Técnicas experimentales de detección de partículas Física Experimental de Partículas y Cosmología Master en Física Teórica – UCM (2013-14) Dra. Mary-Cruz Fouz CIEMAT Dpt Investigación Básica

Técnicas experimentales Índice Introducción Procesos de interacción de las partículas con la materia Detectores de Ionización Detectores gaseosos Detectores de estado sólido Detectores de centelleo Detectores de fotones Calorimetría PID – Identificación de partículas TOF dE/dX Detectores Cherenkov TRD 2013/14 Técnicas experimentales

Detectores de Ionización Detectores gaseosos – continuación

MICROMEGAS – MICROMEsh GASeous Structure Consiste de: - Una región de deriva (~1kV/cm) de pocos mm - Una zona estrecha (25 -150 mm) de multiplicación (50-70 kV/cm) localizada entre una red metálica delgada (micromesh) y el electrodo de lectura Como la zona de multiplicación es muy estrecha permite resoluciones espaciales de tan solo 12 mm 2013/14 Técnicas experimentales

Técnicas experimentales Drift Tubes (DT) x ánodo Región E bajo deriva Región E alto  amplificación La partícula incidente ioniza el gas. Los electrones liberados se mueven hacia el ánodo (derivan) debido al campo eléctrico aplicado. En las inmediaciones del ánodo el campo es muy intenso y se produce una avalancha Se mide el tiempo de llegada de las señales con respecto a la señal de disparo t0 que generalmente se proporciona por otro detector. Esto nos permite calcular la posición de paso de la partícula incidente VD=Velocidad de deriva (~50 micras/ns) Una ventaja es que se reduce el número de canales de lectura (respecto a MWPC o CSC) 2013/14 Técnicas experimentales

Técnicas experimentales Drift Tubes (DT) Se necesita calibrar con precisión: t0 y vD Calibración T0 DT ATLAS DT CMS Se determina mirando la distribución de tiempos en el detector. Se necesita acumular una cierta estadística Geometría cilíndrica Geometría rectangular La resolución (50-200 mm) depende de: La difusión en el gas (sobre todo en el caso de largas distancias de deriva) La emisión de rayos d que pueden falsear la medida La homogeneidad de la velocidad de deriva en el volumen del gas  Diseño Voltaje aplicado Mezcla de gases Presencia de campos magnéticos Importante la precisión mecánica Se necesita una buena precisión en el posicionado del hilo sensor: ~50 mm La sagita del hilo debido a la gravedad debe ser mínima (tensionado del hilo) 2013/14 Técnicas experimentales

Técnicas experimentales Drift Tubes (DT) Dificultad  Indeterminación Izda-Dcha No podemos saber a que lado del hilo se produjo la señal ATLAS Drift Tubes Solución  Capas de DT desplazadas La “segunda” coordenada puede obtenerse: A partir de la señal del hilo, midiendo a) La diferencia del tiempo de llegada de la señal en cada extremo b) La proporción de carga en cada extremo Con un segundo grupo de planos perpendicular al primero 2013/14 Técnicas experimentales

Time Projection Chamber (TPC) La TPC usa las técnicas de las cámaras de deriva Es un cilindro de grandes dimensiones (m) relleno de un gas (a veces un líquido). Al paso de una partícula se producen e- que derivan hacia el ánodo. En el ánodo se coloca un plano detector que permite reconstruir la traza del paso de la partícula en 2D (o líquido) Á N O D C T Midiendo el tiempo de llegada de los electrones de deriva se puede hacer la reconstrucción en 3D Los primeros (y más comunes) detectores usados fueron MWPC usados pero pueden usarse otros como GEM Dado su tamaño es necesario que la velocidad de deriva y por tanto el campo sean muy homogéneos La difusión puede reducirse con B Permite medidas precisas de dE/dx En presencia de un campo magnético permite hacer medidas del momento de la partícula (a través de su curvatura) 2013/14 Técnicas experimentales

