Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.

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1 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.

2 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Aspectos relevantes: .- Regla del número atómico efectivo. .- Teoría del enlace de valencia. .- Teoría del campo cristalino. .- Teoría del campo de ligantes.

3 La regla del número atómico efectivo.
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. La regla del número atómico efectivo. Debida a: Sidgwick (1927). Es una ampliación de las ideas de G. N. Lewis, aplicada a los compuestos de coordinación. Principio: estabilidad al alcanzar configuración de gas noble. Definición: e- metal + e- ligandos = NAE

4 Contribución de e- de algunos ligandos en el formalismo del NAE:
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Contribución de e- de algunos ligandos en el formalismo del NAE: Ligando e- NO2- 1 Br- NH3 2 I- PR3 R- CO C2H4 NO+ 3 lineal C6H6 6 (6-) H- C5H5- 5 Cl- C3H5- 3 (3-) F- CN-

5 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Ejemplos:

6 Excepciones encontradas en el formalismo del NAE.
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Ejemplos: Excepciones encontradas en el formalismo del NAE.

7 Excepciones encontradas en el formalismo del NAE.
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Ejemplos: Excepciones encontradas en el formalismo del NAE.

8 Conclusión: NAE no es una teoría sólida.
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Conclusión: NAE no es una teoría sólida. Los carbonilos metálicos cumplen el NAE en un 99% de los casos. Ejemplos:

9 Nota: los metales con número impar de electrones no pueden formar
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Ejemplos: Nota: los metales con número impar de electrones no pueden formar complejos carbonílicos neutros. Ejemplo:

10 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Ejemplo:

11 En vista de que el ión nitrosilo es isoelectrónico con el CO, muchos
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. En vista de que el ión nitrosilo es isoelectrónico con el CO, muchos complejos combinados carbonilos nitrosilos cumplen el formalismo del NAE. Síntesis: Otros ejemplos:

12 Otros ligandos importantes y que cumplen el formalismo del NAE son
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Otros ligandos importantes y que cumplen el formalismo del NAE son los metalocenos, alquilos metálicos y las olefinas. Ejemplos:

13 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Ejemplos:

14 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
18.- Ferroceno: estable térmicamente a 500 ºC. Estable al aire. El cobaltoceno Co(C5H5)2 (37 e-) se oxida con facilidad al [Co(C5H5)2]+ (36 e-) cuya estabilidad es semejante al ferroceno. Existen complejos mixtos ciclopentadienil carbonilo para todos los metales desde el vanadio hasta el níquel y que cumplen el NAE. Ejemplos:

15 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Ejemplos:

16 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Ejemplos: Notar que los elementos con números atómicos impar forman monómeros y que los que contienen números pares forman dímeros. Recordar: “Tomar una regla como un dogma en lugar de como un experimento no tiene cabida en el campo de la química inorgánica”.

17 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Teoría del enlace de valencia (TEV). Origen: .- Ideas de W. Heitler y F. London (1927). .- Linus Pauling la aplicó por primera vez a los compuestos de coordinación (1940). Importancia: .- Hibridación. .- Geometrías. .- Resonancia. .- Magnetismo.

18 dsp3 bipirámide trigonal
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Consideraciones: La formación de un complejo es una reacción entre una base de Lewis (ligandos) y un ácido (metal o ión metálico), dando lugar a la formación de un enlace coordinado (o dativo). d2sp3 octaédrica sp3 tetraédrica dsp3 bipirámide trigonal

19 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Ejemplos:

20 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Ejemplos:

21 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Ejemplos:

22 Al complejo [CoF6]3- se le denomina complejo orbital externo por
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Al complejo [CoF6]3- se le denomina complejo orbital externo por el tipo de hibridación ns np3nd2. Al complejo [Co(NH3)6]3+ se le denomina complejo orbital interno por la hibridación ns np3 (n-1)d2.

23 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Complejos tetracoordinados diamagnéticos.

24 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Complejos tetracoordinados paramagnéticos.

