Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Resuelto.

Presentación del tema: "Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Resuelto."— Transcripción de la presentación:

1 Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Resuelto por: Carlos Andrés Méndez Tafur Codigo:262067 Mayo, 2015

2 CRISTALOGRAFÍA 1. Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados. [incluya URL de videos] a. Método de Czochralski: https://www.youtube.com/watch?v=AMgQ1-HdElM b. Crecimiento epitaxial: https://www.youtube.com/watch?v=zNer-Jf8958 c. Epitaxia de haces moleculares: https://www.youtube.com/watch?v=NsGRKSV8yH8

3 CRISTALOGRAFÍA 2. Crecimiento epitaxial por haces moleculares: El crecimiento epitaxial por haces moleculares se produce en alto vacío o en ultra alto vacío. El aspecto más importante del crecimiento epitaxial por haces moleculares es la baja tasa de sedimentación (normalmente inferior a 1000 nm por hora). Las bajas tasas de sedimentación requieren proporcionalmente mejor vacío para alcanzar los mismos niveles de impureza que otras técnicas de sedimentación. El término «haz» indica que los átomos que se han evaporado no interactúan entre ellos o no expulsan gases hasta que conforman la oblea, debido al camino libre medio de los átomos. Durante esta operación, se observa el crecimiento de las películas cristalinas mediante la técnica denominada difracción de electrones de alta energía por reflexión (RHEED), puesto que esta técnica, a diferencia de la difracción de rayos X empleada en la cristalografía, sólo analiza la superficie de la muestra. Mediante un ordenador, se coloca un obturador en frente de cada horno, lo que permite controlar de forma más precisa el grosor de cada capa, incluso de una única capa de átomos. Las capas de estructuras complejas de diferentes materiales se fabrican de este modo.

4 CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a. 3D b. c. d.

5 3D100 101 111

6 CRISTALOGRAFIA 3. Encuentre el número de átomos/cm 2 en la superficie orientada de una oblea de Si Distancia entre átomos: 5,43 Amstrong. En este caso se deben sumar los cuatro cuartos de átomos, mas uno que se encuentra en el centro de la cara: 4*(1/4) +1 = 2 1 A = 10^(-8)cm

7 CRISTALOGRAFIA