Detectores de Ionización Detectores semiconductores

Técnicas experimentales Semiconductores En un átomo aislado los electrones tienen sólo niveles discretos de energía. En un sólido los niveles atómicos dan lugar a bandas continuas de energía. Las bandas de energía que están completamente ocupadas por electrones a T=0K se denominan bandas de valencia Si T≠0 los electrones pueden excitarse térmicamente y pasar a la banda de conducción si adquieren energía suficiente para ello. Quedará entonces un hueco en la banda de valencia. Lo mismo puede ocurrir si una partícula excita el átomo. Los e- de la banda de valencia están ligados a un átomo, los de la banda de conducción pertenecen a todo el cristal. Los e de la banda de conducción y los huecos pueden moverse por el material. Dependiendo del gap entre las bandas los materiales serán Aislante Semiconductor Conductor Al aumentar T aumenta el número de e- en la banda de conducción  aumenta la conductividad del material 2013/14 Técnicas experimentales

Técnicas experimentales Tabla Periódica 2013/14 Técnicas experimentales

Técnicas experimentales Semiconductores Los elementos del Grupo IV como el Si y Ge son semiconductores elementales. Tienen 4 electrones en la última capa. Esta capa puede completarse formando enlaces covalentes con otros 4 átomos. A T>0 los electrones pueden pasar a la banda de conducción y moverse. A su vez los huecos se pueden rellenar por otros electrones lo que permite que los huecos también se muevan Red de diamante Electrón Libre (En banda conducción) Hueco T> 0K T=0K Electrón de valencia Un semiconductor que tiene el mismo número de huecos y electrones que pueden moverse bajo la influencia de un campo eléctrico se llama SEMICONDUCTOR INTRINSECO 2013/14 Técnicas experimentales

Semiconductores - Dopping Podemos aumentar la conductividad de un semiconductor intrínseco dopándolo SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO El exceso de e- crea un nivel de energía cercano a la banda de conducción X= Grupo V (Valencia 5): As,Pb,Sb (donante) Exceso de electrones Semiconductor tipo-n El exceso de huecos crea un nivel de energía cercano a la banda de valencia X= Grupo III (Valencia 3): B, Al, Ga, In (aceptor) Exceso de huecos Semiconductor tipo-p 2013/14 Técnicas experimentales

Semiconductores -Ionización p Cuando una partícula atraviesa un material semiconductor puede ionizar y producir un par electrón-hueco Si aplicamos un campo eléctrico podemos recoger la señal igual que se hacía en los detectores gaseosos PERO Si T > 0K tendremos electrones libres que también se moverán en ese campo eléctrico Ruido. A temperatura ambiente el número de electrones libres es órdenes de magnitud superior al número de electrones que puede generar una partícula por ionización ¿Cómo pueden eliminarse los electrones libres? “Depletion region” en una unión p-n 2013/14 Técnicas experimentales

Semiconductores – Unión p-n Si ponemos en contacto un semiconductor tipo-p (exceso de huecos) y otro tipo-n (exceso de electrones) Debido a las diferencias de concentración de huecos y electrones en ambos materiales: Los huecos se difundirán a través de la unión hacia el material tipo-n t Depletion region Los electrones se difundirán a través de la unión hacia el material tipo-p  Esto crea un campo eléctrico que detiene la difusión Se crea una zona “depletion región” sin cargas libres. Llamada también zona de carga espacial Esta zona puede usarse como detector No hay cargas libres que enmascaren la señal El campo E originado permite la deriva de los electrones producidos por la partícula incidente que pueden recogerse para producir la señal (pero este campo es débil) 2013/14 Técnicas experimentales

Semiconductores – Unión p-n Si aplicamos un campo eléctrico externo podemos mejorar la recolección de carga y aumentar la zona donde puede detectarse la señal : Depletion region a) b) V - + Eext V + - Eext Reverse bias Forward bias Polarización inversa Polarización directa V+ atraerá los e- del material de tipo n (V- cede e- a los huecos del material de tipo p) aumentando la zona sin cargas libres (“depletion zone”)  Mayor zona de detección Disminuye la zona sin cargas libres (“depletion zone”) El ancho (W) de la zona sin cargas libres: e= Cte dielétrica V = Voltaje externo aplicado Vbi = Voltaje creado por la unión p-n ( típicamente ~0.5V) N = Densidad del dopante 2013/14 Técnicas experimentales

Semiconductores- Unión p-n Corriente vs Voltaje 2013/14 Técnicas experimentales

Técnicas experimentales Diodo p-i-n V - + Un diodo p-i-n consiste de una región de semiconductor intrínseco entre dos zonas altamente dopadas p+ y n+, donde se aplica un voltaje con polarización inversa (reverse bias). La zona de carga espacial está prácticamente definida por la región del material intrínseco En la práctica no se necesita que el material será verdaderamente intrínseco, basta con que tenga una alta resistividad (ligeramente dopado de tipo p o n) 2013/14 Técnicas experimentales