25 Igualmente, el ión [Fe(OH2)6]3+ es paramagnético con cinco
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Igualmente, el ión [Fe(OH2)6]3+ es paramagnético con cinco electrones no apareados pero el ión [Fe(CN)6]3- es paramagnético con un electrón no apareado. La representación de la TEV para estos complejos es:

26 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Finalmente, una nomenclatura empleada por Pauling para estos complejos es: [Fe(OH2)6] spin alto. [Fe(CN)6] spin bajo.

27 Teoría del Campo Cristalino (TCC).
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Teoría del Campo Cristalino (TCC). Orígen: – J. H. Van Vleck Físicos H. Bethe Significado: interacción netamente electrostática entre los ligandos y el centro metálico

28 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Características: .- Sencilla. .- Depende de la geometría del complejo. .- No toma en cuenta la naturaleza del enlace metal ligando. .- Es un formalismo.

29 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Representación:

30 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Representación:

31 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.

32 A la magnitud 10 Dq o o se le denomina energía de separación de
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. A la magnitud 10 Dq o o se le denomina energía de separación de campo octaédrico.

33 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Determinación de la cantidad 10Dq: Ejemplo: [Ti(OH2)6]3+

34 Para el caso [Ti(OH2)6]3+ (d1) la transición electrónica es del tipo:
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Para el caso [Ti(OH2)6]3+ (d1) la transición electrónica es del tipo: En el ReF6 (d1) E = 92.9 Kcal/mol, kJ/mol. Para el caso general dn se deben tomar en cuenta las interacciones electrón electrón y los cálculos son más complicados.

35 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Energía de estabilización del campo cristalino (EECC): caso [Ti(OH2)6]3+

36 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Caso d2

37 Caso d3 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Notar que los electrones siguen la regla de Hund.

38 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Caso d4 -se dan dos posibilidades- A = Energía de apareamiento.

39 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.

40 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Caso d5 -se dan dos posibilidades- A = Energía de apareamiento.

41 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.

42 Resumen de las configuraciones posibles. Electrones no apareados
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Resumen de las configuraciones posibles. (campo octaédrico). Campo débil dn Configuración Electrones no apareados EECC d1 t2g1 1 -4 Dq d2 t2g2 2 -8 Dq d3 t2g3 3 -12 Dq d4 t2g3eg1 4 -6 Dq d5 t2g3eg2 5 0 Dq d6 t2g4eg2 -4 Dq + A d7 t2g5eg2 -8 Dq + 2A d8 t2g6eg2 -12 Dq + 3A d9 t2g6eg3 -6 Dq + 4A d10 t2g6eg4 0 Dq + 5A

43 Resumen de las configuraciones posibles. Electrones no apareados
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Resumen de las configuraciones posibles. (campo octaédrico). Campo fuerte dn Configuración Electrones no apareados EECC d1 t2g1 1 -4 Dq d2 t2g2 2 -8 Dq d3 t2g3 3 -12 Dq d4 t2g4 -16 Dq + A d5 t2g5 -20 Dq + 2A d6 t2g6 -24 Dq + 3A d7 t2g6eg1 -18 Dq + 3A d8 t2g6eg2 -12 Dq + 3A d9 t2g6eg3 -6 Dq + 4A d10 t2g6eg4 0 Dq + 5A

44 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.

45 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Simetría de campo tetraédrico.

46 A la magnitud 10 Dq o t se le denomina energía de separación de campo
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. A la magnitud 10 Dq o t se le denomina energía de separación de campo tetraédrico. En vista de que t  4/9 o solo se consideran los casos de campo débil. Ejemplos:

47 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Ejemplos:

48 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Ejemplos:

49 Resumen de las configuraciones posibles. Electrones no apareados
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Resumen de las configuraciones posibles. (campo tetraédrico). dn Configuración Electrones no apareados EECC d1 e1 1 -6 Dq d2 e2 2 -12 Dq d3 e2t21 3 -8 Dq d4 e2t22 4 -4 Dq d5 e2t23 5 0 Dq d6 e3t23 -6 Dq + A d7 e4t23 -12 Dq + 2A d8 e4t24 -8 Dq + 3A d9 e4t25 -4 Dq + 4A d10 e4t26 0 Dq + 5A

