino. estructura atómica no tan ordenada como en el monocristalino. rendimiento entre el 12% y el 15%. rendimiento entre el 12% y el 15%. Amorfas: Amorfas: estructura atómica bastante desordenada. estructura atómica bastante desordenada. rendimiento es inferior al 10%. rendimiento es inferior al 10%. fabricación sencilla, más barato. fabricación sencilla, más barato.

11 Elementos de una celda solar de Si Un contacto superior en la zona del material “tipo N”. Un contacto superior en la zona del material “tipo N”. Dos semiconductores “tipo N” y “tipo P”. Dos semiconductores “tipo N” y “tipo P”. Un contacto inferior en la zona del material “tipo P”. Un contacto inferior en la zona del material “tipo P”.

12 Características de las celdas solares Características I-V Características I-V Voltaje de circuito abierto VOC Voltaje de circuito abierto VOC Corriente de cortocircuito ISC Corriente de cortocircuito ISC Potencia Máxima (rectángulo) Potencia Máxima (rectángulo) Factor de llenado (fill factor) : cociente entre el rectángulo de máxima potencia y el rectángulo inscrito entre el voltaje de circuito abierto y la corriente de corto circuito. Esta medida nos da una idea de la calidad de la celda Factor de llenado (fill factor) : cociente entre el rectángulo de máxima potencia y el rectángulo inscrito entre el voltaje de circuito abierto y la corriente de corto circuito. Esta medida nos da una idea de la calidad de la celda

13 Eficiencia celdas solares Definición :Relación entre la potencia eléctrica generada por unidad de área (W/m2) y la irradiación solar incidente (W/m2) para obtenerla Definición :Relación entre la potencia eléctrica generada por unidad de área (W/m2) y la irradiación solar incidente (W/m2) para obtenerla Máximas eficiencias teóricas para las celdas solares para diversos materiales (J.J. Loferski 1963) Máximas eficiencias teóricas para las celdas solares para diversos materiales (J.J. Loferski 1963)

14 Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio Silicio monocristalino:estructura cristalina uniforme Silicio monocristalino:estructura cristalina uniforme Silicio policristalino:estructuras ubicadas arbitrariamente. Estos “granos” hacen que la estructura no sea uniforme y se obtenga una eficiencia menor Silicio policristalino:estructuras ubicadas arbitrariamente. Estos “granos” hacen que la estructura no sea uniforme y se obtenga una eficiencia menor Silicio amorfo:presenta todavía bajos niveles de eficiencias Silicio amorfo:presenta todavía bajos niveles de eficiencias

15 Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio El Silicio se obtiene a partir de elementos como arena o cuarzo El Silicio se obtiene a partir de elementos como arena o cuarzo Se presentan en la naturaleza con altos grados de impurezas, por este motivo es necesario procesarlos Se presentan en la naturaleza con altos grados de impurezas, por este motivo es necesario procesarlos Obtenemos un Silicio con propiedades de semiconductor y así lograr celdas de alta eficiencia Obtenemos un Silicio con propiedades de semiconductor y así lograr celdas de alta eficiencia el Silicio es el segundo elemento más abundante en la superficie terrestre, luego del oxígeno. el Silicio es el segundo elemento más abundante en la superficie terrestre, luego del oxígeno.

16 Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio Producción de Silicio Policristalino Proceso Proceso Consiste en llevar los granos de cuarzita a temperaturas sumamente elevadas, agregando carbón para eliminar el oxigeno presente en la cuarzita y producir una sustancia gris metálica brillante de una pureza de aproximadamente 99%. Consiste en llevar los granos de cuarzita a temperaturas sumamente elevadas, agregando carbón para eliminar el oxigeno presente en la cuarzita y producir una sustancia gris metálica brillante de una pureza de aproximadamente 99%. Para llegar a purezas de 99,9999%, la sustancia obtenida es depurada mediante un proceso similar al utilizado en las refinerías de petróleo, llamado destilación fraccionada Para llegar a purezas de 99,9999%, la sustancia obtenida es depurada mediante un proceso similar al utilizado en las refinerías de petróleo, llamado destilación fraccionada

