La descarga está en progreso. Por favor, espere

La descarga está en progreso. Por favor, espere

Ariana Ortiz Dario Lopez Sergio Avalos Felipe Cedillo Rebeca De la Rosa Ing. Christian Aldaco Instituto Tecnológico de Saltillo.

Presentaciones similares


Presentación del tema: "Ariana Ortiz Dario Lopez Sergio Avalos Felipe Cedillo Rebeca De la Rosa Ing. Christian Aldaco Instituto Tecnológico de Saltillo."— Transcripción de la presentación:

1 Ariana Ortiz Dario Lopez Sergio Avalos Felipe Cedillo Rebeca De la Rosa Ing. Christian Aldaco Instituto Tecnológico de Saltillo

2 FABRICACION DE SEMICONDUCTORES Proceso mediante el cual se crea un dispositivo semiconductor. Mediante el uso de material semiconductor intrínseco. Generalmente Silicio

3 El proceso completo de fabricación toma de 6 a 8 semanas. Se realiza en instalaciones sumamente Especializadas Son llamadas Fabs

4

5 TIPOS CONTAMINACION Partículas: Objetos que se adhieren a la superficie de las obleas. Impurezas Metalicas. Contaminantes Organicos: Lubricantes o Bacterias. Estatica.

6 Control de Contaminación Uso de Robots para el transporte de Obleas Filtros de Aire Uso de Ropa Antiestática Habitación Sin Estática

7 Categorías de Procesos Deposición * Proceso que crezca o genere capas. Retiro * Proceso en que se quita el material de la oblea en forma de granel. Modelar * Procesos que alteran la forma existente de los materiales depositados. Modificación Características Eléctricas * Dopado del semiconductor

8

9 Agregar Cristales de Si en horno. Se mezclan y se funden. Mediante Rotación Se enfría Se obtiene un lingote Se retira la molienda Se rebana el lingote A la rebanada se le conoce como oblea Se da un acabado a los bordes y son refinadas Se aplica Polish Se inspecciona la Oblea Sirve como base para la fabricación del semiconductor

10

11 Procedimiento para la obtención de lingotes monocristalinos Mediante un Cristal Semilla Uso de materiales tipo P (Boro, Indio o Galio) Uso de materiales tipo N (Fosforo, Arsénico o Antimonio) Obtención de obleas destinadas a la fabricación de transistores y circuitos integrados.

12 Coloca el Si puro y se calienta hasta fundirlo Se añaden impurezas tipo P o N Se introduce la semilla Se gira, mediante los giros comienza a formarse Se obtiene lingote puro

13

14 Proceso de Acondicionamie nto de la Superficie Uso de mezcla de químicos para pulir la superficie de la oblea Puede ser considerado como un hibrido de ataque químico y pulido

15

16

17 Obleas de Si Sometidas a una Limpieza Rigurosa Montan en Carrete de Cuarzo Carrete se introduce en un tubo de Cuarzo Se sitúa dentro de un Horno Puede ser Vertical / Horizontal Entre 850°C y 1100°C Se calienta el Horno por Resistenci a Tiempo Obtención de la Oblea con Oxido

18 OXIDACION SECA Oxigeno Puro 1200°C Mas Lento Menos Defectos Oxido de Mayor Calidad

19 OXIDACION HUMEDA 900°C a 1000°C Mas Rápido Mayores Defectos Vapor de Agua

20 USOS La capa de Oxidación Usa como Aislante para separar dos dispositivos Como Mascara en otros Procesos Separar dos Capas de materiales Conductores

21

22 Presión atmosférica Baja presión Deposición Química de vapor (CVD) Pulverización catódica Crecimiento epitaxial por haces moleculares Deposición Física de vapor (PVD)

23 UNO Las obleas de silicio se introducen en un recipiente sobre un soporte de grafito. DOS En el recipiente se introduce la fuente gaseosa, típicamente tetracloruro de silicio SiCl4 y se calienta a una temperatura de 1200 ºC. TRES Finalmente queda una capa de polisilicio sobre la oblea.

24 UNO El dopante se introduce a la vez que el semiconductor en la mezcla gaseosa DOS Como dopante tipo p se utiliza el diborano B 2 Cl 4, mientras que la arsina AsH 3 y la fosfina PH 3 se utilizan como dopantes tipo n. TRES Finalmente queda el crecimiento de múltiples capas monocristalinas con espesores atómicos

25

26 Se evapora el metal con calor a depositar en una cámara de alto vacío Se cristalisa en la superficie de la oblea al enfriarse

27

28 El material a depositar se carga negativamente al bombardearlo con iones positivos Los átomos de Al desprendidos se dirigen y depositan sobre al oblea SPUTTERINGSPUTTERING

29

30

31

32 Previo al proceso de fotolitografia se puede usar aerosol o vapor para promover la adhesión de la fotorresistencia a la superficie de la oblea.

33

34 Grabado Eliminación de Materiales Innecesarios en la superficie de la oblea. Uso de Medios químicos o físicos. Grabado Humedo Grabado Seco

35 Velocidad a la Cual se extrae el material. Forma de la pared lateral de la función de grabado. Medida del cambio en el tamaño de la característica después del grabado. Forma más rápida graba una película de otra película. Tipo de Cambio Perfil Sesgo Selectividad PARAMETROSPARAMETROS

36 Capacidad del proceso para grabar de manera uniforme en toda la superficie. El material no deseado que queda en la oblea. Una película depositada sobre las paredes laterales para evitar grabado lateral. Daños a equipos sensibles en la superficie de la oblea. Uniformidad Residuos Formación Polímero Plasma

37

38 Es método principal de grabado. Inconvenientes: Poca Selectividad y Control Extremo. Puede ser: Química o Física.

39 Aplicaciones en Seco Dieléctrica : Oxido. Silicio: Aislamiento del dispositivo. Metal: Aleación de Aluminio, grabado para el cableado de interconexión.

40

41 Ha sido remplazado en gran medida por el grabado en seco. Se basa en tiras de química húmedas. Aun se usa para eliminar capas, como fotosensible o como mascara de nitruro de silicio.

42

43

44 Dopaje de la oblea. Principalmente por la implantación de iones. El método de dopaje precoz fue la difusión térmica.

45

46 DIFUSION De una región de mayor concentración a una región de menor concentración. Movimiento de un Material a Través de Otro. Tres Pasos: 1.Predeposicion 2.Drive In 3.Activacion

47 SUBSISTEMAS DE IMPLANTACION DE IONES Ion Fuente. Donde se generan los iones. Analizador de Iones. Los iones positivos se recogen en una viga. Aceleración de Columna. Los iones positivos son acelerados en campo eléctrico. Sistema de Exploración. El haz de iones se explora a través de toda la oblea. Cámara de Proceso. Donde se realiza la implantación de iones.

48

49


Descargar ppt "Ariana Ortiz Dario Lopez Sergio Avalos Felipe Cedillo Rebeca De la Rosa Ing. Christian Aldaco Instituto Tecnológico de Saltillo."

Presentaciones similares


Anuncios Google