50 Complejos [CrIIIL6]carga
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Factores que afectan la magnitud 10Dq. .- Carga del ión. .- Naturaleza de los ligandos. Ejemplos: Complejos [CrIIIL6]carga 3 transiciones posibles: t2g3eg t2g2eg1 t2g2eg t2g1eg2 t2g1eg t2g0eg3

51 Espectros de Absorción uv-visible.

52 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Otros ejemplos: Complejo 10Dq kJ/mol cm-1 [CrCl6]3- [Cr(OH2)6]3+ [Cr(NH3)6]3+ [Co(OH2)6]3+ [Co(NH3)6]3+ [Co(CN)6]3-

53 campo se conoce como serie espectroquímica.
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. El ordenamiento de los ligandos en función del incremento de la fuerza del campo se conoce como serie espectroquímica. -K. Fajans- 1923

54 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.

55 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
.- Naturaleza del átomo metálico. Consecuencia: los complejos de la segunda y tercera serie de transición son de spin bajo. C. K. Jorgensen cuantificó la tendencia de un ión metálico para formar complejos de spin bajo (g).

56 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Ión metálico g 3d Mn2+ 8.0 4d Ru2+ 20.0 3d Ni2+ 8.7 3d Mn4+ 23.0 3d Co2+ 9.0 4d Mo3+ 24.6 3d V2+ 12.0 4d Rh3+ 27.0 3d Fe3+ 14.0 4d Tc4+ 30.0 3d Cr3+ 17.4 5d Ir3+ 32.0 3d Co3+ 18.2 5d Pt4+ 36.0 Combinando los resultados de (f) y (g) con las energías de apareamiento es posible explicar el estado de spin para los complejos conocidos y predecir el comportamiento magnético de nuevos complejos. 10Dq = f ligando x g ión

57 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.

58 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Pruebas de la estabilización del campo cristalino. Las propiedades magnéticas y espectrales de los complejos se pueden explicar satisfactoriamente en términos del desdoblamiento de orbitales d. Algunas evidencias experimentales son: .- Energías de red cristalina. Uo para los halogenuros divalentes de los metales de la primera serie de transición.

59 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.

60 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
.- Radios iónicos.

61 Disminución continua de los radios para el caso campo fuerte hasta la
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Observaciones importantes: Disminución continua de los radios para el caso campo fuerte hasta la configuración t2g6. Incremento del radio cuando entran los e- en el nivel eg.

62 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
.- Estabilidad de ciertos estados de oxidación en solución acuosa. Ejemplo: el Co(III) es inestable en solución acuosa hacia la formación de Co(II) (con ligandos débiles e intermedios).

63 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Distorsiones tetragonales a partir de la simetría octaédrica. Teorema de Jahn-Teller (1937): “La distorsión elimina la degeneración y reduce la energía”

64 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.

65 .- [Ti(OH2)6]3+ d1 .- [CoF6]3- d6
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Ejemplos de distorsión tetragonal: .- [Ti(OH2)6] d1 octaedro distorsionado con acortamiento en el eje z. .- [CoF6] d6 octaedro distorsionado con alargamiento en el eje z. (ver espectro de absorción).

66 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.

67 Distancias cortas (pm) Distancias largas (pm)
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. .- Caso de los compuestos de Cu(II) en cristales. (cada ión Cu2+ esta rodeado por 6 aniones en una disposición aproximadamente octaédrica). Compuesto Distancias cortas (pm) Distancias largas (pm) CuF2 4F a 193 2F a 227 K2CuF4 2F a 195 4F a 208 CuCl2 4Cl a 230 2Cl a 295 [Cu(NH3)6]2+ 4 NH3 a 207 2 NH3 a 262 Jahn-Teller no puede predecir cual de los dos tipos de distorsión tetragonal tendrá lugar.