Técnicas experimentales Detectores de Silicio p Los detectores de silicio son diodos p-n operando con polarización inversa Las partículas cruzando la zona sin cargas libres producirán electrones que se moverán en el campo eléctrico y producirán una señal como ocurría en los detectores gaseosos Debido a la alta densidad del silicio (especialmente si lo comparamos con un gas) y a su baja energía de ionización (WI = 3.6 eV) bastan 100-300 mm para poder tener una señal. (dE/dx)Silicio = 3.87 MeV /cm  3.2 104 pares e-h en 300mm ~106 pares/mm En los detectores gaseosos por ionización se producen tan solo ~100 pares e-ion por cm  Se necesita trabajar en modo avalancha para tener señales mayores Pero solo será posible trabajar en la zona sin cargas libres puesto que el silicio a 300K tiene 4.35 108 pares e-h en 300mm en un área 1x1 cm2 Al igual que en los detectores gaseosos los electrones Derivan (los huecos tienen vd similar a e-, no como los iones en el gas) Se difunden (~8mm en 300mm de deriva) Se ven afectados por 𝑩 Del mismo modo que con los detectores gaseosos necesitamos un circuito y electrónica externa para leer las señales 2013/14 Técnicas experimentales

MSD – Microstrip Silicon detectors (SiO2  aislante) Podemos segmentar un electrodo en bandas (“strips”) para poder tener medidas precisas de la posición de paso de la partícula incidente en 1D Los pares e-h+ derivaran hacia los electrodos y su movimiento creará una señal en las bandas. Dependiendo de la posición y ángulo de la partícula producirá señales en más o menos bandas Voltaje operación <200 V Espesor ~300mm Distancia entre bandas 20-150mm Campo eléctrico en el interior del detector 2013/14 Técnicas experimentales

MSD – Medida de la posición Dependiendo de la posición y ángulo de la partícula producirá señales en más o menos bandas. La precisión a partir de la posición de una sola banda: 𝜎 𝑥 = 𝑑 12 Midiendo la cantidad de carga recogida en cada banda podemos medir la posición de la partícula incidente calculando el centro de gravedad Si la carga se reparte entre varias bandas mejora la precisión de la medida a pocas micras Residuo = X medida – X partícula Al igual que en los detectores gaseoso algunos efectos empeoran la resolución como: Emisión de rayos – d Difusión Campo magnético 2013/14 Técnicas experimentales

Double Sided Silicon Detectors (DSSD) Para hacer una medida en 2D podemos añadir otro detector con las bandas en la otra dirección Demasiado material al paso de la partícula que puede afectar a medidas de física en un experimento real (necesitamos varias capas de detectores en cada dirección para poder reconstruir la trayectoria) Solución: DSSD Usar bandas en ambos lados, n y p Presenta problemas para aislar las bandas del lado n y resulta más complicado de construir (La unión Si-SiO2 tiene una carga positiva, se pueden acumular electrones y hacer que las bandas se interconecten, se necesitan por ejemplo bandas de material p (p-stops) intercaladas con las bandas-n) Otro problema es la alta combinatoria cuando tenemos muchas partículas incidiendo a la vez (como en el LHC) n2 combinaciones  n2-n falsas 2013/14 Técnicas experimentales

Técnicas experimentales Detectores de pixel Una opción que permite información 2D sin las ambigüedades del DSSD es usar “pads” Su mayor problema es el gran número de canales lo que dificulta la electrónica de lectura 2013/14 Técnicas experimentales

Detectores de pixel híbridos Electrónica de lectura con la misma geometría que el detector El tamaño mínimo del pixel limitado por la electrónica (30-100 mm) Interconectados por “bump bonding” que permite la conexión eléctrica entre el detector y la electrónica 2013/14 Técnicas experimentales

Detectores de silico 3D Sensor plano Sensor 3D Diferentes diseños Los implantes p-n no están en las superficies del detector como en los sensores planos sino que van a través del detector.  Pixel altamente segmentado Permite desacoplar el espesor del substrato y la distancia entre electrodos porque la zona de carga espacial se desarrolla lateralmente. Los electrodos pueden estar más cerca que en un sensor plano  Menor voltaje (<10-20 V) Importante en entornos de alta radiación porque esta requiere aumentar el voltaje para mantener la misma zona de carga espacial  Mayor rapidez de recolección de señal Permite trabajar con mayores flujos de partículas Electrodos introducen espacios muertos Sensor plano Sensor 3D Diferentes diseños @ CNM - Barcelona Chip

