Introducción a Física de Semiconductores

Presentación del tema: "Introducción a Física de Semiconductores"— Transcripción de la presentación:

1 Introducción a Física de Semiconductores
Primera Clase

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3 ¿Por qué circuitos analógicos?
El ser humano adquiere data a través de sus cinco sentidos Todos estos sentidos trabajan de forma continua El universo tiene un nivel infinito de señales por las cuales se interpreta su existencia Por ende para recolectar data sin perder parte de esta, debemos de tener la capacidad de procesarla sin subdividirla, por ende los circuitos analógicos.

4 Símbolos y Proceso de Fabricación
Transistores MOS Símbolos y Proceso de Fabricación

5 Características Importantes del Transistor MOS
El transistor es un elemento que convierte voltaje en corriente. La alimentación de voltaje en la compuerta determina la magnitud de la corriente. La diferencia entre la compuerta y la fuente generan un canal. Algunos voltajes que debemos tener pendientes son: Potencial de umbral Voltaje entre fuente y drenaje

6 Nodos de un Transistor Para entender la importancia del potencial entre fuente y drenaje primero debemos saber las conexiones disponibles en un transistor Source = Fuente Gate = Compuerta Drain = Drenaje Bulk = Cuerpo

7 Estructura de transistores MOS complementaria
Un proceso que permite el crecimiento de transistores NMOS y PMOS se conoce como complementario CMOS = Complementary Metal Oxide Structure NMOS PMOS G G B S D D S B Silicon Complementary process structure p+ n+ n+ p+ p+ n+ n-well p-substrate

8 Estructura de transistores MOS complementaria
NMOS PMOS G G B S D D S B Silicon Complementary process structure p+ n+ n+ p+ p+ n+ n-well p-substrate

9 Formación de Transistor
En una oblea p dopamos dos regiones con elementos característicos y altamente electronegativos estos nos crea dos regiones con alto dopaje de n y una región central que los divide La distancia entre ambas regiones se conoce como el largo del canal. Las dos regiones son intercambiables una es la fuente y la otra el drenaje. La region intermedia lleva una capa de dioxido de silicio termal, la cual es cubierta por una capa de poli silicio. Polisilicio Silicio cuyo cristal es crecido en varias direcciones Dioxido de Silicio termal oxido sobre el silicio de la obleael cual crece en un horno al inyectarle o2 en la ausencia de agua

10 Estructura MOS Se compone de una oblea de silicio
Cubierta con una capa de Dioxido de Silicio Crece la compuerta El oxido es removido Las areas son dopadas Dichas capas son conectas al exterior con metal O2 O2 O2 SiO2 Si

11 Estructura de transistores MOS
Ldrawn Leff LD S G D Poly Oxide MOS = Semiconductores de metal y óxido S= Source (Fuente) G= Gate (compuerta) D= Drain (drenaje)

12 Conexión del cuerpo u oblea
S G D Oxide p+ n+ Ldrawn Leff LD Poly B B = BULK (Cuerpo) en Caso de NMOS la conexión de la oblea

13 Estructura de transistores MOS
Ldrawn Leff LD S G D Poly Oxide CUANDO EL DISEÑADOR DIBUJA UN TRANSISTOR ESCOGE UN LARGO PARA DICHO CANAL L=LDRAWN CUANDO EL DISEÑO ES FABRICADO EL LARGO PARA DICHO CANAL L=LEFF

14 Estructura MOS Podemos apreciar entonces, que para un transistor MOS existen cuatro conexiones. La fuente El drenaje La compuerta La oblea (para NMOS) G B S D p+ n+ n+

15 Estructura Complementaria CMOS
En este proceso tenemos un canal cuya información se transporta con electrones Y otro canal que transmite la información utilizando hoyos G G B S D D S B p+ n+ n+ p+ p+ n+ PMOS NMOS n-well p-substrate

16 Transistores NMOS y PMOS
NMOS TRANSISTOR Cargas que construyen el canal son cargas negativas (electrón), atraídas por la diferencia en voltaje de la compuerta y la oblea. PMOS TRANSISTORS Cargas que construyen el canal son cargas positivas (falta de electrón en capa de conducción) por la diferencia entre la compuerta y el pozo N.

17 Representación esquemática de transistores
Diferentes tipos de transistores son dibujados en esquemáticos utilizando diferentes símbolos. A continuación se encuentran las representaciones esquemáticas que seran usadas en clase

18 Símbolos Para Transistores NMOS y PMOS

19 Introducción a Física de Semiconductores

20 Física de Semiconductores de devices MOS
Existen 2 formas extremas de estudiar la física de transistores MOS Mecánica cuántica Caja negra La mejor manera es la intermedia; Comprender lo suficiente para entender de donde provienen los términos de los modelos simplificados. Ninguna de estas dios formas son convenientes La 1`ra complicada matematicamente no permite ver la simplificacion al diseño. La segunda deja al estudiante sin conocimiento de donde proviene el sin numero de variables que cada ecuacion requiere

21 ….Continuación Mencionamos previamente los cuatro nodos de un transistor Mencionamos también el voltaje de umbral y la diferencia en potencial de los diferentes nodos A continuación explicamos con mas detalle los términos previamente usados