68 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Como el desdoblamiento de los niveles eg es mayor que el t2g los efectos de distorsión se presentan en mayor grado en las configuraciones: d4 y d9 de campo débil d7 y d9 de campo fuerte Los efectos sobre los niveles t2g son menores porque estos reciben menor influencia de los ligandos. Sin embargo se han observado distorsiones en: d1 y d2 d6 y d7 de campo débil d4 y d5 de campo fuerte Conclusión:

69 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Simetría de campo planar cuadrado.

70 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.

71 [Ni(CN)4]2- [PdCl4]2- [Pt(NH3)4]2+ [PtCl4]2- [AuCl4]-
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. iones d8 con ligandos de campo alto permiten la formación de complejos planar cuadrados (de spin bajo). Ejemplos: [Ni(CN)4]2- [PdCl4]2- [Pt(NH3)4]2+ [PtCl4]2- [AuCl4]-

72 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Espectros de absorción uv visible. Una ayuda para su comprensión parte de la interacción de los diferentes orbitales en una simetría de campo particular, por ejemplo octaédrica:

73 Términos en el átomo libre. Desdoblamiento en campo octaédrico.
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Igualmente los estados espectroscópicos se desdoblan según: Términos en el átomo libre. Desdoblamiento en campo octaédrico. S A1g P T1g D Eg + T2g F A2g + T1g + T2g G A1g + Eg + T1g + T2g H Eg + T1g + T1g + T2g I A1g + A2g + Eg + T1g + T2g+ T2g

74 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Consideremos solo los estados de menor energía (multiplicidad máxima) para las configuraciones vistas: Configuración Estados electrones equivalentes s1 2S s2 1S P1 o p5 2P P2 o p4 1S, 1D, 3P p3 2P, 2D, 4S p6 d1 o d9 2D d2 o d8 1(SDG), 3(PF) d3 o d7 2D, 2(PDFGH), 4(PF) d4 o d6 1(SDG), 3(PF), 1(SDFGI), 3(PDFGH), 5D d5 2D, 2(PDFGH), 4(PF), 4(SDGFI), 4(DG), 6S

75 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Tomemos como ejemplo la configuración d1: Término RS: 2D En un campo octaédrico los desdoblamientos son:

76 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Tomemos como ejemplo la configuración d2: Términos RS: 1(SDG), 3(PF) En un campo octaédrico los desdoblamientos son:

77 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Otros ejemplos:

78 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Para el Cu2+ (d9) (2D) todos los desdoblamientos se pueden interpretar en función del diagrama (A) mediante el formalismo del “hueco”. Así se emplea el inverso del diagrama (A) para el Cu2+:

79 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
La configuración d8 del Ni2+ 3(PF) se puede tomar como un d2 invertido:

80 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.

81 Estado fund. del ión libre. Conf. del ión acomplejado.
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Resumen: Conf. del ión libre. Estado fund. del ión libre. Conf. del ión acomplejado. Tipo de diagrama. d1 2D t2g1 A d2 3F t2g2 B d3 4F t2g3 B invertido d4 5D t2g3eg1 A invertido d5 6S t2g3 eg2 No hay desdob. d6 t2g4 eg2 d7 t2g5 eg2 d8 t2g6 eg2 d9 t2g6 eg3 d10 1S t2g6 eg4

82 Cr3+ d3 4(PF) , diagrama (B) invertido:
Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos. Caso de los complejos de [Cr(III)]carga vistos anteriormente: Cr d3 4(PF) , diagrama (B) invertido: B = parámetro de Racah. Es una integral coulómbica. 1 = 10 Dq, 2 = 18 Dq – X, 3 = 12 Dq + 15B + X

83 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Diagramas de Orgel (1955). Representaciones de la energía de separación de los términos o estados en función de la fuerza de campo variable

84 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Diagramas de Orgel (1955).

85 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Ejemplos: Complejos hexaacuos octaédricos

86 Tema 4: Estructura electrónica de los complejos metálicos.
Ejemplos: Complejos hexaacuos octaédricos