17 Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio Producción de Silicio Monocristalino Proceso Proceso Método de crecimiento de Czochralski (CZ) Método de crecimiento de Czochralski (CZ) El Silicio Policristalino se funde en un crisol a temperaturas cercanas a 1.410ºC, El Silicio Policristalino se funde en un crisol a temperaturas cercanas a 1.410ºC, Se intriduce una “semilla” de Silicio Monocristalino, Se intriduce una “semilla” de Silicio Monocristalino, Se retira lentamente (10cm/hora) haciendo crecer un lingote cilíndrico de material Monocristalino Se retira lentamente (10cm/hora) haciendo crecer un lingote cilíndrico de material Monocristalino

18 Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio Método Flotante (FZ) Método Flotante (FZ) Se coloca una “semilla” Monocristalina sobre una barra de Silicio Policristalino Se coloca una “semilla” Monocristalina sobre una barra de Silicio Policristalino Luego gracias a una bobina que induce un campo eléctrico, la barra se calienta y se funde con la semilla Luego gracias a una bobina que induce un campo eléctrico, la barra se calienta y se funde con la semilla Al desplazarse completamente por la bobina permite la obtención del lingote de Silicio Monocristalino Al desplazarse completamente por la bobina permite la obtención del lingote de Silicio Monocristalino Este lingote es más puro que el producido con el método CZ Este lingote es más puro que el producido con el método CZ

19 Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio Producción de obleas Una vez obtenido el cilindro de Silicio Monocristalino, se procede a cortar las obleas o wafers con espesor aproximado de 300um Una vez obtenido el cilindro de Silicio Monocristalino, se procede a cortar las obleas o wafers con espesor aproximado de 300um Para realizar esta operación se utiliza una sierra con multifilamentos, la cual al cortar las obleas produce partículas de Silicio Para realizar esta operación se utiliza una sierra con multifilamentos, la cual al cortar las obleas produce partículas de Silicio Se pierde casi un 20% de material Se pierde casi un 20% de material

20 Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio Producción de obleas Las obleas son dopadas con átomos de Fósforo en un horno a temperaturas entre 800ºC y 900ºC para obtener la capa N Las obleas son dopadas con átomos de Fósforo en un horno a temperaturas entre 800ºC y 900ºC para obtener la capa N El substrato tipo P se logra, antes de obtener los lingotes, dopando el Silicio con átomos de Boro, para luego cortar las obleas que serán utilizadas como material tipo P en las celdas El substrato tipo P se logra, antes de obtener los lingotes, dopando el Silicio con átomos de Boro, para luego cortar las obleas que serán utilizadas como material tipo P en las celdas

21 Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio Película antirreflectante Consiste en una tratamiento o texturizado que se le da al Silicio para disminuir el índice de reflexión Consiste en una tratamiento o texturizado que se le da al Silicio para disminuir el índice de reflexión Estructura piramidal, que aumenta la absorción de la luz incidente, gracias a reflexión múltiple de ésta Estructura piramidal, que aumenta la absorción de la luz incidente, gracias a reflexión múltiple de ésta

22 Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio Contactos Superior : Debe construirse con unidades lo bastante gruesas, para transportar la corriente eléctrica y lo bastante finas, para no obstaculizar el paso de la luz solar Superior : Debe construirse con unidades lo bastante gruesas, para transportar la corriente eléctrica y lo bastante finas, para no obstaculizar el paso de la luz solar Inferior : material conductor simple (aluminio) Inferior : material conductor simple (aluminio)

23 Tecnología de fabricación de celdas solares de Silicio Celdas de Arseniuro de Galio (GaAs) Celdas de Arseniuro de Galio (GaAs) Eficiencias mayores a las de Silicio. Eficiencias mayores a las de Silicio. Algunos fabricantes, como Spectrolab, han construido celdas con multijunturas, superponiendo junturas específicas para un determinado espectro de la luz solar y así aprovechar totalmente el espectro Algunos fabricantes, como Spectrolab, han construido celdas con multijunturas, superponiendo junturas específicas para un determinado espectro de la luz solar y así aprovechar totalmente el espectro