Avalanche PhotoDiodes APDs Si en un diodo pn o pin operando con un V en polarización inversa (reverse bias) aumentamos V suficientemente, el campo E generado puede acelerar los e- producidos por la partícula incidente con una energía suficiente para crear nuevos pares e-h+. Si es suficientemente alto se produce una avalancha, como veíamos en los detectores gaseosos. 𝐺= ⅇ 𝛼 𝑛 𝑑 𝛼 𝑛 depende de E y T El detector puede operar en modo: Proporcional Modo Geiger (G-APD) Un inconveniente es que al aumentar el V también aumenta el nivel de ruido 2013/14 Técnicas experimentales

Avalanche PhotoDiodes APDs Generalmente se usa un material con bajo dopaje, como en las uniones p-i-n, y se añade una capa extra de tipo p entre i y n+. La amplificación se produce principalmente en la unión p-n+ donde hay un alto E. Las zonas altamente dopadas n+ y p+ tienen baja resistencia y por tanto poca caída de potencial Los electrones producidos por la partícula incidente derivan en la zona de bajo dopaje y se multiplican en la zona p-n+ generando una avalancha 2013/14 Técnicas experimentales

Silicon PhotoMultipliers SiPM SiPM es una matriz de pixels APD (~1000 pixels/mm2) leídos en paralelo, cada uno 20-100mm, operando en modo Geiger (G~105-107). Pixel: 50x50mm2 1x1mm2 La señal en cada pixel es independiente del número de fotones incidentes, al tener pixeles pequeños podremos reducir la probabilidad de tener varios fotones en el mismo. Debido al alto V los propios e- del material pueden dar lugar a avalanchas, habrá corriente dentro del propio detector (corriente oscura) incluso sin que incidan partículas (~105 Hz/mm2) (En experimentos con un sistema de disparo externo pueden suprimirse) 1 fotón Sumando las señales de todos los pixeles podemos contar el número de fotones que han atravesado el detector 2013/14 Técnicas experimentales

CCD - Charge –coupled device Basadas en semiconductores MOS (Metal-Oxido-Semiconductor) La capa metálica superior está segmentada Permite formar pozos de potencial usando voltajes alternos apropiados. La carga que se produce en el detector queda “atrapada” en el pozo de potencial durante el tiempo de “exposición” acumulándose carga a medida que llegan los fotones y que posteriormente se “transferirá” 2013/14 Técnicas experimentales

CCD - Charge –coupled device Las CCD están formadas por una matriz de pixeles MOS Cada celda de la matriz almacena carga durante el tiempo de “exposición” que luego se transfiere durante el tiempo de “lectura” a un amplificador externo y de ahí la señal analógica a un convertidor ADC 2013/14 Técnicas experimentales

CCD - Charge –coupled device Cada 3 electrodos están conectados a una misma línea de voltaje Variando esos voltajes se cambian los pozos de potencial (como un sistema de compuertas) y se pueden pasar la carga acumulada de un pixel a otro y de ahí a un registro externo que los transfiere a la electrónica de lectura. Los CCD necesitan pocos canales de lectura pero un tiempo de lectura largo time 2013/14 Técnicas experimentales

CCD - Charge –coupled device Si queremos color en las imágenes se utilizan filtros para detectar los 3 colores RGB en distintos pixeles y a partir de la interpolación de la señal en cada uno podemos obtener imágenes en color. En las cámaras de fotos se usan 4 pixeles 1Rojo, 1 Azul, 2 Verdes para simular el comportamiento del ojo humano más sensible al verde 2013/14 Técnicas experimentales

CMOS – Complementary metal oxide semiconductor Los CMOS se diferencia de las CCD en que cada pixel tiene su propio conversor de carga a voltaje (en la CCD era compartido para toda la matriz) que está integrado con el sensor CMOS de forma análoga a los píxeles híbridos Se podrían leer pixeles de forma independiente 2013/14 Técnicas experimentales

