EL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIÓN

Presentación del tema: "EL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIÓN"— Transcripción de la presentación:

1 EL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIÓN
TEMA 6: EL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIÓN Mª Dolores Borrás Talavera

2 Región de corte en EC Región de saturación en EC Valores típicos. El interruptor ideal

3 REGIÓN DE CORTE EN EMISOR COMÚN
VCE (V) IC (mA) inversa E C B IB (μA) inversa ZONA DE CORTE IE = 0 IC = ICO Un transistor no está en corte si la base está en circuito abierto 0,1V para Ge 0V para Si VBE es una tensión inversa cuya magnitud es de:

4 Ic es casi independiente de la corriente de base
REGIÓN DE SATURACIÓN EN EMISOR COMÚN VCE (V) IC (mA) directa E C B IB (μA) ZONA DE SATURACIÓN directa VCE = VBE -VBC 0 Ic es casi independiente de la corriente de base

5 En un transistor de unión NPN a 25ºC
VALORES TÏPICOS En un transistor de unión NPN a 25ºC VCEsat VBEsat VBEactiva VBE VBEcorte Si 0,2 0,8 0,7 0,5 0,0 Ge 0,1 0,3 -0,1

6    VENTAJAS: Menor tamaño Mayor frecuencia de encendidos
EL INTERRUPTOR IDEAL +Vcc +Vcc S1 RL    S2 Cerrado sat VCE (V) IC (mA) VENTAJAS: Menor tamaño Mayor frecuencia de encendidos No se producen chispas abierto corte

7 VENTAJAS EL INTERRUPTOR IDEAL
Funcionamiento en conmutación de un transistor NPN 12 V 36 W 3 A  = 100 40 mA 12 V 36 W R 3 A 12 V IB = 40 mA 4 A IC VCE 3 A PF (OFF) 12 V PF (ON) ON OFF VENTAJAS No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lógico. Electrónica de Potencia y Electrónica digital