24 Fabricación de módulos Fragilidad Fragilidad Condiciones atmosféricas Condiciones atmosféricas Deben ser empaquetadas en un módulo Deben ser empaquetadas en un módulo o Los módulos se utilizan para cargar baterías o Son fabricados para entregar un voltaje nominal de 12Vdc. o Este voltaje se alcanza conectado 36 celdas en serie.

25 Fabricación de módulos 1) La celda es colocada en un encapsulante (EVA) 2) Parte superior: vidrio templado 3) Parte inferior: substrato a base de resina 4) El modulo se trata a temperaturas de 175ºC y presión uniforme. 5) Se sella y se ajusta a un marco de aluminio ionizado.

26 Fabricación de módulos. Caracterización  N celdas en serie o en paralelo, la potencia total de salida es WP = N · (IP · VP)  IP = corriente peak de la celda  VP = voltaje peak de la celda CaracterísticaSilicio Ip [mA/cm ] 28 VP [V] 0,5 WP [mW/cm ] 14 VOC [V] 0,6

27 Fabricación de módulos. Factores que afectan al rendimiento Radiación solar : bajos niveles / altos niveles de voltaje de salida Radiación solar : bajos niveles / altos niveles de voltaje de salida Concentrador estático : Encapsulado que aumenta el rendimiento. Concentrador estático : Encapsulado que aumenta el rendimiento. Temperatura de operación : Un aumento de esta hace que la corriente aumente pero el voltaje disminuya Temperatura de operación : Un aumento de esta hace que la corriente aumente pero el voltaje disminuya Sombra : Disipa la energía Sombra : Disipa la energía Una celda sombreada afecta al módulo completo. Una celda sombreada afecta al módulo completo. Solución : diodos “bypass” Solución : diodos “bypass”

28 Fabricación de módulos. Concentradores estáticos Prismático simple SPC (Simple Prism Concentrador) Prismático simple SPC (Simple Prism Concentrador) Ganancia = 1,75. Ganancia = 1,75. Célula solar bifacial vertical Célula solar bifacial vertical Ganancia = 3,5 Ganancia = 3,5 Poca utilidad práctica Poca utilidad práctica Célula solar bifacial horizontal Célula solar bifacial horizontal Ganancia = 3,8 Ganancia = 3,8 Concentrador Estático de Material Transparente Reflexivo Concentrador Estático de Material Transparente Reflexivo Ganancia = 15% Ganancia = 15%

29 Silicio negro Entre 100 y 500 veces más sensible a la luz del sol. Entre 100 y 500 veces más sensible a la luz del sol. Obtención: haciendo brillar brevemente un láser sobre una lámina de silicio a la que han agregado hexafluoruro de azufre. Obtención: haciendo brillar brevemente un láser sobre una lámina de silicio a la que han agregado hexafluoruro de azufre. Paneles solares de gran eficiencia. Paneles solares de gran eficiencia.

30 Óxido de Titanio Técnica que no emplea el silicio purificado sino que esta basada en nanoestructuras de óxido de titanio. Técnica que no emplea el silicio purificado sino que esta basada en nanoestructuras de óxido de titanio. Al ser nanoestructuras son introducidas en sprays. Al ser nanoestructuras son introducidas en sprays. Buena respuesta ante intensidades lumínicas variables y una tasa de conversión de energía lumínica en electricidad estimada en el 11%. Buena respuesta ante intensidades lumínicas variables y una tasa de conversión de energía lumínica en electricidad estimada en el 11%. Transforma amplias superficies de acero en superficies captadoras de energía solar, lo que abaratara en gran medida el coste por KW. Transforma amplias superficies de acero en superficies captadoras de energía solar, lo que abaratara en gran medida el coste por KW.

31 FIN