Detectores semiconductores - “Zoo” 2013/14 Técnicas experimentales

Detectores de Centelleo

Técnicas Experimentales Centelleadores Las partículas incidentes pueden excitar átomos o moléculas en el medio En algunos casos los estados excitados pueden decaer emitiendo luz En muchos casos la luz que se emite es reabsorbida en el mismo material pero en otros casos no Existen diferentes materiales que pueden producir luz al paso de una partícula. En general podemos clasificarlos en varias categorías, en cada una la luz se produce por un mecanismo diferente. Centelleadores orgánicos (p.ej plásticos) Centelleadores inorgánicos (p.ej cristales) Gases/Liquidos nobles (Ar líquido, Xe líquido… ) 2013/14 Técnicas Experimentales

Centelleadores orgánicos En centelleadores orgánicos la emisión de luz de centelleo es debida a transiciones en moléculas individuales, es una propiedad molecular  Puede ocurrir en estado sólido, líquido y gaseosos, o embebidos dentro de otro material La luz de centello surge a partir de los electrones en los orbitales p de la molécula Los estados electrónicos  estados singletes (Spin 0)  estados tripletes (Spin 1) Cada uno de ellos se subdivide en varios estados rotacionales En el estado fundamental la mayoría de las moléculas están en estado singlete S00 ~3-4 V 2013/14 Técnicas Experimentales

Centelleadores orgánicos Cuando una partícula cargada atraviesa el material parte de su energía puede ser absorbida excitando un electrón a un estado S superior El átomo se des-excita rápidamente al estado S10 sin emitir radiación (la energía se convierte en modos vibracionales) Absortion Y a continuación de des-excita al estado S0X emitiendo luz (fluorescencia) Puede también ocurrir que el estado singlete S1 decaiga al estado triplete T1 con mayor tiempo de vida media. Fluorescence Phosphorescence Estos estados pueden posteriormente des-excitarse a un estado S0X emitiendo luz (fosforescencia). Esta emisión de luz está retrasada (emisión 10-6 s vs 10-8 s) Al tener T1 un nivel de energía menor, la longitud de onda de fosforescencia es mayor que por fluorescencia Algunas moléculas en el estado T1 se pueden excitar térmicamente al estado S10 que al decaer al S0X producirá fluorescencia retrasada. 2013/14 Técnicas Experimentales

Centelleadores orgánicos Si el centelleador está formado por varios componentes la energía puede transferirse de unas moléculas a otras antes de que ocurre la des-excitación Podemos mejorar las prestaciones de un material disolviendo una pequeña concentración de un material centelleador de mayor eficiencia (al que se denomina “flúor”), la energía del primero se puede transmitir a las moléculas del segundo por procesos radiactivos o no radiactivos y estas emitirán luz. La molécula solvente X se excita a un nivel S y se des-excita a S1X A continuación puede: Solvente X “Flúor” Y a) Transferir energía, sin radiar, a la molécula de “flúor” (FRET- Forster (Fluorescence) Resonance Energy Transfer) que se excita a S1Y Absortion y se des-excita emitiendo luz. b) Emite luz que posteriormente absorbe el “flúor” Absortion Fluorescence Fluorescence El flúor se des-excita re-emitiéndola El nuevo material emitirá en una longitud de onda mayor por lo que no podrá ser reabsorbido por el primero 2013/14 Técnicas Experimentales

Centelleadores orgánicos Las ventajas de utilización de un soluto centelleador Puede permitir aumentar la cantidad de luz emitida. El “fluor” tiene una mayor emisión de fotones Además emitirá en una longitud de onda mayor por lo que no podrá ser reabsorbido por el primero  Podemos añadir un tercer material que funcione como WLS (Wave Length Shifter). Este material absorbe la luz emitida por el primero y la re-emite con una longitud de onda diferente Esto permite adaptar la longitud de onda al rango de detección del detector de fotones que se use para leer la señal del centelleador Cristales orgánicos: Antraceno, Naftaleno Líquidos orgánicos: Solvente: Xileno, Tolueno, Benzeno Soluto: PBD, PPO (2,5-diphenyloxazole), p-terfenilo Plásticos: Solvente: PVT (poliviniltolueno), poliestireno (PS) Soluto: PBD, p-terfenilo , PBO Soluto WLS: POPOP 2013/14 Técnicas Experimentales

Centelleadores inorgánicos En materiales inorgánicos las transiciones entre niveles de energía están determinados por la red cristalina del material. No es un proceso molecular En un aislante tenemos bandas discretas de energía, y el gap entre la banda de valencia y de conducción es demasiado grande. La emisión de fotones es ineficiente. Además cuando se excita un electrón, al volver a la banda de valencia tiene demasiada energía para emitir en el rango visible 2013/14 Técnicas Experimentales