22 Potencial de Umbral El potencial o voltaje de umbral se define como voltaje necesario para crear el canal conductivo. El canal conductivo conecta o permite enviar información de un nodo del transistor a otro Las ecuaciones presentes nos dan una idea matemática de la dependencia del voltaje de umbral Vth, en relación al potencial de Fermi ΦF, la carga en la región “depletion” y la capacitancia del aislante. F M S es la diferencia enter el work funtion de la compuerta de plicilicio y el sustrato K es la carga del electron N Sub es la concentracion de dopantes en el sustrato K DEP es la carga existente en la region no dopada Cox es la capacitancia de oxido en la compuerta por unidad de area QDEP es la raiz cuadrada de 4Q epsilon de silicio potencial de fermi y Nsub Tipicamente para un grosor de Oxido de 50 armstrong C oxido es 6.9 femtofaradious por micro metro cuadrado Mm2

23 Regiones de operacióndel transistor
Apagado (Cut off): El voltaje de compuerta (G) a fuente (S) es menor que el voltaje de umbral Triodo: Voltaje de compuerta (G) a fuente (S) es mayor que el voltaje de umbral y dicho voltaje sobrepasa la diferencia en potencial entre drenaje y fuente. Saturación Voltaje de compuerta (G) a fuente (S) es mayor que el voltaje de umbral pero dicho voltaje no es mayor que la diferencia en potencial entre drenaje y fuente.

24 Regiones de operacióndel transistor
Apagado (Cut off): VGS < Vth Triodo: VGS > Vth VDS < (VGS – Vth) Saturación VGS ≥ Vth VDS > (VGS – Vth)

25 Formación del canal Cuando está en tríodo el canal es plano.
- + VG Cuando está en tríodo el canal es plano. Cuando esta en saturación, mientras aumenta VDS el canal formado se distorsiona y se pincha en el área cercana al drenaje - + VG VD n+ n+

26 Formación del canal - + VG
Mientras aplicamos un potencial entre G y S las cargas positivas se repelen de la superficie de silicio del canal. Mientras mas positivo se vuelve el voltaje VGS menos cargas mayoritarias quedan en la region denominada como “depletion”.Esta región atrae las cargas negativas a la superficie Cuando VG sobrepasa el voltaje de umbral las cargas de minoría en esta región forman el canal. n+ n+ + -

27 Técnicas de proceso para reducir Vth
Implante de contaminantes tipo p para la reducción del voltaje de umbral n+ S G D p+

28 Derivación de la curva característica i/v
Considere una barra de metal de un semiconductor la cual carga una corriente I. Si la densidad de carga en dirección de la corriente se denomina como Qd, Donde v es la velocidad de la carga que atraviesa la sección transversal de la barra por unidad de tiempo en metros por segundos. Entonces la corriente es un producto de la densidad de carga y su velocidad

29 Carga en un transistor MOS
Conecte D y S a tierra. ¿Cuál es la densidad de carga en la capa de inversión? Como la inversión de carga del canal no ocurre hasta que VGS = Vth, la densidad de carga producida por la capacitancia de la compuerta es proporcional a VGS - Vth Para toda carga puesta en la compuerta existe un reflejo negativo de dicha carga en la región de inversión. Densidad de carga es carga por unidad de longitud entonces W = Ancho de la región de inversión Cox = Capacitancia por unidad de área del silicio bajo la compuerta

30 Carga en un transistor MOS en saturación profunda
Cuando el nodo D esta a un voltaje mayor que cero, existe una diferencia el potencial a lo largo del canal La diferencia en este varia de VG hasta VG - VD por tanto la densidad de carga en relación a x esta dada por: Donde V(x) es el potencial del canal en x

31 Corriente en el transistor
Previamente mencionamos que la corriente en un semiconductor está dada por: Sustituyendo la ecuación obtenida para Qd encontramos que: Donde el signo negativo ha sido añadido porque estamos hablando de cargas negativas, por ende la dirección de la corriente es opuesta.

32 Corriente vs Potencial
En los semiconductores la velocidad está dada por: v=mE Donde m es la movilidad de los electrones Sabemos que el campo electrónico es: E=dV(x)/dx Por tanto la corriente depende del potencial del canal. Esta ecuación esta sujeta a las concones de frontera V(0) y V(L) = VDS Integrando ambos lados de la ecuación

33 Corriente cuando el transistor opera en tríodo
Como ID es constante a través del canal. Corriente a través del transistor vs. Voltaje de drenaje a fuente en la región de operación de tríodo

34 Corriente cuando el transistor opera en saturación
Podemos apreciar como el tope de la parábola (la corriente máxima) ocurre cuando VGS – Vth = VDS. Este voltaje se conoce como “overdrive” . Como ID es constante a través del canal. Este determina la corriente en saturación

35 Asignación Determine la resistencia de un transistor operando en modo de triodo con las siguientes especificaciones mnCox = 50 mA/V2 Vth = 0.7 V No obtendrá un numero si no una ecuacion dependiente de VG Asuma conexión de drenaje abierta

36 Resultado de Tarea e Introducción a dispositivos en Saturación

37 Resultado de Tarea Cuando el transistor está en triodo cumple y cumple con el siguiente requisito: VDS << VGS -Vth Entonces la corriente: Puede ser aproximada por la ecuación

38 …..Continuacion Por ende si queremos hallar la Resistencia del canal cuando el transistor esta encendido VGS ≥ Vth Usando la ley de Ohms vemos que: VDS = IDSRDS Por tanto RDS = VDS / IDS Sustituyendo la aproximación dada para cuando VDS<< (VGS – Vth)

39 …..Continuacion Vemos por tanto que sustituyendo los valores dados la resistencia del canal depende de VG si la fuente (S) esta conectada a tierra.

40 Corriente cuando el transistor opera en saturación
Podemos apreciar como el tope de la parábola (la corriente máxima) ocurre cuando VGS – Vth = VDS. Este voltaje se conoce como “overdrive” . Como ID es constante a través del canal. Este determina la corriente en saturación