Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor:

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1 Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor: Jaime Villalobos Velasco Presentado por: Lizeth Andrea Anzola Fernandez, 223656 Mayo, 2015

2 CRISTALOGRAFÍA 1.Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados a. Método de evaporación química: Se introduce el material a evaporar en una campana, puede ser de vidrio, al vacío, se incrementa la temperatura interior, puede ser mediante un voltaje aplicado, y los átomos con una alta energía cinética ascienden y se adhieren en una lámina superior, de esta forma se obtiene una lámina de dicho material. b. Método de Czochralski: El material a ser procesado, el más común es el silicio (Si), está en un cilindro de cuarzo, el cual es introducido en un solenoide o bobina por el cual circula una corriente alta (aprox. 20 A), el cuarzo se calienta porque actúa como una resistencia y silicio se derrite muy despacio ( a 1 cm/h aprox.). Después se extrae el cilindro lentamente y el silicio se enfría de tal forma que los átomos se organizar perfectamente para formar lingotes de silicio monocristalinos. Dichos lingotes tienen diversas aplicaciones, una de ellas es cortar el lingote en láminas muy delgadas llamas obleas utilizadas en dispositivos electrónicos como transistores y circuitos integrados c. Método MBE (Molecular Beam Epitaxy): Es una clasificación de las técnicas de crecimiento epitaxial, consiste en hacer incidir haces moleculares ionizados sobre un material a depositar, del cual se desprenden átomos que van a adherirse al sustrato. La velocidad de crecimiento es aproximadamente 1 nm/s (realmente baja) lo que permite la variación gradual de la composición del material.

3 CRISTALOGRAFÍA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a. 3D

4 CRISTALOGRAFÍA b. c. d.

5 CRISTALOGRAFÍA 3. Encuentre el número de átomos/cm 2 en la superficie orientada de una oblea de Si