Centelleadores inorgánicos Para aumentar la probabilidad de emisión de luz visible en se pueden añadir impurezas al material (Activadores) que en determinados lugares de la red del cristal modifican la estructura de bandas normal. Crean estados de energía dentro de la banda prohibida y la des-excitación a través de ellos permitirá la producción de luz visible Estas zonas de des-excitación se denominan centros de luminiscencia En algunos casos el e- puede crear un estado excitado que no puede volver al estado fundamental directamente, pero puede ser excitado térmicamente y emitir más tarde  Fosforescencia El electrón puede ser también capturado por el activador y el estado final no volver al fundamenteal emitiendo luz  Quenching Algunos materiales presentan ellos mismos variaciones en la red del cristal que actúan como activadores. 2013/14 Técnicas Experimentales

Propiedades de algunos centelleadores cristales inorgánicos 2013/14 Técnicas Experimentales

Gas nobles (estado gaseoso y líquido) -Ar, Xe, Kr Al paso de una partícula los átomos pueden ionizarse o excitarse Los estados excitados pueden combinarse con un átomo en estado fundamental y formar un excímero 𝑿 ∗ +𝑿→ 𝑿 𝟐 ∗ Estos excímeros se des-excitarán produciendo dos átomos independientes en estado fundamental produciendo luz ( en el UV) por el proceso análogo al explicado para los centelleadores orgánicos. Si el proceso es a través de un estado singlete la emisión de luz ocurrirá rápidamente (~6ns en Ar) Si proviene de un estado triplete se producirá en ms La luz producida no es suficiente para excitar el átomo por lo que no puede ser reabsorbida 2013/14 Técnicas Experimentales

Quenching en centelleadores El “quenching” es un proceso que des-excita el centelleador sin producir fluorescencia. El material excitado puede transferir la energía a moléculas de oxígeno u otras impurezas reduciéndose por tanto la emisión de luz. Competirá con las moléculas de “fluor” del cristal orgánico y con los centros activadores de los cristales inorgánicos. En un líquido orgánico bastan una baja concentración de tan solo ppm de oxigeno para reducir la emisión de luz. Existe también la posibilidad de que el electrón pueda ser también capturado por el propio activador y el estado final no volver al fundamental emitiendo luz 2013/14 Técnicas Experimentales

Centelleadores orgánicos vs inorgánicos Señal más baja Rápidos (<ns) Baja densidad No dependen de T (entre -20 y 60C) Más baratos Más fáciles de fabricar en distinto tamaño y forma Señal alta Más lentos (hasta ms) Alta densidad Dependen de T Más caros Más difíciles de fabricar (crecimiento cristal) Los inorgánicos son los usados más en calorímetros debido a su alta densidad. Son lentos pero producen mucha luz y por tanto mejor resolución en energía 𝑷𝒃𝑾 𝑶 𝟒 2013/14 Técnicas Experimentales

Producción de la señal en un detector de centelleo Una vez que se ha producido la luz en el detector necesitamos transformarla en una señal medible. Centelleador Guía de luz Detector Para ello necesitamos un detector de fotones (como los SiPM descritos en la parte de detectores semiconductores) Además necesitamos algún modo de guiar a los fotones hasta el detector Se pueden usar además guías de luz WLS (Wave Length Shifter) que absorben la luz y la reemiten en un valor más adecuado al rango de trabajo del fotodetector centelleador detector Fibras embebidas SiPM CALICE HCAL Cell 2013/14 Técnicas Experimentales

Fibras ópticas de plástico centelleadoras También podríamos optar por usar fibras de plástico centelleadoras en las cuales se produce la señal que luego ella misma conduce hasta el detector de fotones por reflexión 2013/14 Técnicas Experimentales

Técnicas experimentales ------ 2013/14 Técnicas experimentales

Técnicas experimentales Drift tubes CMS DT cell No B En presencia de un campo magnético la velocidad de deriva se verá afectada modificándose la trayectoria de la misma. 𝑣 𝑑 𝐵 = 𝑣 𝑑 1+ 𝜔𝜏 2 𝑩 ⊥ 𝑬 y B paralelo al hilo 𝝎=− 𝒒𝑩 𝒎 𝒆 Frecuencia de ciclotrón 2013/14 Técnicas experimentales