Motivación: Memorias No Volátiles. Resistive Switching: Diferentes Mediciones de R.

Presentación del tema: "Motivación: Memorias No Volátiles. Resistive Switching: Diferentes Mediciones de R."— Transcripción de la presentación:

1

2 Motivación: Memorias No Volátiles.

3 Resistive Switching: Diferentes Mediciones de R

4 Experimento y Modelo para Simulaciones Cambio del Umbral de Conmutación Cambio del Umbral de Conmutación Correlación entre la Dinámica de Vacancias simuladas y los valores de R medidos. Correlación entre la Dinámica de Vacancias simuladas y los valores de R medidos. Perfiles de E, V,  y  Perfiles de E, V,  y  Dependencia en el tiempo de los parámetros Dependencia en el tiempo de los parámetros Modelo !

5 Publicaciones Appl. Phys. Lett, enviado (2010). J. Appl. Phys. 107, 033715 (2010).

6 Modelo para las Simulaciones Dependencia en Temperatura Manganitas HSL en TiO2

7 Motivación Ag/TiO 2-x /Si Óxidos simples: NiO, TiO 2 ….Óxidos simples: NiO, TiO 2 …. Pulsos de polaridad opuesta (Bipolar)Pulsos de polaridad opuesta (Bipolar) Pulsos de la misma polaridad (Unipolar).Pulsos de la misma polaridad (Unipolar). Ambas Polaridades.Ambas Polaridades. Mecanismo del RS no clarificado.Mecanismo del RS no clarificado. Aplicaciones: Memorias, FPGA, redes neuronales, circuitos analógicos, ….Aplicaciones: Memorias, FPGA, redes neuronales, circuitos analógicos, ….

8 Ag/TiO 2-x /Si Ag/TiO 2-x /Si Forming

9 Microfabricación  Se inicia un proceso de fabricación de muestras con ambos electrodos (superior e inferior) depositados de manera controlada. DISPOSITIVOS DE MEMORIAS NO VOLÁTILES  Para ello se diseñó una matriz de barras cruzadas de electrodos metálicos con un film de un óxido simple en el medio, de forma de obtener varias junturas Metal – Óxido – Metal.

10 Microfabricación: Dispositivos de Memoria 3 PASOS DE FOTOLITOGRAFÍA 3 PASOS DE FOTOLITOGRAFÍA DISEÑO DE MÁSCARAS CON MARCAS DE ALINEACIÓN DISEÑO DE MÁSCARAS CON MARCAS DE ALINEACIÓN Necesidad de realizar las Junturas en un Área de Sala Limpia Procesos Involucrados: Sputtering Evaporación Fotolitografía Dip-Coating Oxidación Térmica Lit-off

11 Micro Fabricación: Dispositivos de Memoria

12 Microfabricación: Dispositivos de Memoria Imágenes de las Junturas ya fabricadas Este año se logra- ron dispositivos de memorias que funcionan del orden de 10^4 veces Idealización teórica de las Junturas

13 Conclusiones del Avance de este año (2010) Publicación J. Appl. Phys. 107, 033715 (2010). En esta publicación se demuestra un resultado con potencial uso tecnológico: es posible disminuir el umbral de conmutación a condición de fijar el estado de la interfaz. Publicación J. Appl. Phys. 107, 033715 (2010). En esta publicación se demuestra un resultado con potencial uso tecnológico: es posible disminuir el umbral de conmutación a condición de fijar el estado de la interfaz. A partir de haber entendido los perfiles microscópicos se realizaron diferentes experimentos los cuales se incluyeron en un Manuscrito enviado a Applied Physics Letters. A partir de haber entendido los perfiles microscópicos se realizaron diferentes experimentos los cuales se incluyeron en un Manuscrito enviado a Applied Physics Letters. Simulaciones a partir del modelo utilizado sobre TiO2 y de dependencias en Temperatura de LPCMO. Simulaciones a partir del modelo utilizado sobre TiO2 y de dependencias en Temperatura de LPCMO. Experimentos de RRAM en TiO2 depositado por Dip Coating. Experimentos de RRAM en TiO2 depositado por Dip Coating. Se comenzó y se está optimizando un proceso de Micro – Fabricación de Dispositivos de Memorias No Volátiles que involucran 3 PASOS DE LITOGRAFÍA. Se comenzó y se está optimizando un proceso de Micro – Fabricación de Dispositivos de Memorias No Volátiles que involucran 3 PASOS DE LITOGRAFÍA. Se lograron dispositivos de memorias que funcionan del orden de 10^4 veces con una relación entre los estados ON y OFF de 10 (1 orden de magnitud). Se lograron dispositivos de memorias que funcionan del orden de 10^4 veces con una relación entre los estados ON y OFF de 10 (1 orden de magnitud).

14 Gracias por su atención