Dopado de los semiconductores Juan Calvera Diego Gómez Luis Montenegro

Contenido Qué es Ventajas del dopado Tipos de dopado Dopado por difusión atómica Dopado por implantación de iones Referencias

Qué es En la producción de semiconductores se denomina dopaje al proceso de agregar intencionalmente impurezas en el semiconductor puro con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas, las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductor a dopar.

Ventajas del dopado Con el proceso de dopado se controlas diferentes características del semiconductor, las principales son el tipo de conductividad (tipo N o tipo P), el valor de la resistividad y conductividad eléctrica, y el ancho de la banda prohibida del semiconductor.

Tipos de dopado Impurezas de Valencia 5, los átomos de valencia 5 tienen un electrón de más, el 5° electrón se libera de su átomo y se convierte en un electrón libre, se genera una corriente de electrones en movimiento. Impurezas trivalentes Impurezas pentavalentes

Dopado por difusión atómica En este proceso químico, las partículas materiales se introducen en un medio donde se difunden, se presentan dos casos: -Difusión intersticial en que el tamaño del átomo se difunde y el de los átomos de la red es similar. -Difusión intersticial que se produce cuando los átomos entrantes son más pequeños que los de las red cristalina

Dopado or difusión atómica Para dopar tipo P se utiliza trifuoruro de boro BF3 o diborano B2H6 Para dopar tipo N se utiliza fosfina PH3 o arsina AsH3

Dopado por implantación de iones El sistema de implantación de iones es realmente un acelerador de partículas, consiste en introducir al semiconductor iones de alta energía, los iones son atraídos y acelerados, luego estos iones impactan sobre el blanco (oblea de semiconductor a dopar) y quedan implantados. Acelerador de partículas

Dopado por implantación de iones Durante la implantación la estructura del semiconductor se ve comprometida y en necesario restaurarla mediante recristalización lo cual se logra con tratamientos térmicos, que permiten recristalizar la estructura y también redistribuir las impurezas. Daño sufrido por una oblea al ser impactada por iones

Referencial Alanis, A. (s.f.). Slide Share. Obtenido de Dopado de semiconductores por difusion atómica: http://www.slideshare.net/andrsalans/dopado-seminario-fv Gonzales, V. (2007). Universidad Privada TELESUP. Obtenido de Electronica básica: http://www.slideshare.net/victoreus/los- semiconductores-intrnsecos-y-los-semiconductores-dopados- 13926892 Heredia, R. R. (s.f.). Electronica Básica Universidad Nacional de Colombia. Obtenido de Lección 3 Amplificadores como Transistor: http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2001771/html/cap 04/04_03_01.html Nolorbe, J. F. (s.f.). Curso de Física de Semiconductores. Obtenido de Universidad politecnica de Chiapas: