Cristalino: Que está constituido por átomos apilados con un patrón regular y repetitivo. Unión metálica es aquella en que los electrones de valencia se encuentran en movimiento continuo y desordenado, pasando de un átomo a otro para llenar las capas exteriores de todos ellos. Enlace covalente: Es aquella en que dos átomos contiguos comparten un par de electrones de valencia para completar sus respectivas capas Intrínseco: Altamente puro, no hay huecos, no hay conductividad a baja temperatura (aislante), si se aplica energía se genera un e- y un h+ en la banda de conducción. Extrinseco: Impuro, contiene impurezas por dopaje, para formar un conductor extrínseco se agrega cuidadosamente una impureza trivalente (tipo p) o pentavalente (tipo n). Semiconductor tipo n: semiconductor extrínseco, los portadores de carga son negativos. Se obtiene de dopar un semiconductor con impurezas pentavalentes, 4e- de 5 e- de valencia están en enlace covalente y uno sin enlace. Semiconductor tipo p: extrínseco, los portadores de carga son positivos. El boro, indio y galio tienen átomos trivalentes que añadidos a un semiconductor intrínseco proporcionan e- para completar únicamente 3 enlaces covalentes, la vacante existe en el 4to enlace formando un hueco.
Proceso de difusión: flujo neto de partículas que se mueven al azar desde las de alta concentración a las de baja concentración y existen 3 condiciones esenciales. 1 partículas móviles 2 mov aleatorio de las partículas 3 distribución espacial de las moléculas. movilidad es la velocidad media de los portadores (velocidad de deriva) Si los huecos y electrones adquieren una distribución espacial no uniforme, entonces, en virtud de su energía térmica, se difunden hasta que su concentración sea uniforme. CORRIENTE DE DIFUSION Como los huecos y electrones son partículas cargadas, este movimiento constituye una corriente eléctrica llamada CORRIENTE DE DIFUSION.