Caracterización de materiales por microscopía de fuerzas atómicas con corriente J.A. Barón-Miranda1, A. Palacios-Pradós2, N. Martínez-García1, F. Chalé-Lara1 I. Díez-Pérez2, F. Sanz-Carrasco2, F. Caballero-Briones1 1Instituto Politécnico Nacional, Laboratorio de Materiales Fotovoltaicos, CICATA Altamira, Km 14.5 Carretera Tampico-Puerto Industrial Altamira, 89600 Altamira, México. 2Department de Química-Física, Universitat de Barcelona Martí i Franquès 1-11, 08028 Barcelona, España
Contenido Introducción Caracterización de materiales por CAFM Conclusiones
Introducción: Microscopia de Fuerzas Atómicas y CAFM
Estudio de materiales por CAFM Calibración Caracterización nanoeléctrica de Cu2O Medición de fotocorriente en CdS:Mg Medición de la conductividad en nanoparticulas de CdSSe funcionalizadas con ODT
Calibración a) ITO b) b) ITO
Caracterización nanoeléctrica de Cu2O
Medición de fotocorriente en CdS:Mg
Preparación de películas de nanoparticulas de CdSSe funcionalizadas
Medición de la conductividad en nanoparticulas de CdSSe funcionalizadas con ODT
Conclusiones Se caracterizaron por CAFM películas de materiales semiconductores tipo P (Cu2O) y tipo N (CdS:Mg) así como películas de nanoparticulas de CdSSe. La técnica de CAFM permitió observar las propiedades eléctricas y fotovoltaicas a escala nanometrica.
AGRADECIMIENTOS Financiado por CONACYT 151679 y MICINN-CTQ2012-36090 AGRADECIMIENTOS Financiado por CONACYT 151679 y MICINN-CTQ2012-36090. IDP agradece financiamiento de MICINN-RyC y APA agradece beca FPU.